Приложение
для AndroidПолное описание
Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др. - М. : [б. и.], 2003. - 40 с. : ил. - (Препринт / Физико-технологический ин-т (Москва) ; 25(2003)). - 50 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 37-40(34 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.3.049.77-047.84:776(04) | |
| 621.382.323(04) |
Рубрики:
Рентгенолитография
МОП-транзисторы
Кл.слова (ненормированные): рентгенолитография -- моп-транзистор
Доп. точки доступа:
Силаков, М.В.
Бабушкин, Г.А.
Валиев, К.А.
Махвиладзе, Т.М.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Исследование численных моделей рассеяния электронов в твердой мишени применительно к высокоэнергетической электронной литографии / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 64 с. - Текст : непосредственный.Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный.
Мынбаев К.Д. Диффузионное и ионно-лучевое легирование Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Д. Мынбаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Тысченко И.Е. Высокотемпературная ионная имплантация в кремний : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физико-мат.наук:01.04.10 / И. Е. Тысченко, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Хаки Исмаиль Хаки Тахер.Воздействие радиационных дефектов на диффузию фосфора в имплантированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Хаки Исмаиль Хаки Тахер, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Белых Т.А. Особенности дефектообразования при имплантации ионов повышенной энергии в твердые тела : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Т. А. Белых, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Авдеев С.П. Разработка электронно-лучевой технологии изготовления малошумящих микроканальных пластин : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.05 / С. П. Авдеев, 1997. - 22 с. - Текст : непосредственный.Чернова Н.А. Примесные состояния иттербия в сплавах на основе теллурида свинца : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.09 / Н. А. Чернова, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щербакова Е.Н. Структурные и фазовые превращения в тонких пленках тугоплавких металлов и системах металл-полупроводник при обработке плазмой активных газов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. Н. Щербакова, 2000. - 20 с. - Текст : непосредственный.Барабаненков М.Ю. Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и оптические мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук:05.27.01 / М. Ю. Барабаненков, 2001. - 46 с. - Текст : непосредственный.Гумаров Г.Г. Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / Г. Г. Гумаров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Джабраилов Т.А. Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / Т. А. Джабраилов, 2001. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ефимов А.А. Технология и оборудование для ионно-вакуумной модификации поверхностных слоев полупроводниковых материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.11.14 / А. А. Ефимов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Изюмов М.О. Исследование процессов травления диоксида кремния, кремния, полимерных пленок в химически активной плотной плазме ВЧ индукционного разряда низкого давления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :05.27.01 / М. О. Изюмов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Стук А.А. Разработка технологии ядерного легирования монокристаллического кремния больших размеров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.05 / А. А. Стук, 2000. - 25 с. - Текст : непосредственный.Кабышев А.В. Ионно-термическая модификация неорганических диэлектриков : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.07 / А. В. Кабышев, 2001. - 42 с. - Текст : непосредственный.Лысенко Л.Н. Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / Л. Н. Лысенко, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный.Терентьев С.А. Разработка низкоэнергетического СВЧ вакуумно-плазменного травления структур микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.09.10,05.27.01 / С. А. Терентьев, 2002. - 16 c. - Текст : непосредственный.Бердников А.Е. Разработка и исследование технологии высокоскоростного осаждения аморфного гидрогенизированного кремния и его сплавов в плазме низкочастотного разряда : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / А. Е. Бердников, 2001. - 38 с. - Текст : непосредственный.Волкова С.М. Получение молекулярных пленок на основе тетракис-хелатных комплексов и аддуктов редкоземельных элементов и исследование их свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук :02.00.04 / С. М. Волкова, 2002. - 21 с. - Текст : непосредственный.Грушевский А.М. Монтаж многокристальных модулей на гибких полиимидных носителях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / А. М. Грушевский, 2002. - 53 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыNagel N. Losungswachstum von Siliziumschichten auf Siliziumdioxid und Charakterisierung der Schichten : Diss. / N.Nagel, 1993. - 140 S. - Текст : непосредственный.SIPMOS semiconductors, 1995. - 4 p. - Текст : непосредственный.Sekigawa T. study of new structure short channel MOS transistors / T.Sekigawa, 1991. - 110 p. - Текст : непосредственный.Emunds A. Dynamische und kinetische Eigenschaften eines quasi 2-dimensionalen Elektronengases : Diss. / A.Emunds, 1990. - 116 S. - Текст : непосредственный.Lancaster D. CMOS-Kochbuch : Ubersetzung vom Englisch / D.Lancaster, 1989. - Pag.var. - Текст : непосредственный. Majkusiak B. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS:Konsekwencje dla dzialania i modelowania / B.Majkusiak, 1991. - 117 p. - Текст : непосредственный.Лыньков Л.М. Субмикронная литография / Л.М.Лыньков,С.Л.Прищепа, 1999. - 205 с. - Текст : непосредственный.Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 1, 2002. - 413 с. - Текст : непосредственный.Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный.Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 2, 2004. - 535 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Croon J.A. Matching properties of deep sub-micron mos transistors / J. A. Croon, H. E. Maes, W. Sansen, 2005 r=on-lineNarendra S.G. Leakage in nanometer CMOS technologies / S. G. Narendra, A. Chandrakasan, 2006 r=on-line.Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Я. Красников, 2011. - 799 с. - Текст : непосредственный.Методы подавления короткоканальных эффектов в субмикронных MOS-транзисторах : учебное пособие / Г. В. Быкадорова, А. Н. Цоцорин, А. Е. Бормонтов, С. В. Авилов, 2021. - 116 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Отсчетные устройства в планшетном лазерном фотопостроителе растрового типа / А.М. Буфан, А.А. Иванов, А.А. Иванов и др., 1993. - 7 c. - Текст : непосредственный.Гайфуллин Б.Н. Система подготовки данных для электронно-лучевой литографии : Препринт / Б.Н.Гайфуллин, 1993. - 20 c. - Текст : непосредственный.Nd laser fifth harmonic interaction with polymer films / A.A.Babin,N.M.Bityurin,A.V.Polyakov и др., 1992. - 18 p. - Текст : непосредственный.Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Восстановление генерационного времени жизни носителей в МОП структуре на основе высокоомного кремния / Э.А.Асланов,А.А.Бейрамов,Э.А.Джафаров и др., 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Косцова Н.Э. Влияние модели расчета вольт-фарадных характеристик на определение параметров МДП-структур / Н. Э. Косцова, А. Н. Коршунов, Е. Г. Сальман, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Ивин В.В. Использование математического моделирования в исследовании, разработке и оптимизации фотолитографических процессов / В.В.Ивин,Т.М.Махвиладзе, 2000. - 30 c. - Текст : непосредственный.Ивин В.В. Исследование предельных возможностей использования оптической литографии в области критических размеров менее 0,2 мкм с помощью математического моделирования / В.В.Ивин,Т.М.Махвиладзе, 2000. - 21 с. - Текст : непосредственный.Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.2 / В.А.Высоцкий,О.И.Коньков,А.Г.Смирнов,Е.И.Теруков, 1989. - 31 с. - Текст : непосредственный.Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.1 / В.А.Высоцкий,О.И.Коньков,А.Г.Смирнов и др., 1989. - 47 с. - Текст : непосредственный.Масленицын С.Ф. Термическая активация процесса травления полимера при прямом рисовании лазерным лучом / С.Ф.Масленицын,В.Б.Световой, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный.Исследование численных моделей рассеяния электронов в твердой мишени применительно к высокоэнергетической электронной литографии / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 64 с. - Текст : непосредственный.Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный.Ким Д.А. Моделирование деформации жидкой оловянной капли в результате воздействия лазерного импульса / Д. А. Ким, И. Ю. Вичев, 2017. - 19 с.
Заказ фрагмента документа ₽