Приложение
для AndroidПолное описание
Блистанов, А. А. Материалы и компоненты функциональной электроники. Раздел "Точечные дефекты в оптических кристаллах" : курс лекций / А.А.Блистанов,В.В.Гераськин. - М. : МИСИС, 1990. - 147 с. : ил. - 145 экз. - 0.26 р. - Текст : непосредственный.
В надзаг.:Моск. ин-т стали и сплавов, Каф. кристаллографии. Библиогр.: с. 147 (8 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 621.383.002.3 |
Рубрики:
Оптоэлектронные приборы -- Материалы
Кл.слова (ненормированные): оптоэлектронный прибор -- материал
Доп. точки доступа:
Гераськин, В.В.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Ким Мен Хо.Выращивание объемных монокристаллов р-SiC(Al,N) для электролюминесцентных источников света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / Ким Мен Хо, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Афраилов М.А. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Афраилов, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Атаев Ж. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства пленок a-Si:H,полученных методами тлеющего разряда и распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. Атаев, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Калантарова З.С. Влияние электрооптических связей на функциональные возможности оптоэлектронных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / З. С. Калантарова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гурьянов А.А. Оптические исследования материалов,испытывающих фазовый переход со скачком проводимости : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / А. А. Гурьянов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Осипов М.Ю. Методы математического моделирования в САПР систем автоматизированного выращивания оптических кристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / М. Ю. Осипов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зейналов Э.З. Электрофизические и оптические свойства монокристаллов MnGa Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Э. З. Зейналов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучук Ж.С. Синтез и свойства кристаллов и пленок силленитов,содержащих ионы переходных элементов Cr ,Fe ,Co ,Ni : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Ж. С. Кучук, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Касимова Г.А. Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов (Ga S ) (Eu O ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Г. А. Касимова, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шефова И.А. Оптические и фотоэмиссионные свойства многощелочного фотокатода : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / И. А. Шефова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бекетов Г.В. Механизм формирования анодных пассивирующих покрытий и свойства пассивированной поверхности узкозонных полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Г. В. Бекетов, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багиров М.А. Двухфотонное поглощение света в узкощелевых полупроводниках и структурах на их основе с двумерным электронным газом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Багиров, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Остовская Н.В. Устойчивость нелинейных волн в диэлектрических и магнитных средах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Остовская, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Монастырский М.А. Методы возмущений в задачах анализа и синтеза эмиссионных электронно-оптических систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.03;01.04.04 / М. А. Монастырский, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный.Кононенко В.К. Кинетика неравновесных процессов в оптоэлектронных полупроводниковых структурах при мощном возбуждении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. К. Кононенко, 1992. - 37 с. - Текст : непосредственный.Кератишвили Н.Г. Исследование статистических свойств абсолютных измерителей квантовой эффективности фотоприемников,основанных на эффекте спонтанного параметрического рассеяния(СПР) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук:01.04.05 / Н. Г. Кератишвили, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Броневой И.Л. Обратимое пороговое просветление арсенида галлия под действием пикосекундного импульса света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Броневой, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Тютюнников Н.Н. Разработка автоматизированной системы расчета параметров процессов фото-и вторичной электронной эмиссии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Н. Н. Тютюнников, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Чернов Е.И. Структурные методы и средства оптимизации фотодиодных фотоприемных устройств как преобразователей информационно-измерительных систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.11.16 / Е. И. Чернов, 1992. - 34 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыTopochemical control in the solid-state conversion of cyclotrigallazane into nanocrystalline gallium nitride / J-W.Hwang,J.P.Campbell,J.Kozubowski и др., 1994. - 8 p. - Текст : непосредственный.Heat-treatment of AgGaS2 single crystals in sulfur atmosphere / Y.Noda,T.Kurasawa,H.Watanabe и др., 1992. - 63-68 p. p. - Текст : непосредственный.Pisarkiewicz T. Amorphous silicon-carbon and silicon-germanium alloys as optoelectronic materials / T.Pisarkiewicz, 1996. - 155 p. - Текст : непосредственный.Materials for optoelectronics / сост.ed. M. Quillec, 1996. - XII,377 p. p. - Текст : непосредственный.Селенид цинка: получение и оптические свойства / Н.К.Морозова,В.А.Кузнецов,В.Д.Рыжиков и др., 1992. - 95 с. - Текст : непосредственный.Kruger M. Mikrostrukturierung von porosem Silicium fur optische und optoelektronische Anwendungen : Diss. / M.Kr@:uger, 1998. - XII,138 S. S. - Текст : непосредственный.Stapinski T. Amorphous and microcrystalline silicon-based alloys for device application / T.Stapinski, 1999. - 161 p. - Текст : непосредственный.Будагян Б.Г. Материалы твердотельной электроники : Учеб.пособие / Б.Г.Будагян,А.А.Шерченков, 1999. - 118 с. - Текст : непосредственный.Северин В.С. Стимулированная светом диффузия в светочувствительной системе халькогенидный стеклообразный полупроводник-металл / В.С.Северин, 1990. - 24 c. - Текст : непосредственный.Кузнецов В.В. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов / В. В. Кузнецов, П. П. Москвин, В. С. Сорокин, 1991. - 174 с. - Текст : непосредственный.Стеклообразные полупроводники для оптоэлектроники : Сб. ст. / АН ССРМ, Ин-т прикл. физики, 1991. - 198 c. - Текст : непосредственный.Beitrage der Materialentwicklung fur die Halbleiteroptoelektronik / ed. H. S. Leipner, 1989. - 96 S. - Текст : непосредственный.Growth of AgGaS2 single crystals by chemical transport reaction / Y.Noda,T.Kurasawa,N.Sugai и др., 1990. - 6(757-761) p. p. - Текст : непосредственный.Оптоэлектронные материалы : Сб. науч. тр. / Редкол.: Ю. М. Таиров (гл. ред.) и др., 1989. - 102 c. - Текст : непосредственный.Каменская А.В. Новые полупроводниковые материалы оптоэлектроники : Учеб. пособие / А.В.Каменская, 2000. - 52 с. - Текст : непосредственный.Блистанов А.А. Материалы и компоненты функциональной электроники. Раздел "Точечные дефекты в оптических кристаллах" : Курс лекций / А.А.Блистанов,В.В.Гераськин, 1990. - 147 с. - Текст : непосредственный.Казаков В.Д. Материалы оптоэлектроники : Текст лекций / В.Д.Казаков, 2003. - 51 с. - Текст : непосредственный.Материалы микро- и оптоэлектроники и радиокомпоненты : учеб. пособие / В. Д. Казаков, 2005. - 256 с. - Текст : непосредственный.Topics in applied physics / ed. C. E. Ascheron. Vol. 124 : Rare-earth doped III-nitrides for optoelectronic and spintronic applications / ed.: K. O'Donnell, V. Dierolf, 2010. - XVI, 355 p. - Текст : непосредственный.Томилин М.Г. Фотоника жидких кристаллов / М. Г. Томилин, Г. Е. Невская, 2011. - 740 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДубков В.П. Зона локализованных состояний в сплавах Pb -Sn Se,облученных электронами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.09 / В. П. Дубков, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Ким Мен Хо.Выращивание объемных монокристаллов р-SiC(Al,N) для электролюминесцентных источников света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / Ким Мен Хо, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Атаев Ж. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства пленок a-Si:H,полученных методами тлеющего разряда и распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. Атаев, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гурьянов А.А. Оптические исследования материалов,испытывающих фазовый переход со скачком проводимости : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / А. А. Гурьянов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Осипов М.Ю. Методы математического моделирования в САПР систем автоматизированного выращивания оптических кристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / М. Ю. Осипов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зейналов Э.З. Электрофизические и оптические свойства монокристаллов MnGa Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Э. З. Зейналов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучук Ж.С. Синтез и свойства кристаллов и пленок силленитов,содержащих ионы переходных элементов Cr ,Fe ,Co ,Ni : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Ж. С. Кучук, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Касимова Г.А. Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов (Ga S ) (Eu O ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Г. А. Касимова, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Кононенко В.К. Кинетика неравновесных процессов в оптоэлектронных полупроводниковых структурах при мощном возбуждении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. К. Кононенко, 1992. - 37 с. - Текст : непосредственный.Броневой И.Л. Обратимое пороговое просветление арсенида галлия под действием пикосекундного импульса света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Броневой, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Цисарь И.В. Фотоэлектрические и контактные явления в монокристаллах Bi SiO : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / И. В. Цисарь, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Овчинников В.А. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InAlGaAsSb в поле температурного градиента : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / В. А. Овчинников, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный.Коростелин Ю.В. Выращивание монокристаллов халькогенидов цинка и твердых растворов халькогенидов цинка и кадмия для оптоэлектронных приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Ю. В. Коростелин, 1994. - 23 с. - Текст : непосредственный.Гасанова Р.Н. Закономерности роста эпитаксиальных слоев CdTe на Al O ,GaAs и исследование их адсорбционно-десорбционных характеристик : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Р. Н. Гасанова, 1994. - 21 с. - Текст : непосредственный.Потачев С.А. Исследование диффузионно-дрейфовых процессов в оксидах свинца фотоэлектрическими методами : Дис. в виде науч. докл. на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. А. Потачев, 1995. - 48 с. - Текст : непосредственный.Авдиенко К.И. Получение,модификация,свойства кристаллов для акусто- и оптоэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.06 / К. И. Авдиенко, 1996. - 38 с. - Текст : непосредственный.Казаков В.В. Твердые растворы AlGaInAsP на основе GaAs и InP полученные в поле температурного градиента и их свойства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / В. В. Казаков, 1996. - 16 с. - Текст : непосредственный.Германенко И.Н. Оптические свойства твердотельных наноструктур и автоматизация спектроскопических измерений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.05 / И. Н. Германенко, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бутко В.Ю. Высокочастотные и оптические свойства ультратонких нитей и трехмерных решеток наноструктур проводников и полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.07 / В. Ю. Бутко, 1997. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽