Приложение
для AndroidПолное описание
Сологуб, Л. В. Формирование и релаксация напряженно-деформированного состояния кремния при изготовлении изделий электронной техники : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Л. В. Сологуб. - Минск : [б. и.], 1994. - 20 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг.:Белорус.гос.ун-т.Библиогр.:с.19-20 (15 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382-047.84(043) | |
| 621.384.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкф.
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыХарламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Компьютерное моделирование процессор роста полупроводниковых соединений А В в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Г. Э. Цырлин, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Алиев В.Ш. Исследование взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью кремния при воздействии ионного облучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / В. Ш. Алиев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Процессы низкотемпературного окисления металлов и полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / В. П. Пархутик, 1991. - 40 с. - Текст : непосредственный.Столер В.А. Разработка процесса ультразвукового электрохимического формирования элементов электронных средств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. А. Столер, 1992. - 24 с. - Текст : непосредственный.Ефремова Н.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых соединений А В локальными зонами (на примере арсенида галлия) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Н. П. Ефремова, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Слепцов В.В. Анизотропные, низкотемпературные, вакуумные, ионно-стимулированные процессы, оборудование и технология для производства ИЭТ, оптики и приборостроения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.06 / В. В. Слепцов, 1992. - 45 с. - Текст : непосредственный.Левченко В.М. Упруго-пластические и разрывные реакции при механической обработке арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / В. М. Левченко, 1992. - 31 с. - Текст : непосредственный.Лукашев А.В. Разработка процесса и оборудования односторонней шовной контактной сварки тонкостенных корпусов электронных приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:06.03.06 / А. В. Лукашев, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Минаева Н.И. Разработка процесса герметизации лазерной сваркой корпусов приборов из алюминиевых сплавов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.03.06 / Н. И. Минаева, 1993. - 21 с. - Текст : непосредственный.Эмексузян В.М. Геттерирование и пассивация примесей и радиационных дефектов в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. М. Эмексузян, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Крупенников О.Г. Повышение эффективности операции разрезания заготовок из полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины алмазными отрезными кругами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.02.08 / О. Г. Крупенников, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шульга В.Г. Повышение точности обработки пластин кремния диаметром 150 мм на операциях доводки и полирования в условиях серийного производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.11.14 / В. Г. Шульга, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сологуб Л.В. Формирование и релаксация напряженно-деформированного состояния кремния при изготовлении изделий электронной техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Л. В. Сологуб, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Перевощиков В.А. Физико-химические процессы химико-динамического полирования полупроводников (кремний, германий, полупроводниковые соединения типа А В ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук:02.00.04 / В. А. Перевощиков, 1994. - 57 с. - Текст : непосредственный.Терещенко А.М. Моделирование аэротермодинамических процессов в чистых помещениях при производстве интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.07:05.27.01 / А. М. Терещенко, 1996. - 33 с. - Текст : непосредственный.Зюрюкин А.В. Компьютерное моделирование процессов распространения и осаждения аэрозольных частиц в локальных чистых объемах микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / А. В. Зюрюкин, 1996. - 29 с. - Текст : непосредственный.Науменко Э.В. Применение математических моделей для выбора оптимальных параметров управления технологическим процессом постимплантационного отжига полупроводниковых структур: На прим. InSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.13.16:05.27.06 / Э. В. Науменко, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Кукоз В.Ф. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в системе кремний-германий : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / В. Ф. Кукоз, 1998. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кундас С.П. Формирование элементов электронных приборов из тугоплавких материалов ультразвуковыми и плазменными методами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.07 / С. П. Кундас, 1998. - 46 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽