Приложение
для AndroidПолное описание
Самсоненко, Б. Н. Электрохимические процессы обработки поверхности полупроводника и формирования в технологии полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Б. Н. Самсоненко. - М. : [б. и.], 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Моск. гос. ин-т электрон. техники (Техн. ун-т). Библиогр.:с.25-28 (33 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.323.002(043) | |
| 47.13.11 |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкф.
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАндриевский В.В. Исследование физических процессов в кремниевых МДП-структурах,стимулированных ионно-имплантированными и термическими воздействиями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Андриевский, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Падеров В.П. Исследование границы раздела диэлектрик-полупроводник с целью разработки плазмохимического процесса для формирования МДП структур на соединениях А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. П. Падеров, 1994. - 23 с. - Текст : непосредственный.Самсоненко Б.Н. Электрохимические процессы обработки поверхности полупроводника и формирования в технологии полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Б. Н. Самсоненко, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный.Крылов Д.Г. Кинетика накопления и отжига радиационных центров в физических областях кремниевых комплементарных МОП структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. Г. Крылов, 1990. - 26 с. - Текст : непосредственный.Aidam R. Untersuchung des epitaktischen Wachstums dunner Pb(Zr0,52Ti0,48)03-Schichten und ihre Anwendung in ferroelektrischen supraleitenden Feldeffekttransistoren : Diss. / R.Aidam, 1999. - 92 S. - Текст : непосредственный.Белов И.В. Многоуровневое моделирование механизмов и кинетики роста пленок оксидов металлов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / И. В. Белов, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Буробин В.А. Организация и обеспечение эффективного функционирования промышленно-инновационной системы серийного производства новых разработок мощных полевых транзисторов на арсениде галлия : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.02.22 / В. А. Буробин, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽