Полное описание
>
Симакин, С. Г. Вторично-ионная масс-спектрометрия тонкопленочных структур микроэлектронной технологии : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. Г. Симакин. - Черноголовка : [б. и.], 1995. - 23 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Рос.АН.Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов. Библиогр.:с.22-23(15 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.3.049.76.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкф.
Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Чон Сек Хен.Автоматизированное проектирование топологии аналого-цифровых интегральных схем РЭС на персональных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.13 / Чон Сек Хен, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Руководство по работе с системой MIT 4 / ВЦП. - 151 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Оскар Хосе Араика Ривера.Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы, модель DAD-2H/6T, DAD-2H/6TM (Часть II) / ВЦП. - 124 c. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы.В 2-х кн. / ВЦП. - 106 с. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Суетин Н.В. Теоретическое исследование газовых разрядов,используемых в плазменной микротехнологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. В. Суетин, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коваль Ю.И. Исследование особенностей воздействия ионного облучения на свойства полимерных масок в процессах микроструктурирования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. И. Коваль, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Б. Волков, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разряд-ионизация кадмия на поверхности CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. В. Никифоров, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Аршук Е.П. Автоматизация финишной обработки выпрямительных полупроводниковых диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.07 / Е. П. Аршук, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Попов Г.В. Теоретические основы синтеза технологического оборудования с аэродинамическими прослойками при автоматизации производства изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.07,05.27.07 / Г. В. Попов, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Кривошеев Ю.К. Процессы тепло- и массопереноса в технологиях газофазного синтеза материалов для волоконной оптики и микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / Ю. К. Кривошеев, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЛеонов Ю.С. Взаимодействие наносекундных потоков энергии из высокотемпературной плазмы с материалами микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.10 / Ю. С. Леонов, 1990. - 30 с. - Текст : непосредственный.Бакланов М.Р. Гетерогенные реакции в процессах травления материалов микроэлектроники Si,Ge и SiO : Дис..д-ра хим.наук в форме науч.докл:02.00.04 / М. Р. Бакланов, 1991. - 47 с. - Текст : непосредственный.Нечипорук Б.Д. Эффекты структурного разупорядочения в спектрах комбинационного рассеяния света кристаллического и аморфного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Б. Д. Нечипорук, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Филин С.А. Технология высокоэффективной очистки твердотельных микроэлектронных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / С. А. Филин, 1992. - 20 с. - Текст : непосредственный.Чапланов А.М. Стационарный и импульсный отжиг тонких пленок : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:05.27.01 / А. М. Чапланов, 1992. - 32 с. - Текст : непосредственный.Казаков А.И. Исследование устойчивости технологических процессов микроэлектроники и многокомпонентных полупроводниковых материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.06 / А. И. Казаков, 1992. - 36 с. - Текст : непосредственный.Медведев Б.К. Молекулярно-лучевая эпитаксия Ga As и гетероструктур GaAs/AlGaAs для приборов микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.10:05.27.01 / Б. К. Медведев, 1992. - 81 с. - Текст : непосредственный.Буравлев А.В. Стимулированная точечными дефектами твердофазная эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния и перестройка дефектов в ионно-имплантированных слоях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. В. Буравлев, 1992. - 22 с. - Текст : непосредственный.Миррахматов С.Ш. Повышение механической устойчивости структурно-неоднородных паяных соединений элементов микроэлектронных устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / С. Ш. Миррахматов, 1992. - 22 с. - Текст : непосредственный.Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Б. Волков, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Варцов В.В. Технология электроосаждения алюминия из неводных электролитов на выводные рамки электронных приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук (в форме науч.докл.):05.27.07 / В. В. Варцов, 1993. - 33 с. - Текст : непосредственный.Гуляев А.А. Разработка методов и средств автоматизации технологических процессов ультразвуковой микросварки изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук (в форме науч.докл.) / А. А. Гуляев, 1993. - 32 с. - Текст : непосредственный.Радаев А.А. Разработка статистического метода контроля дефектности рабочих пластин на основе моделирования выхода годных и его применение при анализе и прогнозировании производства изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук : 05.27.01 / А. А. Радаев, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Симакин С.Г. Вторично-ионная масс-спектрометрия тонкопленочных структур микроэлектронной технологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. Г. Симакин, 1995. - 23 с. - Текст : непосредственный.Васильев А.Г. Исследование одностадийных низкотемпературных процессов формирования силицидных контактных и нитридных барьерных слоев для технологии микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. Г. Васильев, 1995. - 35 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.С. Высокочастотный разряд и его приложения в плазменной технологии и лазерной технике : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / А. С. Смирнов, 1995. - 29 с. - Текст : непосредственный.Михалев П.А. Технология изготовления упругих элементов клавиатур микроэлектроники из силоксановых композиций : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 02.00.16 / П. А. Михалев, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Илларионов О.И. Статистическое регулирование технологических процессов изготовления микроэлектронных устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук: 05.12.13 / О. И. Илларионов, 1996. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гельбух С.С. Исследование процессов роста субмикронных слоев на поверхности монокристаллов ниобия и кремния методом оже-электронной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.10 / С. С. Гельбух, 1996. - 14 с. - Текст : непосредственный.Гринько В.В. Локальная модификация поверхности проводящих материалов в туннельном микроскопе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. В. Гринько, 1996. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽