Приложение
для AndroidПолное описание
Diodes : discrete semiconductors. - Englewood(Co) : [s. n.]. - ISSN 1040-0249. - Текст : непосредственный.
Ed. 57,Vol.1. - 1990. - 1059 p. - 50.00 р.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.2(05) |
Рубрики:
Диоды полупроводниковые
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыEranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 59, 1992. - 109,B1-D18 p. p. - Текст : непосредственный.Минарский А.М. Transverse stability and inhomogeneous dynamics of fasr impact ionization waves in diode structures / А.М.Минарский,П.Б.Родин, 1995. - 40 p. - Текст : непосредственный.Минарский А.М. Поперечная устойчивость и неоднородная динамика быстрых ударно-ионизационных волн в диодных структурах / А.М.Минарский,П.Б.Родин, 1995. - 40 c. - Текст : непосредственный.SIPMOS semiconductors, 1995. - 4 p. - Текст : непосредственный.Шухостанов А.К. Лавинно-пролетные диоды: физика, технология, применение / А.К.Шухостанов, 1997. - 208 с. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Физические основы радиоэлектроники. Полупроводниковые диоды : Учеб. пособие по курсу "Элемент. база радиоэлектроники" / М.Д.Воробьев;Под ред.А.А.Жигарева, 1992. - 80 с. - Текст : непосредственный.Ким Ун Се.Стабильность термометрических характеристик полупроводниковых диодов при криогенной температуре / Ким Ун Се,В.И.Дацков, 1991. - 8 с. - Текст : непосредственный.Zutphen T.van avalanche electron emitting diode in gallium arsenide : Diss. / T.van Zutphen, 1990. - 124 p. - Текст : непосредственный. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами / А.А.Ровдо, 2000. - 286 с. - Текст : непосредственный.Бабаян Р.Р. Диодно-резистивные структуры на основе аморфных металлических пленок : Препринт / Р.Р.Бабаян,В.П.Морозов, 2001. - 29 с. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Update, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.1, 1990. - 1059 p. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.2, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Report series / Univ. of Auckland. Dep.of mathematics . 537 : Dirichlet-to Neumann techniques for the plazma-waves in a slot-diod / A.B.Mikhailova, B.S.Pavlov, V.I.Ryzhii, 2005. - 27 p. - Текст : непосредственный.Волкова Е.В. Полупроводниковые диоды : учеб. пособие / Е. В. Волкова, С. В. Оболенский, 2014. - 108 с.Ионычев В.К. Механизмы формирования вольт-амперных характеристик кремниевых лавинных диодов : монография / В. К. Ионычев, 2017. - 99 с.Девонисский В.Ю. Из опыта применения германиевых диодов / В. Ю. Девонисский, 1959. - 32, [3] с. - Текст : непосредственный.Никифоров, Игорь Кронидович. Радиоэлектронная и силовая электронная аппаратура. Диодные и тиристорные структуры, их применение : учебное пособие / И. К. Никифоров, 2021. - 683 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Никитин, Юрий Александрович. Электроника и схемотехника. Полупроводниковые диоды : учебное пособие / Ю. А. Никитин, В. А. Юрова, 2022. - 69 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Показать все результатыDiodes : Discrete semiconductors. Ed. 59, 1992. - 109,B1-D18 p. p. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Update, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.1, 1990. - 1059 p. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.2, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽