Приложение
для AndroidПолное описание
Demel, Th. Ein-und nulldimensionale elektronische Systeme in AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen : Diss / Th.Demel. - Stuttgart : [s. n.], 1990. - 120 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с.112-118
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592.9(043) | |
| 47.33 |
Рубрики:
Гетероструктуры
Кл.слова (ненормированные): гетероструктура
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Микроструктура керамики, обладающей высокой теплопроводностью / Ин-т сверхтвердых материалов. - 12 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Сальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. О. Сальник, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыSchapers T. Ablenkung ballistischer Elektronen in ALGaAs/GaAs-Heterostrukturen mittels elektrischer und magnetischer Felder : Diss. / T.Sch@:apers, 1992. - 113 S. - Текст : непосредственный.Heberle A.P. Piko-und Femtosekundendynamik von Tunnelprozessen in Halbleiterheterostrukturen : Diss. / A.P.Heberle, 1993. - 106 S. - Текст : непосредственный.Dahmen M. Untersuchungen des Elektronentransports in Ge/GaAs-Heterostrukturen : Diss. / M.Dahmen, 1993. - 112 S. - Текст : непосредственный.Бушуев В.А. Физические принципы рентгенодифрактометрического определения параметров реальной структуры многослойных эпитаксиальных пленок / В.А.Бушуев,Р.Н.Кютт,Ю.П.Хапачев;Под ред.Ю.П.Хапачева, 1996. - 280 c. - Текст : непосредственный.Notzel R. Direktsynthese und elektronische Eigenschaften von korrugierten Ubergittern und Heterostrukturen auf nicht-(100)- orientierten GaAs- Oberflachen : Diss. / R.N@:otzel, 1992. - 109 S. - Текст : непосредственный.Ядерно-спектрометрические и фотоэлектрические свойства аморфно-кристаллических гетероструктур / Н.П.Афанасьева,А.М.Данишевский,А.В.Дербин и др., 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Demel Th. Ein-und nulldimensionale elektronische Systeme in AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen : Diss / Th.Demel, 1990. - 120 S. - Текст : непосредственный.Зависимость -фактора двумерных электронов гетероструктуры Ga1-x Alx As-GaAs от магнитного поля / Д.Ю.Родичев,С.М.Чудинов,Д.Манчини,С.Стицца, 1990. - 5 c. - Текст : непосредственный.Sutandi A. Electronic structure of dynamically two-dimensional hole gas in AlGaN/GaN heterostructures / A.Sutandi,P.P.Ruden,K.F.Brennan, 2002. - 3435-3443 p. p. - Текст : непосредственный.Карамов Ф.А. Суперионные проводники. Гетероструктуры и элементы функциональной электроники на их основе / Ф.А.Карамов, 2002. - 237 с. - Текст : непосредственный.Физика материалов и структур сверхпроводящей и полупроводниковой спиновой электроники / А.С. Борухович, 2004. - 175 с. - Текст : непосредственный.Физические основы микроэлектроники. Полупроводниковые гетероструктуры в микро- и наноэлектронике : учеб. пособие / Г. Н. Шелованова, 2005. - 175 с. - Текст : непосредственный.Аналитическое определение потенциала удержания и константы связи спин-орбитального взаимодействия электронов в наноструктурах / М. Динейхан, С.А. Жаугашева, Ж.К. Калкозова , 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный.Зонные энергетические диаграммы гетероструктур на основе материалов А3В3 и их твердых растворов / В. И. Корольков, 2005. - 25 с. - Текст : непосредственный.Tlaczala M. Epitaksja movpe w technologii heterostruktur zwiazkow aiiibv / M.Tlaczala, 2002. - 198 s. - Текст : непосредственный.Berichte / Hahn-Meitner-Inst. B 611 : Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts : Diss. / L. Korte, 2006. - II, 170 S. - Текст : непосредственный.Гетероструктурная наноэлектроника : учеб. пособие / А. Н. Ковалев, 2009. - 154 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7493 : Lokaler und nichtlokaler Transport in Normalleiter-Supraleiter-Heterostrukturen : Diss. / J. Brauer, 2009. - IV, 89 S. - Текст : непосредственный.Мокеров В.Г. Научное наследие / В. Г. Мокеров, 2010. - 607 с. - Текст : непосредственный.Кутвицкий, В. А. Гетероструктуры на основе висмутсодержащих оксидных фаз и их использование в целях аналитического контроля. Ч. 1 : Гетероструктуры на основе висмутсодержащих кристаллических фаз и их использование в качестве сенсорных материалов, 2012. - 190 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАнаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Быков А.А. Свойства мезоскопических систем в микроволновом поле : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / А. А. Быков, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Гуменюк-Сычевская Ж.В. Электронные свойства структур с квантовыми ямами Pb Te/Pb Sn Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. В. Гуменюк-Сычевская, 1991. - 14 14с. - Текст : непосредственный.Крючков С.В. Влияние сильных внешних полей на электронные свойства квантовых сверхрешеток : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / С. В. Крючков, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.Берил С.И. Исследование состояний электрон-фононных и электрон-дырочно-фононных систем на контакте двух сред,в многослойных структурах и в сверхрешетках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / С. И. Берил, 1991. - 32 с. - Текст : непосредственный.Хачатуров А.И. Нелинейные эффекты в проводимости неоднородных сверхпроводящих и нормальных туннельных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / А. И. Хачатуров, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.До Куок Хунг.Получение фоточувствительных гетероструктур nITO/pInP и исследование их электрофизических свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук:01.04.10 / До Куок Хунг, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сабер Саид Мадкур.Кинетические эффекты в тонких пленках и в многослойных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.02 / Сабер Саид Мадкур, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Гаджико Мамаду Алиу.Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnTe(Se) -CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Гаджико Мамаду Алиу, 1990. - 11 с. - Текст : непосредственный.Садаев Бури.Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs Cr ,Al Ga As Cr методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Садаев Бури, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Гашимзаде Н.Ф. Локализованные состояния электронов и светоэкситонов на дефектах полупроводниковой сверхрешетки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Н. Ф. Гашимзаде, 1990. - 24 с. - Текст : непосредственный.Болотин И.Л. Исследование систем полупроводники A B (110)+Ag в интервале температур 10-300 К : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / И. Л. Болотин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Белоконов А.Н. Физико-химические процессы в структурах на основе аморфного гидрирования кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. Н. Белоконов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Жилин В.М. Исследование систем Si(111)-2x1+Ag и Ge(111)-2x1+Ag в диапазоне температур 10-300К : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / В. М. Жилин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Орлов Л.К. Электронные процессы в многослойных структурах с квантовыми ямами и в сверхрешетках в сильных полях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.07 / Л. К. Орлов, 1991. - 38 с. - Текст : непосредственный.Заак Хосин.Переходы неравновесных электронов в CuJnSe и Cu Jn Se и гетеропереходах на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Заак Хосин, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сванидзе Т.М. Исследование свойств гетеропереходов сильновырожденный полупроводник р-CU S-n-полупроводник : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Т. М. Сванидзе, 1990. - 21 с. - Текст : непосредственный.Дричко И.Л. Акустические свойства полутораокиси ванадия и антимонида индия в окрестности перехода металл-диэлектрик : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Дричко, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Тимофеев М.П. Низкотемпературная электронная кинетика и переход металл-изолятор в 6Н-Si:N : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. П. Тимофеев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽