• ВХОД

    •  

    Полное описание

    R/17401/2001/34
     Electronic and crystal structure of fully strained LaNiO3 films / A.Yu.Dobin,K.R.Nikolaev,I.N.Krivorotov и др. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2001. - 11 p. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 2001/34). - 10.00 р. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.:c.6-7
    ГРНТИ УДК
    31.17.15546.654.02

    Рубрики:
    Лантан, соединения -- Строение

    Кл.слова (ненормированные): лантан
    Аннотация: First-principles band structure calculations have been used to investigate epitaxially strained LaNiO3 films. Experimentally, tensile biaxial strain has been realized in pseudomorphic LaNiO3 films grown on SrTiO3 (001) substrates using ozone-assisted molecular beam epitaxy. Measured and calculated out-of-plane lattice parameters are in excellent agreement. This demonstrates the viability of the computational method as well as the high quality of the films.
    Доп. точки доступа:
    Dobin, A.Yu.
    Nikolaev, K.R.
    Krivorotov, I.N.
    Wentzcovitch, R.M.
    Экз-ры полностью R/17401/2001/34
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)
    Обложка



    Заказ фрагмента документа ₽