Приложение
для AndroidПолное описание
Ion beam processing of advanced electronic materials : symp.on ion beam processing of advanced electronic materials, San Diego(Ca), Apr.25-27, 1989 / сост.ed. N. W. Cheung. - Pittsburgh, Pa : Materials research soc., 1989. - XI, 401 p. 401 p. : ill. - (Symposia proceeding / Materials research soc., ISSN 0272-9172 ; n147). - ISBN 1-55899-020-8 : 31.70 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр. в конце гл. Указ.: с. 939-401
Перевод заглавия: Дефекты в материалах электронной чистоты:Труды симп. Бостон, 1987
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.315.592.002:669(063) |
Рубрики:
Ионное внедрение -- Съезды и конференции
Кл.слова (ненормированные): ионное внедрение
Доп. точки доступа:
Cheung, N.W.\ed.\
Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ХР (1), (2)
Свободны: ХР (1), (2)
Копия:
Intermetallic matrix composites III : 3 Symp.,Apr.4-6,1994,San Francisco(Ca) / ed. J. A. Graves, 1994. - IX,314 p. p. - Текст : непосредственный.Scientific basis for nuclear waste management XX : Symp.held Dec.2-6,1996,Boston(Ma) / Ed.: W. J. Gray, I. R. Triay, 1997. - XXV,1362 p. p. - Текст : непосредственный.Solid state ionics : Symp., Nov.28 - Dec.2, 1988, Boston(Ma)Mfiche / сост.ed. G. Nazri, 1989. - XII,620 p. p. - Текст : непосредственный.New materials approaches to tribology: Theory and applications : Symp., Nov. 29-Dec. 2, 1988, Boston(Ma)Mfiche / ed. L. E. Pope, 1989. - XIII,524 p. p. - Текст : непосредственный.Phase transitions in condensed systems-experiments and theory : Symp.held Dec.5-6, 1985, Boston(Ma) / ed. G. S. Cargill(III), 1987. - XVI,559 p. p. - Текст : непосредственный.Advanced surface processes for optoelectronics : Symp.on advanced surface processess for optoelectronics, Apr.5-8, 1988, Reno(Nv) / сост.ed. S. L. Bernasek, 1988. - IX,318 p. p. - Текст : непосредственный.Heteroepitaxy on silicon : Heteroepitaxy on silicon: Fundamentals, structure, and devices: Symp.on Heteroepitaxy on silicon.. Apr.5-8, 1988, Reno(Nv) / ed. H. K. Choi, 1988. - XV, 541 p. 541 p. - Текст : непосредственный.Chemistry and defects in semiconductor heterostructures : Symp.on chemistry and defects in semiconductor heterostructures, Apr.24-27, 1989, San Diego(Ca) / ed. M. Kawabe, 1989. - XI, 464 p. 464 p. - Текст : непосредственный.Optical materials: Processing and science : Symp.on optical materials: Processing and scienceheld, Apr. 24-26, 1989, San Diego(Ca) / ed. D. B. Poker, ed. C. Ortiz, 1989. - XIII, 298 p. 298 p. - Текст : непосредственный.Polysilicon films and interfaces : Symp.on polysilicon films and interfaces, Dec.1-3, 1987, Boston(Ma) / ed. A. Wong, 1988. - 369 p. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : Symp.on ion beam processing of advanced electronic materials, San Diego(Ca), Apr.25-27, 1989 / сост.ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.High temperature superconductors : High temperature superconductors: relationships between properties, structure, and solid-state chemistry: Symp.on high temperature superconductors.., Apr.25-28,1989, San Diego(Ca) / ed. J. D. Jorgensen, 1989. - IX, 402 p. 402 p. - Текст : непосредственный.Materials stability and environmental degradation : Symp.on materials stability and environmental degradation, Apr.5-7, 1988, Reno(Nv) / ed. A. Barkatt, 1988. - XI, 421 p. 421 p. - Текст : непосредственный.Microstructure and properties of catalysts : Symp.on microstructure and properties of catalysts, Nov.30-Dec.3, 1987, Boston(Ma) / ed. M. M.J. Treacy, 1988. - XI, 476 p. 476 p. - Текст : непосредственный.Better ceramics through chemistry III : Symp.on 3.better ceramics through chemistry, Apr.5-8, 1988, Reno(Nv) / ed. C. J. Brinker, 1988. - XV, 847 p. 847 p. - Текст : непосредственный.Microstructural development during hydration of cement : Symp.held Dec.2-4, 1986, Boston(Ma) / ed. L. J. Struble, 1987. - XV, 329 p. 329 p. - Текст : непосредственный.Processing science of advanced ceramics : Symp.on processing science of advanced ceramics, Apr.27-28,1989, San Diego(Ca) / ed. I. A. Aksay, 1989. - XI, 387 p. 387 p. - Текст : непосредственный.Interfaces between polymers, metals, and ceramics : Symp.on interfaces between polymers, metals, and ceramics, Apr. 25-27, 1989, San Diego(Ca) / ed. B. M. DeKoven, 1989. - XIII, 426 p. 426 p. - Текст : непосредственный.Microwave processing of materials : Symp.on microwave processing of materialsheld Apr. 5-8, Reno(Nv) / сост.ed. W. H. Sutton, 1988. - XI, 399 p. 399 p. - Текст : непосредственный.
Мынбаев К.Д. Диффузионное и ионно-лучевое легирование Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Д. Мынбаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Тысченко И.Е. Высокотемпературная ионная имплантация в кремний : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физико-мат.наук:01.04.10 / И. Е. Тысченко, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Хаки Исмаиль Хаки Тахер.Воздействие радиационных дефектов на диффузию фосфора в имплантированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Хаки Исмаиль Хаки Тахер, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Белых Т.А. Особенности дефектообразования при имплантации ионов повышенной энергии в твердые тела : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Т. А. Белых, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Авдеев С.П. Разработка электронно-лучевой технологии изготовления малошумящих микроканальных пластин : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.05 / С. П. Авдеев, 1997. - 22 с. - Текст : непосредственный.Чернова Н.А. Примесные состояния иттербия в сплавах на основе теллурида свинца : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.09 / Н. А. Чернова, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щербакова Е.Н. Структурные и фазовые превращения в тонких пленках тугоплавких металлов и системах металл-полупроводник при обработке плазмой активных газов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. Н. Щербакова, 2000. - 20 с. - Текст : непосредственный.Барабаненков М.Ю. Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и оптические мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук:05.27.01 / М. Ю. Барабаненков, 2001. - 46 с. - Текст : непосредственный.Гумаров Г.Г. Ионно-лучевой синтез силицидов металлов подгруппы железа в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / Г. Г. Гумаров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Джабраилов Т.А. Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / Т. А. Джабраилов, 2001. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ефимов А.А. Технология и оборудование для ионно-вакуумной модификации поверхностных слоев полупроводниковых материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.11.14 / А. А. Ефимов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Изюмов М.О. Исследование процессов травления диоксида кремния, кремния, полимерных пленок в химически активной плотной плазме ВЧ индукционного разряда низкого давления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :05.27.01 / М. О. Изюмов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Стук А.А. Разработка технологии ядерного легирования монокристаллического кремния больших размеров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.05 / А. А. Стук, 2000. - 25 с. - Текст : непосредственный.Кабышев А.В. Ионно-термическая модификация неорганических диэлектриков : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.07 / А. В. Кабышев, 2001. - 42 с. - Текст : непосредственный.Лысенко Л.Н. Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / Л. Н. Лысенко, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный.Терентьев С.А. Разработка низкоэнергетического СВЧ вакуумно-плазменного травления структур микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.09.10,05.27.01 / С. А. Терентьев, 2002. - 16 c. - Текст : непосредственный.Бердников А.Е. Разработка и исследование технологии высокоскоростного осаждения аморфного гидрогенизированного кремния и его сплавов в плазме низкочастотного разряда : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / А. Е. Бердников, 2001. - 38 с. - Текст : непосредственный.Волкова С.М. Получение молекулярных пленок на основе тетракис-хелатных комплексов и аддуктов редкоземельных элементов и исследование их свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук :02.00.04 / С. М. Волкова, 2002. - 21 с. - Текст : непосредственный.Грушевский А.М. Монтаж многокристальных модулей на гибких полиимидных носителях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / А. М. Грушевский, 2002. - 53 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыPapers from the third International workshop on the measurement and characterization of ultra-shallow doping profiles in semiconductors and papers from the third International workshop on advanced plasma tools.. / International workshop on the measurement and characterization of ultra-shallow doping profiles in semiconductors (3 ; 1995 ; S.l.) , 1996. - A24,583 p. p. - Текст : непосредственный.III Всесоюзная конференция "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники" : Программа и тезисы докл.,Новосибирск,4-6 июня 1991 г. / "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники",всесоюзная конф. (3 ; 1991 ; Новосибирск) , 1991. - 149 с. - Текст : непосредственный.Papers from the fifth International workshop on the measurement, characterization, and modeling of ultra-shallow doping profiles in semiconductors / International workshop on the measurement, characterization, and modeling of ultra-shallow doping profiles in semiconductors (5 ; [1999] ; S.l.) , 2000. - A15,606 p. p. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : Symp.on ion beam processing of advanced electronic materials, San Diego(Ca), Apr.25-27, 1989 / сост.ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽