Полное описание
>
International congress on high speed photography and photonics(18;1988;Xian).
Proceedings : материалы временных коллективов / Ed.:W.Daheng. - Baltimore(Md) : [s. n.]. - Текст : непосредственный.
Pt. 1. - 1989. - XXXII,538 p. p. : ill. - (Proceedings / Society of photo-optical instrumentation engineers(Redondo Beach(Ca)) ; n 1032). - ISBN 0-8194-0067-X : 41.00 р.
Библиогр.в конце ст.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 778.37(062) | |
| 621.383(062) |
Рубрики:
Фотосъемка высокоскоростная -- Съезды и конференции
Оптоэлектроника -- Съезды и конференции
Кл.слова (ненормированные): высокоскоростная фотосъемка -- оптоэлектроника>
Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ХР (1), (2)
Свободны: ХР (1), (2)
Копия:
Proceedings / Ed.:W.Daheng. Pt. 1, 1989. - XXXII,538 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings / Ed.:W.Daheng. Pt. 2, 1989. - XLI,539-1060 p. p. - Текст : непосредственный.Applications of artificial intelligence VII : Proc.of the meet.28-30 March 1989 / Ed.:M.M.Trivedi. P. 1, 1989. - XIII, 660 p. 660 p. - Текст : непосредственный.Applications of artificial intelligence VII : Proc.of the meet.28-30 March 1989 / Ed.:M.M.Trivedi. P. 2, 1989. - VIII, 665-1150 p. 665-1150 p. - Текст : непосредственный.5th International Munich Chassis Symposium 2014 : chassis.tech plus / ed. P. E. Pfeffer, 2014 r=on-line.6th International Munich Chassis Symposium 2015 : chassis.tech plus / editors P. Pfeffer, 2015 r=on-line.
Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Ким Мен Хо.Выращивание объемных монокристаллов р-SiC(Al,N) для электролюминесцентных источников света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / Ким Мен Хо, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Афраилов М.А. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Афраилов, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Атаев Ж. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства пленок a-Si:H,полученных методами тлеющего разряда и распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. Атаев, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Калантарова З.С. Влияние электрооптических связей на функциональные возможности оптоэлектронных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / З. С. Калантарова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гурьянов А.А. Оптические исследования материалов,испытывающих фазовый переход со скачком проводимости : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / А. А. Гурьянов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Осипов М.Ю. Методы математического моделирования в САПР систем автоматизированного выращивания оптических кристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / М. Ю. Осипов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зейналов Э.З. Электрофизические и оптические свойства монокристаллов MnGa Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Э. З. Зейналов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучук Ж.С. Синтез и свойства кристаллов и пленок силленитов,содержащих ионы переходных элементов Cr ,Fe ,Co ,Ni : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Ж. С. Кучук, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Касимова Г.А. Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов (Ga S ) (Eu O ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Г. А. Касимова, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шефова И.А. Оптические и фотоэмиссионные свойства многощелочного фотокатода : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / И. А. Шефова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бекетов Г.В. Механизм формирования анодных пассивирующих покрытий и свойства пассивированной поверхности узкозонных полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Г. В. Бекетов, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багиров М.А. Двухфотонное поглощение света в узкощелевых полупроводниках и структурах на их основе с двумерным электронным газом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Багиров, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Остовская Н.В. Устойчивость нелинейных волн в диэлектрических и магнитных средах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Остовская, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Монастырский М.А. Методы возмущений в задачах анализа и синтеза эмиссионных электронно-оптических систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.03;01.04.04 / М. А. Монастырский, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный.Кононенко В.К. Кинетика неравновесных процессов в оптоэлектронных полупроводниковых структурах при мощном возбуждении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. К. Кононенко, 1992. - 37 с. - Текст : непосредственный.Кератишвили Н.Г. Исследование статистических свойств абсолютных измерителей квантовой эффективности фотоприемников,основанных на эффекте спонтанного параметрического рассеяния(СПР) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук:01.04.05 / Н. Г. Кератишвили, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Броневой И.Л. Обратимое пороговое просветление арсенида галлия под действием пикосекундного импульса света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Броневой, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Тютюнников Н.Н. Разработка автоматизированной системы расчета параметров процессов фото-и вторичной электронной эмиссии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Н. Н. Тютюнников, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Чернов Е.И. Структурные методы и средства оптимизации фотодиодных фотоприемных устройств как преобразователей информационно-измерительных систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.11.16 / Е. И. Чернов, 1992. - 34 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыPapers from the 3rd applied optics and opto-electronics conference,held in York,Sept.1994 / Applied optics and opto-electronics conference (3 ; 1994 ; York) , 1995. - 1227-1432 p. p. - Текст : непосредственный.Tests,measurements,and characterization of electro-optic devices and systems : Proc.of the meet.8 Sept.1989 Boston(Ma) / comp. S. G. Wadekar, 1990. - 196 p. - Текст : непосредственный.Microcavities and photonic bandgaps: physics and applications : Proc.of the NATO advanced study inst.on microcavities and photonic bandgaps: physics and applications,Cargese,Aug.26-Sept.2,1995 / ed.: J. Rarity, C. Weisbuch, 1996. - XIV,601 p. p. - Текст : непосредственный.Waveguide optoelectronics : Proc.of the NATO advanced study inst.on waveguide optoelectronics Glasgow,30 July-10 Aug.,1990 / Ed.: J. H. Marsh, R. M. De La Rue, 1992. - XVI,417 p. p. - Текст : непосредственный.Международный семинар по оптоэлектронике : Санкт-Петербург, 5-6 ноября 1998 г.Тез.докл. / Международный семинар по оптоэлектронике (1998 ; Санкт-Петербург) , 1998. - 72 с. - Текст : непосредственный.Conference proceedings,Nov.2-4, 1988, Santa Clara(Ca) / LEOS'88, 1988. - xii,502 p. p. - Текст : непосредственный.Integrated optics and optoelectronics : Proc.of the meet.,5-8 Sept.1989,Boston(Ma) / Ed. K.-K. Wong, 1990. - IX,458 p. p. - Текст : непосредственный.Laser/Optoelektronik in der Technik : Vortr@:age des 9. Intern. Kongresses Laser 89 Optoelektronik, M@:unchen, 1989 / Hrsg. W. Waidelich, 1990. - XXVIII, 980 S. 980 S. - Текст : непосредственный.Quantum wells and superlattices in optoelectronic devices and integrated optics : Proc. of the meet. 17-18 Nov. 1987, Cannes / comp. A. R. Adams, 1988. - VIII, 134 p. 134 p. - Текст : непосредственный.Technologies for optoelectronics : Proc.of the meet.17-20 Nov.1987,Cannes,France / Ed.: R. F. Potter, J. M. Bulabois, 1988. - IV,171 p. p. - Текст : непосредственный.Optoelectronic materials,devices,packaging,and interconnects II : Proc.of the meet.,6-8 Sept.1988,Boston(Ma) / Ed.: G. M. McWright, H. J. Wojtunik, 1989. - VIII,261 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings / Ed.:W.Daheng. Pt. 1, 1989. - XXXII,538 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings / Ed.:W.Daheng. Pt. 2, 1989. - XLI,539-1060 p. p. - Текст : непосредственный.23rd International congress on high-speed photography and photonics : Proceedings,20-25 september 1998,Moscow / Editors:V.P.Degtyareva, 1998. - 988 p. - Текст : непосредственный.Вторая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике : Санкт-Петербург, 4 дек.-8 дек.2000 г.: Тез.докл. / Всероссийская молодежная конф. по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (2 ; 2000 ; Санкт-Петербург) , 2000. - 120 с. - Текст : непосредственный.Международная научно-техническая конференция "Актуальные проблемы фундаментальных наук" : СССР,Москва,28 окт.-3 нояб.:Сб.докл. Т. 9 : Секция Радио-опто-электронная и лазерная техника, 1991. - 103 с. - Текст : непосредственный.Высокоскоростная фотография, фотоника и метрология быстропротекающих процессов : 15 Всесоюз.науч.-техн.конф.:Тез.докл. / Советский ком. по высокоскоростной фотографии и фотонике, 1991. - 129 с. - Текст : непосредственный.Вторая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике : Санкт-Петербург,4 дек.-8 дек.2000 г.Тез.докл. / Всероссийская молодежная конф. по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (2 ; 2000 ; Санкт-Петербург) , 2000. - 117 с. - Текст : непосредственный.Всероссийская молодежная научная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике : Санкт-Петербург,30 нояб.-3 дек.1999 г.Тез.докл., 1999. - 150 с. - Текст : непосредственный.Materials, devices, techniques, and applications for Z-plane focal plane array technology : Proc. of the meet., Orlando(Fl), 29-30 Mar.1989 / Ed. J. C. Carson, 1989. - VIII,174 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽