Приложение
для AndroidПолное описание
Косцова, Н. Э. Влияние модели расчета вольт-фарадных характеристик на определение параметров МДП-структур / Н. Э. Косцова, А. Н. Коршунов, Е. Г. Сальман. - Новосибирск : [б. и.], 1991. - 23 с. : ил. - (Препринт / Институт неорганической химии(Новосибирск) ; 91-06). - 200 экз. - Беспл. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.323(04) |
Рубрики:
МДП-транзисторы
Кл.слова (ненормированные): мдп-транзистор
Доп. точки доступа:
Коршунов, А.Н.
Сальман, Е.Г.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Миненков Ю.Ф. Investigation of temperature dependence of heat capacity of solid bismut in its premelting region 434.37-540.93K / Ю.Ф.Миненков, 1992. - 13 p. - Текст : непосредственный.Миненков Ю.Ф. Investigation of temperature dependence of heat capacity of solid tin in its premelting region 402.07-502.22K / Ю.Ф.Миненков, 1992. - 15 p. - Текст : непосредственный.Пещевицкий Б.И. Об основах классической механики / Б.И.Пещевицкий, 1997. - 35 с. - Текст : непосредственный.Буждан Я.М. Совершенствование континуальной математической модели многокомпонентного идеального газа / Я.М.Буждан,Т.О.Мурахтина, 1998. - 55 с. - Текст : непосредственный.Кристаллоструктурные характеристики медьсодержащих оксидов.Ч.3.Cu и Cu-содержащие оксиды / С.А.Магарилл,Е.Н.Ипатова,С.В.Борисов,Т.С.Юданова, 1990. - 65 с. - Текст : непосредственный.Автоматизированный калориметр растворения с изотермической оболочкой / В.В.Репков,Н.И.Мацкевич,Г.Е.Осипова,С.Г.Ерофеев, 1990. - 23 с. - Текст : непосредственный.Крафтмахер Я.А. Бесконтактная диагностика высокотемпературных сверхпроводников / Я.А.Крафтмахер, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Кристаллоструктурные характеристики медьсодержащих оксидов. Ч.1. Cu2+-cодержащие оксиды из систем с ВТСП-свойствами / С.А.Магарилл,Е.Н.Ипатова,С.В.Борисов,Т.С.Юданова, 1990. - 65 c. - Текст : непосредственный.Залетина М.М. Случайные и систематические погрешности определения кислородного коэффициента в высокотемпературных сверхпроводниках методом активации быстрыми нейтронами / М. М. Залетина, И. В. Миротин, О. К. Николаенко, 1990. - 33 с. - Текст : непосредственный.Бауск Н.В. Исследование возможностей использования сборок микроканальных пластин для регистрации рентгеновского излучения в диапазоне 1-10 ангстрем / Н. В. Бауск, Б. Н. Брагин, В. Н. Симонов, 1990. - 13 с. - Текст : непосредственный.Применение кластерного анализа и метода главных компонент для определения фазового состава негомогенных образцов количественным микрорентгеноспектральным методом / И.И.Бондаренко,В.В.Резвицкий,Б.А.Трейгер,Л.Н.Мазалов, 1990. - 57 с. - Текст : непосредственный.Фисенко И.Г. Основы быстро сходящегося метода прямого суммирования потенциалов в ионных решетках / И.Г.Фисенко,Е.В.Холопов, 1991. - 32 c. - Текст : непосредственный.Энергия и конформации полиэдрических каркасов из молекул воды / В.И.Косяков,В.А.Шестаков,Т.М.Полянская и др., 1990. - 62 с. - Текст : непосредственный.Белеванцев В.И. Стандартизация констант равновесий диссоциации (образования) комплексов и кислот и влияние на них состава смешанных растворителей / В.И.Белеванцев,В.Н.Асеева, 1999. - 41 с. - Текст : непосредственный.Фомин Э.С. Расчеты химических сдвигов Ка-линии в переходных металлах от Sc до Ln методом Xa-PB / Э.С.Фомин,В.В.Мурахтанов, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ремова А.А. Устойчивость поляронных структур в слоях, легированных легкими носителями заряда, и проблема ВТСП купратов / А.А.Ремова,Б.Я.Шапиро, 1990. - 30 с. - Текст : непосредственный.Разработка фактографической базы данных по физическим свойствам высокотемпературных сверхпроводников и родственных соединений / А.М.Панич,М.В.Тимонов,Л.И.Чернявский,М.В.Мальков, 1991. - 40 с. - Текст : непосредственный.Размеры сверхпроводящих областей в керамике YBa2Cu3O7-z / К.Р.Жданов,В.С.Кравченко,В.Е.Федоров и др., 1990. - 11 с. - Текст : непосредственный.Мамонтов В.Н. О природе всемирного тяготения и новом подходе к физическим системам отсчета / В.Н.Мамонтов, 1999. - 50 с. - Текст : непосредственный.Косцова Н.Э. Влияние модели расчета вольт-фарадных характеристик на определение параметров МДП-структур / Н. Э. Косцова, А. Н. Коршунов, Е. Г. Сальман, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКонтактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКосцова Н.Э. Влияние модели расчета вольт-фарадных характеристик на определение параметров МДП-структур / Н. Э. Косцова, А. Н. Коршунов, Е. Г. Сальман, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Сыноров В.Ф. Физика МДП-структур : Учеб. пособие / В.Ф.Сыноров,Ю.С.Чистов, 1989. - 224 с. - Текст : непосредственный.Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.2 / В.А.Высоцкий,О.И.Коньков,А.Г.Смирнов,Е.И.Теруков, 1989. - 31 с. - Текст : непосредственный.Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.1 / В.А.Высоцкий,О.И.Коньков,А.Г.Смирнов и др., 1989. - 47 с. - Текст : непосредственный.Урицкий В.Я. Межфазные границы и характеристики МДП-транзисторов : Учеб. пособие / В.Я.Урицкий, 2002. - 63 с. - Текст : непосредственный.Горностай-Польский, Вадим Станиславович. Конструктивно-технологические решения формирования элементов металлизации силовых МДП-транзисторных структур с вертикальным каналом с топологическими нормами 0,25 мкм : специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Горностай-Польский Вадим Станиславович, 2026. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Восстановление генерационного времени жизни носителей в МОП структуре на основе высокоомного кремния / Э.А.Асланов,А.А.Бейрамов,Э.А.Джафаров и др., 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Косцова Н.Э. Влияние модели расчета вольт-фарадных характеристик на определение параметров МДП-структур / Н. Э. Косцова, А. Н. Коршунов, Е. Г. Сальман, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.2 / В.А.Высоцкий,О.И.Коньков,А.Г.Смирнов,Е.И.Теруков, 1989. - 31 с. - Текст : непосредственный.Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.1 / В.А.Высоцкий,О.И.Коньков,А.Г.Смирнов и др., 1989. - 47 с. - Текст : непосредственный.Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽