Приложение
для AndroidПолное описание
Материаловедение халькогенидных полупроводников : тез.докл.Третьей Всесоюз.науч.-техн.конф.(окт.1991 г.) / АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения". - Черновцы : [б. и.], 19 - . - В надзаг.:АН СССР,Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения" и "Люминесценция и развитие ее применения в нар.хоз-ве",Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева АН СССР,Черновиц.гос.ун-т им.Ю.Федьковича,ЧГУ. - Текст : непосредственный.
Т. 2. - Черновцы : [б. и.], 1991. - 278 с. : ил. - 380 экз. - Б. ц.
Библиогр.в конце отд.докл.Авт.указ.:с.245-259
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592(063) |
Рубрики:
Полупроводники -- Съезды и конференции
Доп. точки доступа:
АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения"
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ХР (2)
Свободны: ХР (2)
Микроструктура керамики, обладающей высокой теплопроводностью / Ин-т сверхтвердых материалов. - 12 с. - Текст : непосредственный.Сальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. О. Сальник, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ким Ха Ен.Исследование уширения глубоких уровней в полупроводниках методами нестационарной емкостной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Ким Ха Ен, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Савчук С.А. Определение углерода в легколетучих материалах полупроводниковой техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:02.00.02 / С. А. Савчук, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Соловьев В.А. Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / В. А. Соловьев, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ерохин Ю.Н. Влияние фотовозбуждения электронной подсистемы кремния на образование и перестройку радиационных дефектов при ионной имплантации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Ю. Н. Ерохин, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Соломонов А.И. Дефекты кристаллической решетки GaP и их влияние на свойства диодных структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Соломонов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ходжаев К.Х. Диффузия примесей олова,серебра и железа в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Х. Ходжаев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Салимов Н.С. Влияние резонансного рассеяния на кинетические явления в полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.09 / Н. С. Салимов, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гуменюк-Сычевская Ж.В. Электронные свойства структур с квантовыми ямами Pb Te/Pb Sn Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. В. Гуменюк-Сычевская, 1991. - 14 14с. - Текст : непосредственный.Сафронов Н.В. Быстрый термический отжиг монокристаллов кремния,легированных ионами Ш-V- групп (As ,In ,и As /In ,P /In ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Сафронов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Алдабергенова С.Б. Фотоиндуцированная и термостимулированная деградация аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / С. Б. Алдабергенова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Турсунов У.С. Природа электрической активности примесей редкоземельных металлов в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / У. С. Турсунов, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дричко И.Л. Акустические свойства полутораокиси ванадия и антимонида индия в окрестности перехода металл-диэлектрик : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Дричко, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Тимофеев М.П. Низкотемпературная электронная кинетика и переход металл-изолятор в 6Н-Si:N : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. П. Тимофеев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Велинова Ю.Г. Эллипсометрические исследования тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. Г. Велинова, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Мельничук С.В. Локализованные состояния в электронном и колебательном спектрах полупроводников А В ,легированных 3d-элементами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / С. В. Мельничук, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Рахимбаев Д. Экспериментальное исследование профиля распределения концентрации кадмия и ртути в твердотельных диффузионных зонах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Д. Рахимбаев, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кока А.П. Разработка и создание автоматизированной системы для исследования полупроводниковых материалов и структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / А. П. Кока, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыHigh magnetic fields in semiconductor physics III : Quantum Hall Effect,transport and optics:Proc.of the intern.conf.,W@:urzburg,Fed.Fep.of Germany,July 30-Aug.3,1990 / Ed.by G. Landwehr, 1992. - 697 p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the 22nd International school on physics of semiconducting compounds Jaszowiec,May 22-28,1993 / Ed.: A. Suchocki. Pt. 2, 1993. - 609-836 p. p. - Текст : непосредственный.Special topics in semiconductor analysis : The present vol.contains contributions of the participants of a small symp.about semiconductor analysis,Berlin,July 1993 / ed. J. Frehse, ed. H. Gajewski, 1994. - 78 p. - Текст : непосредственный.Proceedings / Ed.:T.Story. Pt. 1, 1995. - 280 p. - Текст : непосредственный.Proceedings / Ed.:T.Story. Pt. 2, 1995. - 281-568 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings / Ed.:T.Story. Pt. 1, 1995. - 553-808 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings / Ed.:T.Story. Pt. 2, 1995. - 809-1064 p. p. - Текст : непосредственный.Fabrication,properties and applications of low-dimensional semiconductors : Proc.of the NATO advanced NATO advanced study inst.on fabrication,properties and applications Sozopol,Sept.19-29,1994 / Ed: M. Balkanski, I. Yanchev, 1995. - XIII,457 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the European workshop EW-II-VI-92,Aachen,2-4 Nov.1992 / European workshop on II-VI semiconductors (1992 ; Aachen) , 1994. - 308 p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the 7th Brazilian workshop on semiconductor physics,Rio de Janeiro,16-21 July,1995 / Brazilian workshop on semiconductor physics (7 ; 1995 ; Rio de Janeiro) , 1996. - 409 p. - Текст : непосредственный.2-ая Российская конференция по физике полупроводников : Тезисы докл. Т. 1, 1996. - 205 с. - Текст : непосредственный.2-ая Российская конференция по физике полупроводников : Тезисы докл. Т. 2, 1996. - 247 с. - Текст : непосредственный.Program and Summaries / International Symposium on Compound Semiconductors (23 ; 1996 ; St.Petersburg) , 1996. - 134 с. - Текст : непосредственный.Proceedings of the 25th International school on physics of semiconducting compounds,Jaszowiec,Poland,May 27-31,1996 / Ed.:E.Kaczmarek. Pt. 1, 1996. - 595-856 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the 25th International school on physics of semiconducting compounds,Jaszowiec,Poland,May 27-31,1996 / Ed.:E.Kaczmarek. Pt. 2 , 1996. - 861-1124 p. p. - Текст : непосредственный.Физико-химические основы получения и исследования полупроводниковых материалов в твердом и жидком состоянии : Тез. докл. 2 респ. науч.-техн. конф. с участием ведущих ученых СНГ, Республика Таджикистан, г. Куляб, 25-28 ноября 1992 г. / Кулябский гос. ун-т, 1992. - 102 с. - Текст : непосредственный.Термодинамика и материаловедение полупроводников : V Междунар. конф., июнь, июль 1997г.Тезисы докл. / Рос.АН, 1997. - 154 с. - Текст : непосредственный.I Российская конференция по физике полупроводников,Нижний Новгород,10-14 сент.1993 г. : Тез.докл. Т. 1, 1993. - 175 с. - Текст : непосредственный.I Российская конференция по физике полупроводников,Нижний Новгород,10-14 сент.1993 г. : Тез.докл. Т. 2, 1993. - С. 179-380 179-380. - Текст : непосредственный.Low-dimensional structures in semiconductors:From basic physics to applications : Proc.of a NATO study inst.,19th course of the intern.school of materials science and technology on low-dimensional..held July 1-14,1990,in Erice,Sicily,Italy / International school of materials science and technology on low-dimensional structures in semiconductors:From basic physics to applications, 1991. - VIII,226 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыProgram and Summaries / International Symposium on Compound Semiconductors (23 ; 1996 ; St.Petersburg) , 1996. - 134 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические основы получения и исследования полупроводниковых материалов в твердом и жидком состоянии : Тез. докл. 2 респ. науч.-техн. конф. с участием ведущих ученых СНГ, Республика Таджикистан, г. Куляб, 25-28 ноября 1992 г. / Кулябский гос. ун-т, 1992. - 102 с. - Текст : непосредственный.Semiconductor silicon: materials science and technology : Proc.of the summer school,Erice,July 3-15,1988, 1989. - IX,345 p. p. - Текст : непосредственный.VIII Координационное совещание по исследованию и применению сплавов кремний-германий : Тез. докл.,Ташкент, ноябрь, 1991 г. / Координационное совещание по исследованию и применению сплавов кремний-германий (8 ; 1991 ; Ташкент) , 1991. - 92 с. - Текст : непосредственный.Semi-insulating III-V materials : Proc.of the 5th conf. on semi-insulating III-V materials, held in Malm@:o, 1-3, Jun. 1988 / Ed.: G. Grossmann, L. Ledebo, 1988. - XVI,601 p. p. - Текст : непосредственный.Материаловедение халькогенидных полупроводников : Тез.докл.Третьей Всесоюз.науч.-техн.конф.(окт.1991 г.) / АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения". Т. 1, 1991. - 269 с. - Текст : непосредственный.Материаловедение халькогенидных полупроводников : Тез.докл.Третьей Всесоюз.науч.-техн.конф.(окт.1991 г.) / АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения". Т. 2, 1991. - 278 с. - Текст : непосредственный.Sub-quarter-micron silicon issues in the 200/300 mm conversion Era: Proc.of the E-MRS IUMRS ICEM 2000 meet., Symp.L / Ed. H. FuSstetter, 2001. - VII, 232 p. 232 p. - Текст : непосредственный.VIII всесоюзное координационное совещание "Материаловедение полупроводниковых соединений группы А 2В 5" : Тез. докл. / "Материаловедение полупроводниковых соединений группы А 2В 5",всесоюзное координационное совещ. (8 ; 1990 ; Черновцы) , 1990. - 139 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : Тезисы докладов Совещания, Иркутск, 5-9 июля 2004 г. / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Юбилейные 60-е Дни науки студентов : Сб. тезисов докл. / Московский ин-т стали и сплавов, Дни науки студентов(60;2005), 2005. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2008 : тез. докл. V междунар. конф. и IV шк. молодых ученых и специалистов по актуал. проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе "Кремний-2008", Черноголовка, 1-4 июля 2008 г. / Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Москва), 2008. - 274 с. - Текст : непосредственный.Key engineering materials. Vol. 459 : Silicon science and advanced micro-device engineering I : sel., peer rev. papers from the 5th Intern. symp. on silicon science and the 1st Intern. conf. on advanced micro-device eng. (ISSS & Amde 2009), was held by the Intern. education and research center for silicon science and the advanced technology research center (ATEC), Gunma Univ. on 10 and 11 Dec. 2009 in Kiryu, Japan / International symposium on silicon science (5th; 2009; Kiryu); International conference on advanced micro-device engineering (1st; 2009; Kiryu), 2011. - XII, 282 p. - Текст : непосредственный.HeteroSiC & WASMPE 2011 : sel., peer rev. papers from the 4th workshop on advanced semiconductor materials and devices for power electronics applications (HeteroSiC & WASMPE 2011), Jun. 27-30, 2011, Tours, France / Workshop on advanced semiconductor materials and devices for power electronics applications (4; 2011; Tours), 2012 r=on-line.
Заказ фрагмента документа ₽