Приложение
для AndroidПолное описание
Новые магнитные материалы микроэлектроники : тез.докл. XVI Междунар. шк.-семинара, 23-26 июня 1998 г. / Российская академия наук. Научный совет по проблеме "Магнетизм". - М. : [б. и.], 19 - . - В надзаг.:Рос.АН.Научный совет по проблеме "Магнетизм",Секция "Магнит. пленки", МГУ им.М.В.Ломоносова, Физ.фак. - Текст : непосредственный.
Ч. 2. - 1998. - 673 с. : ил. - Тираж не указ. - ISBN 5-88417-146-3 : Б. ц.
Библиогр. в конце ст.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.3.049.76.002.3(063) |
Рубрики:
Магнитные материалы -- Применение в микроэлектронике -- Съезды и конференции
Доп. точки доступа:
Российская академия наук. Научный совет по проблеме "Магнетизм"
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Новые магнитные материалы микроэлектроники : Тез.докл.XV Всерос.шк.-семинара,18-21 июня 1996 г.,Москва / Российская академия наук, Научный совет по проблеме "Магнетизм", 1996. - 521 c. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Сб.тр.17 междунар.школы-семинара,20-23 июня 2000 г.,Москва, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Сборник трудов ХIХ международ. шк.-семинара, 28 июня - 2 июля 2004 г., Москва / Российская академия наук, Научный совет "Физика конденсированных сред", 2004. - 919 с. - Текст : непосредственный.
Микроструктура керамики, обладающей высокой теплопроводностью / Ин-т сверхтвердых материалов. - 12 с. - Текст : непосредственный.Сальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. О. Сальник, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ким Ха Ен.Исследование уширения глубоких уровней в полупроводниках методами нестационарной емкостной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Ким Ха Ен, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Савчук С.А. Определение углерода в легколетучих материалах полупроводниковой техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:02.00.02 / С. А. Савчук, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Соловьев В.А. Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / В. А. Соловьев, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ерохин Ю.Н. Влияние фотовозбуждения электронной подсистемы кремния на образование и перестройку радиационных дефектов при ионной имплантации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Ю. Н. Ерохин, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Соломонов А.И. Дефекты кристаллической решетки GaP и их влияние на свойства диодных структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Соломонов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ходжаев К.Х. Диффузия примесей олова,серебра и железа в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Х. Ходжаев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Салимов Н.С. Влияние резонансного рассеяния на кинетические явления в полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.09 / Н. С. Салимов, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гуменюк-Сычевская Ж.В. Электронные свойства структур с квантовыми ямами Pb Te/Pb Sn Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. В. Гуменюк-Сычевская, 1991. - 14 14с. - Текст : непосредственный.Сафронов Н.В. Быстрый термический отжиг монокристаллов кремния,легированных ионами Ш-V- групп (As ,In ,и As /In ,P /In ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Сафронов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Алдабергенова С.Б. Фотоиндуцированная и термостимулированная деградация аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / С. Б. Алдабергенова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Турсунов У.С. Природа электрической активности примесей редкоземельных металлов в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / У. С. Турсунов, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дричко И.Л. Акустические свойства полутораокиси ванадия и антимонида индия в окрестности перехода металл-диэлектрик : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Дричко, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Тимофеев М.П. Низкотемпературная электронная кинетика и переход металл-изолятор в 6Н-Si:N : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. П. Тимофеев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Велинова Ю.Г. Эллипсометрические исследования тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. Г. Велинова, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Мельничук С.В. Локализованные состояния в электронном и колебательном спектрах полупроводников А В ,легированных 3d-элементами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / С. В. Мельничук, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Рахимбаев Д. Экспериментальное исследование профиля распределения концентрации кадмия и ртути в твердотельных диффузионных зонах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Д. Рахимбаев, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кока А.П. Разработка и создание автоматизированной системы для исследования полупроводниковых материалов и структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / А. П. Кока, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыНовые магнитные материалы микроэлектроники : Тез.докл.XV Всерос.шк.-семинара,18-21 июня 1996 г.,Москва / Российская академия наук, Научный совет по проблеме "Магнетизм", 1996. - 521 c. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Тез.докл. XVI Междунар. шк.-семинара, 23-26 июня 1998 г. / Российская академия наук. Научный совет по проблеме "Магнетизм". Ч. 1, 1998. - 337 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Тез.докл. XVI Междунар. шк.-семинара, 23-26 июня 1998 г. / Российская академия наук. Научный совет по проблеме "Магнетизм". Ч. 2, 1998. - 673 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Сб.тр.17 междунар.школы-семинара,20-23 июня 2000 г.,Москва, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Сборник трудов ХIХ международ. шк.-семинара, 28 июня - 2 июля 2004 г., Москва / Российская академия наук, Научный совет "Физика конденсированных сред", 2004. - 919 с. - Текст : непосредственный.
Werkstoffe der Mikrotechnik : Basis fur neue ProdukteTagung,Karlsruhe,24.-25.Okt.1991, 1991. - 340 S. - Текст : непосредственный.Materials in micro-electronics : Tagungsband:1.Intern.Fachmesse und Kongress ELMAT 91,22.-24.Jan.,1991,Stuttgart / hrsg. H. Hieber, 1991. - 241 S. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Тез.докл.XV Всерос.шк.-семинара,18-21 июня 1996 г.,Москва / Российская академия наук, Научный совет по проблеме "Магнетизм", 1996. - 521 c. - Текст : непосредственный.Nanotechnology : Developed from a symp.at the 210th nat.meet.of the Amer.chem.soc.,Chicago(Il),Aug.20-24 1995 / Ed.: G.-M. Chow, K. E. Gonsalves, 1996. - IX,413 p. p. - Текст : непосредственный.III Всесоюзная конференция "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники" : Программа и тезисы докл.,Новосибирск,4-6 июня 1991 г. / "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники",всесоюзная конф. (3 ; 1991 ; Новосибирск) , 1991. - 149 с. - Текст : непосредственный.Papers from 1st international conference on advanced materials and processes for microelectronics, 15-18 March,1999 San Jose(Ca) / International conference on advanced materials and processes for microelectronics (1st ; 1999 ; San Jose(Ca)) , 1999. - 1897-2395 p. p. - Текст : непосредственный.Polymers for microelectronics : Science and technologyProc.of the intern.symp.on "Polymers for microelectronics-science and technology"(PME'89), Tokyo,Oct.29 - Nov.2,1989 / PME'89, 1990. - XXI,848 p. p. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Тез.докл. XVI Междунар. шк.-семинара, 23-26 июня 1998 г. / Российская академия наук. Научный совет по проблеме "Магнетизм". Ч. 1, 1998. - 337 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Тез.докл. XVI Междунар. шк.-семинара, 23-26 июня 1998 г. / Российская академия наук. Научный совет по проблеме "Магнетизм". Ч. 2, 1998. - 673 с. - Текст : непосредственный.Материалы для микроэлектроники и приборостроения : Тезисы докл. межотрасл. науч.-техн. конф., 26 нояб. 1991 г. / "ВИАМ", науч.-произв. об-ние (Москва), 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Сб.тр.17 междунар.школы-семинара,20-23 июня 2000 г.,Москва, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Сборник трудов ХIХ международ. шк.-семинара, 28 июня - 2 июля 2004 г., Москва / Российская академия наук, Научный совет "Физика конденсированных сред", 2004. - 919 с. - Текст : непосредственный.NATO science series. Sub-ser.II, Mathematics, physics and chemistry. Vol. 194 : Zinc oxide-a material for micro-and optoelectronic applications : proc. of the NATO advanced research workshop on zinc oxide as a material for micro-and optoelectronic applications, 23-25 Jun. 2004, St Petersburg / NATO advanced research workshop on zinc oxide as a material for micro-and optoelectronic applications (2004; St. Petersburg), 2005. - XVI, 240 p. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽