Приложение
для AndroidПолное описание
Бородин, Г. А. Разработка корректирующих кодов, методов расчета и повышения надежности полупроводниковых запоминающих устройств : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.13.05 / Г. А. Бородин. - М. : [б. и.], 1994. - 38 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Моск. энерг. ин-т (Техн. ун-т). Библиогр.:с.30-38 (101 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 50.11.31 | 004.33.087.2(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкф.
Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Модуль тестирования памяти: Руководство пользователя. Рабочая станция тестирования на базе платы 2276 / ВЦП. - 167 c. - Текст : непосредственный.Перов Г.В. Технология формирования и электрические характеристики тонкого термического окисла на кремнии и поликристаллическом кремнии для СБИС МОП ППЗУ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Г. В. Перов, 1992. - 24 с. - Текст : непосредственный.Тарасов С.А. Устройства совместной коррекции независимых и модульных ошибок хранения информации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.17 / С. А. Тарасов, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Бородин Г.А. Разработка корректирующих кодов, методов расчета и повышения надежности полупроводниковых запоминающих устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.13.05 / Г. А. Бородин, 1994. - 38 с. - Текст : непосредственный.Бояринов И.М. Методы помехоустойчивого кодирования и их применение в полупроводниковой памяти высокопроизводительных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.13 / И. М. Бояринов, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный.Микитюк В.Г. Методы и алгоритмы встроенного тестирования ОЗУ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / В. Г. Микитюк, 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный.Трещановский А.К. Псевдоисчерпывающий функциональный контроль СБИС ОЗУ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.07 / А. К. Трещановский, 1996. - 25 с. - Текст : непосредственный.Троян Е.Ф. Элементы памяти и переключения на основе тонких пленок теллура и его сплавов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Е. Ф. Троян, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный.Шалимова М.Б. Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. Б. Шалимова, 1997. - 19 с. - Текст : непосредственный.Барладин А.В. Информационные характеристики фототермопластических носителей с фоточувствительным слоем из халькогенидных стеклообразных полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 01.04.10 / А. В. Барладин, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.Сухоруков В.А. Паразитная инжекция в МДП оперативных запоминающих устройствах динамического типа : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. А. Сухоруков, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Водягин Н.В. Закономерности эволюции неупорядоченных полупроводников и технологии элементов памяти на основе а-SiH : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. В. Водягин, 1990. - 28 с. - Текст : непосредственный.Петретис Б.М. Процессы формирования, структура и свойства электрографических слоев на основе аморфного селена : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Б. М. Петретис, 1989. - 32 с. - Текст : непосредственный.Кириченко П.Г. Быстродействующие многопортовые статические КМОП ОЗУ : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.13.05 / П. Г. Кириченко, 2003. - 23 c. - Текст : непосредственный.Применение интегральных микросхем памяти : Справ. / А.А.Дерюгин,В.В.Цыркин,В.Е.Красовский и др.;Под ред. А.Ю.Гордонова, А.А.Дерюгина, 1994. - 230 c. - Текст : непосредственный.Разработка и исследование микроэлектронных кремниевых датчиков и элементов памяти СБИС ДОЗУ : Сб.науч.тр / Моск.гос.ин-т электронной техники (техн.ун-т), 1994. - 180 c. - Текст : непосредственный.Flash memory. Vol. 1, 1994. - Pag var var. - Текст : непосредственный.Flash memory. Vol. 2, 1994. - Pag var var. - Текст : непосредственный.Леонов А.И. Математическое моделирование токов утечки в ячейках памяти канавочного типа / А.И.Леонов, 1994. - 24 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБородин Г.А. Разработка корректирующих кодов, методов расчета и повышения надежности полупроводниковых запоминающих устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.13.05 / Г. А. Бородин, 1994. - 38 с. - Текст : непосредственный.Бояринов И.М. Методы помехоустойчивого кодирования и их применение в полупроводниковой памяти высокопроизводительных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.13 / И. М. Бояринов, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный.Троян Е.Ф. Элементы памяти и переключения на основе тонких пленок теллура и его сплавов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Е. Ф. Троян, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный.Сухоруков В.А. Паразитная инжекция в МДП оперативных запоминающих устройствах динамического типа : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. А. Сухоруков, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Водягин Н.В. Закономерности эволюции неупорядоченных полупроводников и технологии элементов памяти на основе а-SiH : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. В. Водягин, 1990. - 28 с. - Текст : непосредственный.Петретис Б.М. Процессы формирования, структура и свойства электрографических слоев на основе аморфного селена : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Б. М. Петретис, 1989. - 32 с. - Текст : непосредственный.Hemink G.J. Vipmos-A buried injector structure for nonvolatile memory applications : Diss. / G.J.Hemink, 1992. - 147 p. - Текст : непосредственный.Specks J.W. Skalierung statischer CMOS-Speicher mit sub-um Strukturgrossen : Diss. / J.W.Specks, 1991. - 94 S. - Текст : непосредственный.Взаимодействие и локализация электромагнитных солитонов в окрестности слоев неоднородности в наноэлектронных устройствах на основе полупроводниковых сверхрешеток : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. В. Капля, 2004. - 16 с. - Текст : непосредственный.Функциональные характеристики элементов энергозависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 01.04.10 / И. С. Савинов, 2006. - 20 с. - Текст : непосредственный.КМОП флэш ЗУ с произвольной выборкой : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.13.05 / А. Н. Севрюков, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Исследование стадии включения элементов энергозависимой памяти на фазовых переходах : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / Ю. В. Ануфриев, 2009. - 20 с. - Текст : непосредственный.Межзеренный фотовольтаический эффект в тонкопленочных сегнетоэлектрических структурах M/Pb(Zr, Ti)Oз/М : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Л. А. Делимова, 2012. - 34 с. - Текст : непосредственный.Моделирование и расчет функциональных характеристик элементов энергонезависимой памяти с фазовыми переходами : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / К. Н. Егармин, 2013. - 20 с. - Текст : непосредственный.Элементы помехоустойчивого кодирования нециклического типа субмикронных КМОП оперативных запоминающих устройств : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.13.05 / К. А. Петров, 2015. - 23 с.
Заказ фрагмента документа ₽