Приложение
для AndroidПолное описание
Felkel, W. Ein schnelles Bipolar-SRAM mit einem neuartigen Zellkonzept : Diss / W.Felkel. - Aachen : [s. n.], 1990. - 2,114 S. S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 110-114
Перевод заглавия: Быстрое биполярное статическое запоминающее устройство с произвольной выборкой с новой концепции элемента:Диссертация
| ГРНТИ | УДК | |
| 50.11.31 | 004.332.34(043) |
Рубрики:
Запоминающие устройства полупроводниковые
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые запоминающие устройства
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Модуль тестирования памяти: Руководство пользователя. Рабочая станция тестирования на базе платы 2276 / ВЦП. - 167 c. - Текст : непосредственный.Перов Г.В. Технология формирования и электрические характеристики тонкого термического окисла на кремнии и поликристаллическом кремнии для СБИС МОП ППЗУ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Г. В. Перов, 1992. - 24 с. - Текст : непосредственный.Тарасов С.А. Устройства совместной коррекции независимых и модульных ошибок хранения информации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.17 / С. А. Тарасов, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Бородин Г.А. Разработка корректирующих кодов, методов расчета и повышения надежности полупроводниковых запоминающих устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.13.05 / Г. А. Бородин, 1994. - 38 с. - Текст : непосредственный.Бояринов И.М. Методы помехоустойчивого кодирования и их применение в полупроводниковой памяти высокопроизводительных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.13 / И. М. Бояринов, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный.Микитюк В.Г. Методы и алгоритмы встроенного тестирования ОЗУ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / В. Г. Микитюк, 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный.Трещановский А.К. Псевдоисчерпывающий функциональный контроль СБИС ОЗУ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.07 / А. К. Трещановский, 1996. - 25 с. - Текст : непосредственный.Троян Е.Ф. Элементы памяти и переключения на основе тонких пленок теллура и его сплавов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Е. Ф. Троян, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный.Шалимова М.Б. Эффект переключения проводимости с памятью и фотоэлектрические явления в слоистых структурах на основе пленочных фторидов РЗЭ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. Б. Шалимова, 1997. - 19 с. - Текст : непосредственный.Барладин А.В. Информационные характеристики фототермопластических носителей с фоточувствительным слоем из халькогенидных стеклообразных полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 01.04.10 / А. В. Барладин, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный.Сухоруков В.А. Паразитная инжекция в МДП оперативных запоминающих устройствах динамического типа : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. А. Сухоруков, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Водягин Н.В. Закономерности эволюции неупорядоченных полупроводников и технологии элементов памяти на основе а-SiH : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. В. Водягин, 1990. - 28 с. - Текст : непосредственный.Петретис Б.М. Процессы формирования, структура и свойства электрографических слоев на основе аморфного селена : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Б. М. Петретис, 1989. - 32 с. - Текст : непосредственный.Кириченко П.Г. Быстродействующие многопортовые статические КМОП ОЗУ : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.13.05 / П. Г. Кириченко, 2003. - 23 c. - Текст : непосредственный.Применение интегральных микросхем памяти : Справ. / А.А.Дерюгин,В.В.Цыркин,В.Е.Красовский и др.;Под ред. А.Ю.Гордонова, А.А.Дерюгина, 1994. - 230 c. - Текст : непосредственный.Разработка и исследование микроэлектронных кремниевых датчиков и элементов памяти СБИС ДОЗУ : Сб.науч.тр / Моск.гос.ин-т электронной техники (техн.ун-т), 1994. - 180 c. - Текст : непосредственный.Flash memory. Vol. 1, 1994. - Pag var var. - Текст : непосредственный.Flash memory. Vol. 2, 1994. - Pag var var. - Текст : непосредственный.Леонов А.И. Математическое моделирование токов утечки в ячейках памяти канавочного типа / А.И.Леонов, 1994. - 24 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыИсследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Flash memory. Vol. 1, 1994. - Pag var var. - Текст : непосредственный.Flash memory. Vol. 2, 1994. - Pag var var. - Текст : непосредственный.Урбанович П.П. Избыточность в полупроводниковых интегральных микросхемах памяти / П.П.Урбанович,В.Ф.Алексеев,Е.А.Верниковский, 1995. - 262 c. - Текст : непосредственный.28F016XD 16-Mbit 91 Mbit x 16) DRAM-interface flash memory, 1994. - 55 p. - Текст : непосредственный.Костенко М.И. Механизм фоточувствительности гетерогенных систем на основе композиций полупроводник-органическая среда : Препринт / М.И.Костенко, 1997. - 61 с. - Текст : непосредственный.Костенко М.И. Влияние дефектного состава органической матрицы на кинетику образования фотоактивных центров : Препринт / М.И.Костенко,Е.Ю.Римлянд, 1997. - 82 с. - Текст : непосредственный.Hemink G.J. Vipmos-A buried injector structure for nonvolatile memory applications : Diss. / G.J.Hemink, 1992. - 147 p. - Текст : непосредственный.Мурсаев А.Х. Структуры и схемотехника современных интегральных полупроводниковых запоминающих устройств : Учеб.пособие / А.Х.Мурсаев,Е.П.Угрюмов, 1997. - 70 с. - Текст : непосредственный.Specks J.W. Skalierung statischer CMOS-Speicher mit sub-um Strukturgrossen : Diss. / J.W.Specks, 1991. - 94 S. - Текст : непосредственный.Игумнов Д.В. Цифровые транзисторные элементы : Учеб. пособие / Д.В.Игумнов,Г.П.Костюнина, 1998. - 63 с. - Текст : непосредственный.Felkel W. schnelles Bipolar-SRAM mit einem neuartigen Zellkonzept : Diss / W.Felkel, 1990. - 2,114 S. S. - Текст : непосредственный. Полупроводниковые устройства длительного хранения информации : Учеб. пособие / Я.М.Беккер,А.А.Заколдаев,В.Н.Рыжевнин и др., 1989. - 81 c. - Текст : непосредственный.Bailey D.H. Vector computer memory bank contention : Mfiche.(1) / D.H.Bailey, 1985. - 16 мкфш. - Текст : непосредственный.Сидоров В.Т. Пакет программ для подготовки данных и программирования ППЗУ / В.Т.Сидоров, 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный.Компьютер на флешке. Работающие Windows, Linux, офис и 150 самых полезных программ у вас в кармане / В. Д. Королев [и др.], 2009. - 251 с. - Текст : непосредственный.Супер флешка. 150 лучших программ, игр и утилит, работающих прямо с флешки, всегда под рукой : книга + CD со всеми программами / Д. П. Горячев [и др.], 2009. - 251 с.Супер флешка. 150 лучших программ, игр и утилит, работающих прямо с флешки, всегда под рукой : книга + CD со всеми программами / Д. П. Горячев [и др.], 2009. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM). - Текст : электронный.Секреты флэшек и винчестеров USB / Ю. Смирнов, 2009. - 438 с. - Текст : непосредственный.Суперфлешка : 150 лучших программ, игр и утилит, работающих прямо с флешки, всегда по рукой! / Д. П. Горячев [и др.], 2009. - 251 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКириченко П.Г. Быстродействующие многопортовые статические КМОП ОЗУ : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.13.05 / П. Г. Кириченко, 2003. - 23 c. - Текст : непосредственный.Felkel W. schnelles Bipolar-SRAM mit einem neuartigen Zellkonzept : Diss / W.Felkel, 1990. - 2,114 S. S. - Текст : непосредственный. Исследование и разработка усилителей считывания с повышенной устойчивостью к технологическому разбросу параметров транзисторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.13.05 / М. А. Дунаева, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽