Приложение
для AndroidПолное описание
Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др. - Новосибирск : [б. и.], 1991. - 52 с. : ил. - (Препринт ; 5(1991))). - 200 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 48-52 (51 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.323(04) |
Рубрики:
Транзисторы полевые
Доп. точки доступа:
Белоусов, И.И.
Ефимов, В.М.
Синица, С.П.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Иваненко С.И. Таможня. Что нужно знать деловому человеку : Актуал. вопр. таможенного регулирования в сфере внешнеэкон. деятельности 1993-1994 гг.Экспресс-вып / С.И.Иваненко,Ю.Г.Федоскин, 1993. - 377 c.Сибирцев А.А. Рождение странности при аннигиляции в покое на ядрах / А.А.Сибирцев, 1994. - 24 c. - Текст : непосредственный.Грушко Ю.С. Установка для исследования высокотемпературной сверхпроводимости вещества / Ю.С.Грушко,С.А.Щетковский, 1994. - 18 c. - Текст : непосредственный.Головач Ю. On the method for study of the critical behaviour in non-integer space dimension / Ю.Головач, 1993. - 40 p.Котиков А.В. Longitudinal structure function F as function of F and dF /dlnQ at small x / А.В.Котиков, 1994. - 7 p. - Текст : непосредственный.Георгиев Д. "Слабый" антиферромагнетизм в YFeO и HoFeO / Д. Георгиев, К. Крежов, В. В. Нитц, 1994. - 4 c. - Текст : непосредственный.Батусов Ю.А. Стереоскопический мезооптический фурье-микроскоп с двойной фокусировкой / Ю. А. Батусов, Л. М. Сороко, В. В. Терещенко, 1994. - 11 c. - Текст : непосредственный.Mathematical methods of texture analysis. Abstracts, 1995. - 34 p. - Текст : непосредственный.Антоненко Н.В. Введение в теорию ядерных реакций с тяжелыми ионами / Н. В. Антоненко, Р. В. Джолос, С. П. Иванова, 1995. - 34 c. - Текст : непосредственный.Спектрометр ферромагнитного резонанса локальных участков тонких магнитных пленок / Б.А.Беляев,А.А.Иваненко,А.А.Лексиков и др., 1995. - 58 c. - Текст : непосредственный.Application of luminescent pressure sensor technology to propellers / A.Bykov,S.Fonov,A.Kishalov и др., 1995. - 13 p. - Текст : непосредственный.Разностные схемы метода опорных операторов для уравнений теории упругости / О.А.Дремов,А.В.Колдоба,А.Х.Пергамент и др., 1995. - 23 c. - Текст : непосредственный.Магзумов А.Э. О влиянии добавок СО на размер детонационной ячейки в водородсодержащих смесях / А. Э. Магзумов, И. А. Кириллов, В. Д. Русанов, 1995. - 16 c. - Текст : непосредственный.Поспелов В.В. О связи между теорией ортогональных многочленов и трехдиагонализацией несимметричных матриц / В.В.Поспелов,А.Н.Матвеева, 1995. - 14 c. - Текст : непосредственный.Мардоян Л.Г. Oscillator as a hidden non-abelian monopole / Л. Г. Мардоян, A. N. Sissakian, V. M. Ter-Antonyan, 1996. - 6 c. - Текст : непосредственный.Емельяненко Г.А. Critical-component method solutions of linear algebraic equations / Г. А. Емельяненко, T. T. Rakhmonov, E. B. Dushanov, 1996. - 23 p. - Текст : непосредственный.Гаврилюк С.Л. Вариационный подход к построению гиперболических моделей двухскоростных сред / С.Л.Гаврилюк,Ю.В.Перепечко, 1996. - 25 c. - Текст : непосредственный.Мясников Е.А. О точной константе в неравенстве с положительным оператором на конусе монотонных функций / Е.А.Мясников, 1996. - 31 с. - Текст : непосредственный.Брюно А.Д. Нулькратные и обратные периодические решения ограниченной задачи трех тел / А.Д.Брюно, 1996. - 32 с. - Текст : непосредственный.Ломакина Е.Н. Об операторах типа Харди в банаховых функциональных пространствах на полуоси / Е.Н.Ломакина,В.Д.Степанов, 1996. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКонтактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыLee G.Y. Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflachen von Feldeffekttransistoren : Diss. / G.Y.Lee, 1992. - 127 S. - Текст : непосредственный.HEMTs and HBTs:devices,fabrication and circuits : Ксерокопия / ed. F. Ali, ed. A. Gupta, 1991. - XI,371 p. p. - Текст : непосредственный.Weis J. Einzelelxektron-Tunneltransistor:Transportspektroskopie der elektronischen Grund- und Anregungszustande in einem GaAs/AlxGa1-xAs-Quantentopf : Diss. / J.Weis, 1994. - 196 S. - Текст : непосредственный.Nawaz M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) / M.Nawaz,G.U.Jensen, 1995. - 13 p. - Текст : непосредственный.Langen W. Herstellung und Charakterisierung selektiv gewachsener vertikaler Feldeffekttransistoren : Diss. / W.Langen, 1995. - 95 S. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Учебное пособие по курсу элементная база радиоэлектроники. Биполярные и полевые транзисторы. Интегральные схемы / М.Д.Воробьев, 1991. - 83 с. - Текст : непосредственный.Designing with field-effect transistors : Diazocopy(6) / сост.rev. E. Oxner, 1990. - 296 мкфш. - Текст : непосредственный.Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres. Pt. 8,Sect.1 : Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz, 1987. - 33 p. - Текст : непосредственный.Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Weiss M. Leistungscharakteristik und Sattigungsmechanismen von TEGFETs und MESFETs : Diss. / M.Weiss, 1988. - XI,214 S. S. - Текст : непосредственный.Mietzner T.K.R. Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berucksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung : Diss. / T.K.R.Mietzner, 2001. - IV,124 S. S. - Текст : непосредственный.Романов В.П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах : Учеб.пособие / В.П.Романов, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный.Li T. Channel formation in organic field-effect transistors / T.Li,J.W.Balk,P.P.Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Полевые транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотельная электроника" для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков,Е.Зенова, 2004. - 59 с. - Текст : непосредственный.Aaen P.H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood, 2007. - XV, 362 p. - Текст : непосредственный.Полевые транзисторы и их применение в технике связи : монография / А. Н. Игнатов, 2008. - 319 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7518 : Tuneable electron transport in metallic nanostructures : diss. / S. Dasgupta, 2009. - X, 125 p. - Текст : непосредственный.Маликов С.В. Полевые транзисторы / С. В. Маликов, Н. В. Маликова, 2012. - 68 с. - Текст : непосредственный.Галкин В.Н. Полевые транзисторы в чувствительных усилителях / В. Н. Галкин, 1974. - 141, [2] с.Максименко, Юрий Николаевич. Мощные полупроводниковые приборы со статической индукцией : монография / Ю. Н. Максименко, 2022. - 213 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Показать все результатыЭлектрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Восстановление генерационного времени жизни носителей в МОП структуре на основе высокоомного кремния / Э.А.Асланов,А.А.Бейрамов,Э.А.Джафаров и др., 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Косцова Н.Э. Влияние модели расчета вольт-фарадных характеристик на определение параметров МДП-структур / Н. Э. Косцова, А. Н. Коршунов, Е. Г. Сальман, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.2 / В.А.Высоцкий,О.И.Коньков,А.Г.Смирнов,Е.И.Теруков, 1989. - 31 с. - Текст : непосредственный.Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.1 / В.А.Высоцкий,О.И.Коньков,А.Г.Смирнов и др., 1989. - 47 с. - Текст : непосредственный.Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽