• ВХОД
  •  

    Полное описание

    М/14715/1493
    Formation and annealing of defects in N-type silicon under combined gettering / N.T.Bagraev,L.E.Klyachkin,A.M.Malyarenko и др. - Leningrad : [s. n.], 1990. - 36 p. - (Препринт / Физико-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе(Ленинград) ; 1493). - 200 экз. - Беспл. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.: с. 35-36 (24 назв.)
    ГРНТИ УДК
    47.09.29621.315.592.9(04)

    Рубрики:
    Кремний -- Обработка

    Доп. точки доступа:
    Bagraev, N.T.
    Klyachkin, L.E.
    Malyarenko, A.M.
    Экз-ры полностью М/14715/1493
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽