Приложение
для AndroidПолное описание
Glow-discharge hydrogenated amorphous silicon / ed. K. Tanaka. - Tokyo : Sci. publ. ; Kluwer : Dordrecht etc., 1989. - X,277 p. p. : ill. - (Advances in solid state technology ; n4). - ISBN 0-7923-0309-1 : 34.10 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.в конце ст.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592 |
Рубрики:
Кремний
Доп. точки доступа:
Tanaka, K.\ed.\
Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ХР (1), (2)
Свободны: ХР (1), (2)
Копия:
Микроструктура керамики, обладающей высокой теплопроводностью / Ин-т сверхтвердых материалов. - 12 с. - Текст : непосредственный.Сальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. О. Сальник, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ким Ха Ен.Исследование уширения глубоких уровней в полупроводниках методами нестационарной емкостной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Ким Ха Ен, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Савчук С.А. Определение углерода в легколетучих материалах полупроводниковой техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:02.00.02 / С. А. Савчук, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Соловьев В.А. Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / В. А. Соловьев, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ерохин Ю.Н. Влияние фотовозбуждения электронной подсистемы кремния на образование и перестройку радиационных дефектов при ионной имплантации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Ю. Н. Ерохин, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Соломонов А.И. Дефекты кристаллической решетки GaP и их влияние на свойства диодных структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Соломонов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ходжаев К.Х. Диффузия примесей олова,серебра и железа в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Х. Ходжаев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Салимов Н.С. Влияние резонансного рассеяния на кинетические явления в полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.09 / Н. С. Салимов, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гуменюк-Сычевская Ж.В. Электронные свойства структур с квантовыми ямами Pb Te/Pb Sn Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. В. Гуменюк-Сычевская, 1991. - 14 14с. - Текст : непосредственный.Сафронов Н.В. Быстрый термический отжиг монокристаллов кремния,легированных ионами Ш-V- групп (As ,In ,и As /In ,P /In ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Сафронов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Алдабергенова С.Б. Фотоиндуцированная и термостимулированная деградация аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / С. Б. Алдабергенова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Турсунов У.С. Природа электрической активности примесей редкоземельных металлов в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / У. С. Турсунов, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дричко И.Л. Акустические свойства полутораокиси ванадия и антимонида индия в окрестности перехода металл-диэлектрик : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Дричко, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Тимофеев М.П. Низкотемпературная электронная кинетика и переход металл-изолятор в 6Н-Si:N : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. П. Тимофеев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Велинова Ю.Г. Эллипсометрические исследования тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. Г. Велинова, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Мельничук С.В. Локализованные состояния в электронном и колебательном спектрах полупроводников А В ,легированных 3d-элементами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / С. В. Мельничук, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Рахимбаев Д. Экспериментальное исследование профиля распределения концентрации кадмия и ртути в твердотельных диффузионных зонах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Д. Рахимбаев, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кока А.П. Разработка и создание автоматизированной системы для исследования полупроводниковых материалов и структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / А. П. Кока, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыИсследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - 13 c. - Текст : непосредственный.Рамановский микроанализ остаточных напряжений в обработанном кремнии и германии / Ин-т сверхтвердых материалов. - 21 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 75 c. - Текст : непосредственный.Chelikowsky J.R. First principles simulation of liquid silicon using langevin dynamics with quantum interatomic forces / J.R.Chelikowsky,N.Troullier,N.Binggeli, 1993. - 15 p.,6 l. p.,6 l. - Текст : непосредственный.Yeckel A. Theoretical analysis and design considerations for float-zone refinement of electronic grade silicon sheets / A.Yeckel,G.Salinger,J.J.Derby, 1994. - 34 p. - Текст : непосредственный.Binggeli N. Photoemission spectra and structures of Si clusters at finite temperature / N.Binggeli,J.R.Chelikowsky, 1995. - 10 p. - Текст : непосредственный.Vibrational modes of silicon nanostructures / X.Jing,N.Troullier,R.Chelikowsky и др., 1995. - 11 p. - Текст : непосредственный.Chelikowsky J.R. Atomic and electronic structure of silicon clusters at finite temperature / J.R.Chelikowsky,N.Binggeli, 1995. - Var.pag. - Текст : непосредственный.Лунц Д.Г. Физические свойства метастабильных фаз антимонида галлия и кремния / Д. Г. Лунц, С. В. Демишев, Н. Е. Случанко, 1996. - 22 c. - Текст : непосредственный.Айвазов А.А. Аморфный гидрогенизированный кремний и приборы на его основе : Учеб. пособие / А.А.Айвазов,Б.Г.Будагян, 1996. - 71 с. - Текст : непосредственный.Ogut S. Quantum confinement and optical gaps in Si nanocrystals / S.Ogut,J.R.Chelikowsky,S.G.Louie, 1997. - 4 p. - Текст : непосредственный.Cerofolini G.F. Physical chemistry of,in and on silicon / G.F.Cerofolini,L.Meda, 1989. - VIII,122 p. p. - Текст : непосредственный.Li J. MIDI! Basis set for silicon, bromine, and iodine / J.Li,Ch.J.Cramer,D.G.Truhlar, 1997. - 18 p. - Текст : непосредственный.Kruger M. Mikrostrukturierung von porosem Silicium fur optische und optoelektronische Anwendungen : Diss. / M.Kr@:uger, 1998. - XII,138 S. S. - Текст : непосредственный.Characterization of structural and electronic properties in undoped hydrogenated amorphous silicon / M.Stutzmann,G.Nobile,A.Rubino,P.Menna, 1990. - 19 p. - Текст : непосредственный.Glow-discharge hydrogenated amorphous silicon / ed. K. Tanaka, 1989. - X,277 p. p. - Текст : непосредственный.Quantum-size p-n juctions in silicon / N.T.Bagraev,A.M.Malyarenko,L.E.Klyachkin,V.L.Sukhanov, 1991. - 22 p. - Текст : непосредственный.Vasiliev I. Optical absorption and electronic excitations in hydrogenated silicon clusters / I.Vasiliev,S.Ogut,J.R.Chelikowsky, 1999. - 6 p. - Текст : непосредственный.Vasiliev I. Optical excitations in nanostructures: application of time dependent denstiy functional theory to Sin(n=3-10) clusters / I.Vasiliev,S.Ogut,J.R.Chelikowsky, 1999. - 8 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыСальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. О. Сальник, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ким Ха Ен.Исследование уширения глубоких уровней в полупроводниках методами нестационарной емкостной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Ким Ха Ен, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Савчук С.А. Определение углерода в легколетучих материалах полупроводниковой техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:02.00.02 / С. А. Савчук, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Соловьев В.А. Определение геометрических и электрофизических параметров полупроводниковых гетероструктур методами растровой электронной микроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / В. А. Соловьев, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ерохин Ю.Н. Влияние фотовозбуждения электронной подсистемы кремния на образование и перестройку радиационных дефектов при ионной имплантации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Ю. Н. Ерохин, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Соломонов А.И. Дефекты кристаллической решетки GaP и их влияние на свойства диодных структур на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Соломонов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ходжаев К.Х. Диффузия примесей олова,серебра и железа в аморфном гидрированном кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. Х. Ходжаев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Салимов Н.С. Влияние резонансного рассеяния на кинетические явления в полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.09 / Н. С. Салимов, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Быков А.А. Свойства мезоскопических систем в микроволновом поле : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / А. А. Быков, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Гуменюк-Сычевская Ж.В. Электронные свойства структур с квантовыми ямами Pb Te/Pb Sn Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. В. Гуменюк-Сычевская, 1991. - 14 14с. - Текст : непосредственный.Крючков С.В. Влияние сильных внешних полей на электронные свойства квантовых сверхрешеток : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / С. В. Крючков, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.Берил С.И. Исследование состояний электрон-фононных и электрон-дырочно-фононных систем на контакте двух сред,в многослойных структурах и в сверхрешетках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / С. И. Берил, 1991. - 32 с. - Текст : непосредственный.Чистяков В.М. Математическое моделирование в диагностике полупроводниковых гетероструктур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. М. Чистяков, 1991. - 27 с. - Текст : непосредственный.Хачатуров А.И. Нелинейные эффекты в проводимости неоднородных сверхпроводящих и нормальных туннельных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / А. И. Хачатуров, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.До Куок Хунг.Получение фоточувствительных гетероструктур nITO/pInP и исследование их электрофизических свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук:01.04.10 / До Куок Хунг, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сабер Саид Мадкур.Кинетические эффекты в тонких пленках и в многослойных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.02 / Сабер Саид Мадкур, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Гаджико Мамаду Алиу.Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnTe(Se) -CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Гаджико Мамаду Алиу, 1990. - 11 с. - Текст : непосредственный.Садаев Бури.Особенности получения полуизолирующих слоев GaAs Cr ,Al Ga As Cr методом жидкофазной эпитаксии и исследование фоточувствительных структур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Садаев Бури, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽