Приложение
для AndroidПолное описание
Majkusiak, B. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS:Konsekwencje dla dzialania i modelowania / B.Majkusiak. - Warszawa : [s. n.], 1991. - 117 p. : ill. - (Elektronika:Prace naukowe / Politech.Warszawska, ISSN 0137-2343 ; n97). - 3.00 р. - Текст : непосредственный.
Рез.рус.,англ.Библиогр.:с.103-113
Перевод заглавия: Очень тонкие вентильные окислы в МОП-транзисторах.Результаты для производства и моделирования
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.323 |
Рубрики:
МОП-транзисторы
Кл.слова (ненормированные): моп-транзистор
Доп. точки доступа:
Politechnika Warszawska
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Majewski A. Graficzna interpretacja modow swiatlowodu wloknistego / A.Majewski,L.Owczarek, 1993. - 48 s. - Текст : непосредственный.Sosnowski J. Analiza oraz metody tolerowania bledow przemijajacych w systemach cyfrowych / J.Sosnowski, 1993. - 96 s. - Текст : непосредственный.Mikrofalowe reflektometry trojwrotowe na pasmo lis. System pomiarowy do badania wlasnosci dielektrykow i ferrytow w pasmie mikrofalowym ; / J. Modelski, S Dmowski, J. Krupka, 1994. - 101 s. - Текст : непосредственный.Szczepanski P. Rola przestrzennego rozkladu pola w generacji promieniowania w laserze / P.Szczepanski, 1994. - 125 p. - Текст : непосредственный.Nowosad K. Strukturalne cechy regulacji predykcyjnej / K.Nowosad, 1995. - 62 s. - Текст : непосредственный.Beck R.B. Modelowanie procesow utleniania krzemu / R.B.Beck, 1995. - 160 s. - Текст : непосредственный.Adamski M. Methods for nonlinear analysis of microwave circuits with diodes ; Noise in periodically driven microwave circuits with diodes / M. Adamski, M. Faber ; M.Adamski,M.Faber, 1996. - 133 p. - Текст : непосредственный.Sacha K. Projektowanie oprogramowania systemow wbudowanych / K.Sacha, 1996. - 128 s. - Текст : непосредственный.Czosnyka M. Analiza dynamicznych procesow wewnatrzcaszkowej kompensacji objetosciowej / M.Czosnyka, 1996. - 74 s. - Текст : непосредственный.Ladzinski R. Synteza regulatora dla obiektu liniowego o skonczonej wymiarowosci metoda stabilnych funkcji wymiernych / R.Ladzinski, 1997. - 68 s. - Текст : непосредственный.Kowalski A. Zastosowanie wielomianow czebyszewa do analizy swiatlowodow cylindrycznych / A.Kowalski, 1992. - 67 s. - Текст : непосредственный.Wojtkiewicz A. Cyfrowe metody tlumienia zaklocen pasywnych w radarach pracujacych z nierownomiernym sondowaniem przestrzeni / A.Wojtkiewicz, 1991. - 89 s. - Текст : непосредственный.Pfitzner A. Modelowanie elementow polprzewodnikowych dla statystycznej symulacji ukladow scalonych VLSI / A.Pfitzner, 1999. - 191 s. - Текст : непосредственный.Szabatin J. Odporne i silnie zgodne metody i algorytmy identyfikacji sygnalow / J.Szabatin, 1998. - 156 s. - Текст : непосредственный.Kaluzynski K. Analysis and modelling of ultrasonic doppler signals in medical application / K.Kaluzynski, 1998. - 97 p. - Текст : непосредственный.Hejn K. Wybrane zagadnienia metrologii wspolczesnych przetwornikow analogowo-cyfrowych / K.Hejn, 1999. - 85 s. - Текст : непосредственный.Czarnecki W. Algorytmy permutacyjne w symulacji tla radiolokacyjnego / W.Czarnecki, 1999. - 135 s. - Текст : непосредственный.Krasinski Z. Analiza numeryczna jednomodowych swiatlowodow eliptycznych / Z.Krasinski,A.Majewski, 1991. - 62 s. - Текст : непосредственный.Burakowski W. Metody analizy ruchowej zespolow sterujacych central ze sterowaniem programowym / W.Burakowski, 1991. - 85 s. - Текст : непосредственный.Majkusiak B. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS:Konsekwencje dla dzialania i modelowania / B.Majkusiak, 1991. - 117 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКонтактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыNagel N. Losungswachstum von Siliziumschichten auf Siliziumdioxid und Charakterisierung der Schichten : Diss. / N.Nagel, 1993. - 140 S. - Текст : непосредственный.SIPMOS semiconductors, 1995. - 4 p. - Текст : непосредственный.Sekigawa T. study of new structure short channel MOS transistors / T.Sekigawa, 1991. - 110 p. - Текст : непосредственный.Emunds A. Dynamische und kinetische Eigenschaften eines quasi 2-dimensionalen Elektronengases : Diss. / A.Emunds, 1990. - 116 S. - Текст : непосредственный.Lancaster D. CMOS-Kochbuch : Ubersetzung vom Englisch / D.Lancaster, 1989. - Pag.var. - Текст : непосредственный. Majkusiak B. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS:Konsekwencje dla dzialania i modelowania / B.Majkusiak, 1991. - 117 p. - Текст : непосредственный.Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 1, 2002. - 413 с. - Текст : непосредственный.Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный.Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 2, 2004. - 535 с. - Текст : непосредственный.Croon J.A. Matching properties of deep sub-micron mos transistors / J. A. Croon, H. E. Maes, W. Sansen, 2005 r=on-lineNarendra S.G. Leakage in nanometer CMOS technologies / S. G. Narendra, A. Chandrakasan, 2006 r=on-line.Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Я. Красников, 2011. - 799 с. - Текст : непосредственный.Методы подавления короткоканальных эффектов в субмикронных MOS-транзисторах : учебное пособие / Г. В. Быкадорова, А. Н. Цоцорин, А. Е. Бормонтов, С. В. Авилов, 2021. - 116 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Андриевский В.В. Исследование физических процессов в кремниевых МДП-структурах,стимулированных ионно-имплантированными и термическими воздействиями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Андриевский, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ершова Ю.В. Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. В. Ершова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мичелена М.Автоматизированная система измерения вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.16 / Мичелена М., 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Шварц Н.Л. Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.полей:01.04.10 / Н. Л. Шварц, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пак Тэ Хва.Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физж.-мат.наук / Пак Тэ Хва, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гамола О.Е. Моделирование и исследование МОП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.05 / О. Е. Гамола, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Белоусов И.И. Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния,полученной при низких (100-400 С) температурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. И. Белоусов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Селезнев В.Н. Оптоэлектронные процессы в многослойных структурах на основе кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / В. Н. Селезнев, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Носенко С.В. Влияние атомарного водорода на свойства структуры Si-SiO : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. В. Носенко, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Гольдберг Ю.А. Поверхностно-барьерные структуры металл-полупроводник А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. А. Гольдберг, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Зиннурова Э.З. Моделирование структурнозависимых технологических процессов формирования и характеристик поликремниевого МДП-транзистора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Э. З. Зиннурова, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Ермолов А.В. Электрофизические и структурные характеристики сформированной лазерным напылением границы раздела InSb-CdTe для МДП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. В. Ермолов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Бадалов А.З. Особенности неравновесных электронно-ионных процессов в МДП и гетероструктурах на основе кремния и фосфида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. З. Бадалов, 1992. - 39 с. - Текст : непосредственный.Виноградова Н.С. Влияние состояния поверхности арсенида галлия на характеристики полевых транзисторов с барьером Шоттки СВЧ диапазона : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Н. С. Виноградова, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Сторонский Н.М. Кулоновская гибридная локализация электронов в неупорядоченных системах и ее влияние на электрофизические свойства МДП структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. М. Сторонский, 1992. - 17 с. - Текст : непосредственный.Сумарока А.М. Эффекты пространственной локализации электронных состояний и электрической неоднородности границы раздела при термоактивационном анализе Si-МОП-структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. М. Сумарока, 1993. - 23 с. - Текст : непосредственный.Балтянский С.Ш. Методы и средства измерения распределенных параметров комплексной проводимости МДП-структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.05 / С. Ш. Балтянский, 1993. - 17 с. - Текст : непосредственный.Лазутин Ю.А. Быстродействующие диодно-транзисторные ограничители мощности для приемных модулей СВЧ в гибридноинтегральном и монолитном исполнениях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Ю. А. Лазутин, 1993. - 20 с. - Текст : непосредственный.Жукова Т.В. Исследование ионоселективных полевых транзисторов,избирательных к ионам CL ,BF ,K и NH : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.02 / Т. В. Жукова, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Люмаров П.П. Разработка электрических интерполяционных моделей МОП-транзисторов повышенной точности : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук: 05.27.01 / П. П. Люмаров, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽