Приложение
для AndroidПолное описание
Обзоры по электронной технике : обзорная информация / ЦНИИ "Электроника". - М. : [б. и.], 19 - . - В надзаг.Департамент электрон. пром-сти. - Текст : непосредственный.
Вып. 4(1643) : Повышение работоспособности полупроводниковых приборов в условиях воздействия ионизирующего излучения : по дан.отеч.и зарубеж.печати 1987-1990 гг. / Ю.Л.Баранов,И.И.Круглов. - 1991. - 36 с. : ил. - 4.10 р.
Сер.2.Полупроводниковые приборы.Библиогр.:с.30-33 (46 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382:539.16 |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы -- Влияние ионизирующих излучений
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковый прибор -- влияние -- ионизирующее излучение
Доп. точки доступа:
Круглов, И.И.
"Электроника", ин-т (Москва)
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАствацатурьян Е.Р. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия / Е.Р.Аствацатурьян,Д.В.Громов,В.М.Ломако, 1992. - 219 c. - Текст : непосредственный.Briere M.A. Hydrogen incorporation and radiation induced dynamics in metal-oxide silicon structures : A study using nuclear reaction analysis:Diss. / M.A.Briere, 1993. - 90 p. - Текст : непосредственный.Dose characteristics of high-energy neutrons for radiation damage evaluation of silicon semiconductor devices / F.G.Alekseev,E.N.Savitskaya,S.A.Kharlampiev,I.A.Kurochkin, 1994. - 14 p. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 4(1643) : Повышение работоспособности полупроводниковых приборов в условиях воздействия ионизирующего излучения : По дан.отеч.и зарубеж.печати 1987-1990 гг. / Ю.Л.Баранов,И.И.Круглов, 1991. - 36 с. - Текст : непосредственный.Experimental findings on self-recovery and improvement of representative parameters of some semiconductor devices as irradiated in fast neutron flux / W.Hammer,Sl.Sterlinski,V.M.Nazarov,Z.Bober, 1990. - 6 p. - Текст : непосредственный.Радиационная стойкость изделий ЭКБ : науч. изд. / А. И. Чумаков [и др.] ; под ред. А. И. Чумакова, 2015. - 512 с. - Текст : непосредственный.Мустафаев Г.А. Проектирование радиационно стойких полупроводниковых приборов и интегральных микросхем : учеб. пособие / Г. А. Мустафаев, Н. В. Черкесова, 2017. - 93 с. - Текст : непосредственный.Сиделев, Алексей Владимирович. Разработка детекторов поглощенной дозы ионизирующего излучения с чувствительными элементами на основе p-канальных МНОП-транзисторов : специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Сиделев Алексей Владимирович, 2025. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Сафаров З.Б. Радиационные эффекты на границе раздела фаз в слоистых структурах на основе GaSe и GaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / З. Б. Сафаров, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ходжаев Т.А. Влияние радиации на электрофизические свойства и механизм дефектообразования полупроводниковых структур и приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Т. А. Ходжаев, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Антипин В.В. Полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы и устройства на их основе в условиях воздействия мощного импульсного СВЧ излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / В. В. Антипин, 1996. - 20 с. - Текст : непосредственный.Болотов В.В. Радиационная модификация структур на основе кремния и германия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Болотов, 1996. - 57 с. - Текст : непосредственный.Таперо К.И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. И. Таперо, 1996. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ахабаев Б.А. Лазерные имитационные методы моделирования переходных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05,05.27.01 / Б. А. Ахабаев, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Левин М.Н. Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на систему кремний-двуокись кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. Н. Левин, 1997. - 37 с. - Текст : непосредственный.Богатырев Ю.В. Воздействие ионизирующих излучений на структуры металл-диэлектрик-полупроводник и приборы на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 01.04.10,05.27.01 / Ю. В. Богатырев, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Демарина Н.В. Электронный транспорт в GaAs в структурах при радиационном воздействии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. В. Демарина, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Фигуров В.С. Прогнозирование показателей стойкости изделий полупроводниковой электроники к воздействию импульсных ионизирующих излучений по результатам испытаний : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.05,05.27.01 / В. С. Фигуров, 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гафуров О.В. Исследование влияния радиации на дефектообразование и электрофизические свойства полупроводниковых структур и приборов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. В. Гафуров, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бухаров В.Э. Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / В. Э. Бухаров, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Аствацатурьян Е.Р. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия / Е.Р.Аствацатурьян,Д.В.Громов,В.М.Ломако, 1992. - 219 c. - Текст : непосредственный.Briere M.A. Hydrogen incorporation and radiation induced dynamics in metal-oxide silicon structures : A study using nuclear reaction analysis:Diss. / M.A.Briere, 1993. - 90 p. - Текст : непосредственный.Dose characteristics of high-energy neutrons for radiation damage evaluation of silicon semiconductor devices / F.G.Alekseev,E.N.Savitskaya,S.A.Kharlampiev,I.A.Kurochkin, 1994. - 14 p. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 4(1643) : Повышение работоспособности полупроводниковых приборов в условиях воздействия ионизирующего излучения : По дан.отеч.и зарубеж.печати 1987-1990 гг. / Ю.Л.Баранов,И.И.Круглов, 1991. - 36 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1617) : Радиационная стойкость приборов с зарядовой связью (ПЗС), работающих в диапазоне криогенных температур (по дан.отеч.и зарубеж.печати за 1980-1990 гг.) / А.И.Пыхтунова, 1990. - 67 с. - Текст : непосредственный.Разработка радиационно стойких полупроводниковых приборов для систем связи и прецизионных измерений с использованием шумового анализа : Труды 1-го рабочего совещания по проекту НАТО SfP-973799 SemiconductorsАпр. 2001 г., 2001. - 170 с. - Текст : непосредственный.Experimental findings on self-recovery and improvement of representative parameters of some semiconductor devices as irradiated in fast neutron flux / W.Hammer,Sl.Sterlinski,V.M.Nazarov,Z.Bober, 1990. - 6 p. - Текст : непосредственный.Разработка радиационно стойких полупроводниковых приборов для систем связи и прецизионных измерений с использованием шумового анализа : Труды 2-го рабочего совещ.по проекту НАТО SFP-973799 Полупроводники,апр.2002 г., 2002. - 190 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽