Приложение
для AndroidПолное описание
Pfitzner, A. Modelowanie elementow polprzewodnikowych dla statystycznej symulacji ukladow scalonych VLSI / A.Pfitzner. - Warszawa : [s. n.], 1999. - 191 s. : il. - (Elektronika:Prace naukowe / Politech.Warszawska, ISSN 0137-2343 ; z.120). - 10.00 р. - Текст : непосредственный.
Рез.англ.Библиогр.:с.182-190
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.31 | 621.3.049.771.14.001.57 |
Рубрики:
Интегральные схемы большие -- Моделирование
Кл.слова (ненормированные): большая интегральная схема
Доп. точки доступа:
Politechnika Warszawska
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Majewski A. Graficzna interpretacja modow swiatlowodu wloknistego / A.Majewski,L.Owczarek, 1993. - 48 s. - Текст : непосредственный.Sosnowski J. Analiza oraz metody tolerowania bledow przemijajacych w systemach cyfrowych / J.Sosnowski, 1993. - 96 s. - Текст : непосредственный.Mikrofalowe reflektometry trojwrotowe na pasmo lis. System pomiarowy do badania wlasnosci dielektrykow i ferrytow w pasmie mikrofalowym ; / J. Modelski, S Dmowski, J. Krupka, 1994. - 101 s. - Текст : непосредственный.Szczepanski P. Rola przestrzennego rozkladu pola w generacji promieniowania w laserze / P.Szczepanski, 1994. - 125 p. - Текст : непосредственный.Nowosad K. Strukturalne cechy regulacji predykcyjnej / K.Nowosad, 1995. - 62 s. - Текст : непосредственный.Beck R.B. Modelowanie procesow utleniania krzemu / R.B.Beck, 1995. - 160 s. - Текст : непосредственный.Adamski M. Methods for nonlinear analysis of microwave circuits with diodes ; Noise in periodically driven microwave circuits with diodes / M. Adamski, M. Faber ; M.Adamski,M.Faber, 1996. - 133 p. - Текст : непосредственный.Sacha K. Projektowanie oprogramowania systemow wbudowanych / K.Sacha, 1996. - 128 s. - Текст : непосредственный.Czosnyka M. Analiza dynamicznych procesow wewnatrzcaszkowej kompensacji objetosciowej / M.Czosnyka, 1996. - 74 s. - Текст : непосредственный.Ladzinski R. Synteza regulatora dla obiektu liniowego o skonczonej wymiarowosci metoda stabilnych funkcji wymiernych / R.Ladzinski, 1997. - 68 s. - Текст : непосредственный.Kowalski A. Zastosowanie wielomianow czebyszewa do analizy swiatlowodow cylindrycznych / A.Kowalski, 1992. - 67 s. - Текст : непосредственный.Wojtkiewicz A. Cyfrowe metody tlumienia zaklocen pasywnych w radarach pracujacych z nierownomiernym sondowaniem przestrzeni / A.Wojtkiewicz, 1991. - 89 s. - Текст : непосредственный.Pfitzner A. Modelowanie elementow polprzewodnikowych dla statystycznej symulacji ukladow scalonych VLSI / A.Pfitzner, 1999. - 191 s. - Текст : непосредственный.Szabatin J. Odporne i silnie zgodne metody i algorytmy identyfikacji sygnalow / J.Szabatin, 1998. - 156 s. - Текст : непосредственный.Kaluzynski K. Analysis and modelling of ultrasonic doppler signals in medical application / K.Kaluzynski, 1998. - 97 p. - Текст : непосредственный.Hejn K. Wybrane zagadnienia metrologii wspolczesnych przetwornikow analogowo-cyfrowych / K.Hejn, 1999. - 85 s. - Текст : непосредственный.Czarnecki W. Algorytmy permutacyjne w symulacji tla radiolokacyjnego / W.Czarnecki, 1999. - 135 s. - Текст : непосредственный.Krasinski Z. Analiza numeryczna jednomodowych swiatlowodow eliptycznych / Z.Krasinski,A.Majewski, 1991. - 62 s. - Текст : непосредственный.Burakowski W. Metody analizy ruchowej zespolow sterujacych central ze sterowaniem programowym / W.Burakowski, 1991. - 85 s. - Текст : непосредственный.Majkusiak B. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS:Konsekwencje dla dzialania i modelowania / B.Majkusiak, 1991. - 117 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыНитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Исюк В.И. Разработка математических и программных средств функционально-логического моделирования и тестирования КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / В. И. Исюк, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Семенов Н.Е. Оптимизация методов проектирования топологии кристаллов с линейчатой структурой : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Н. Е. Семенов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Шелепин Н.А. Исследование свойств и характеристик структур полупроводник-диэлектрик-полупроводник и разработка конструктивно-технологических методов повышения быстродействия БИС на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Н. А. Шелепин, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный.Абачев М.К. Исследование формирования глубоких щелей в кремнии при плазмохимическом и реактивном ионном травлении в галогеносодержащих газах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / М. К. Абачев, 1990. - 26 с. - Текст : непосредственный.Мануйлов В.В. Моделирование процессов рентгенолитографии интегральных схем с применением синхротронного излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / В. В. Мануйлов, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Сидоренко П.В. Исследование и разработка интегрированной САПР аналоговых БИС на БМК : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / П. В. Сидоренко, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Букунов С.В. Моделирование и исследование субмикронных транзисторных структур для монолитных интегральных схем СВЧ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / С. В. Букунов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Бачурин В.И. Управление параметрами линейных интегральных схем топологией инжекционных структур с использованием САПР : Дис..д-ра техн.наук в форме науч.докл.:05.13.01:05.13.12 / В. И. Бачурин, 1991. - 38 с. - Текст : непосредственный.Романовский П.Г. Оптимизация метода моделируемого отжига при проектировании топологии интегральных схем на параллельной вычислительной системе с динамическим распределением задач : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / П. Г. Романовский, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Золотухина О.М. Причины разрушения кремниевых кристаллов БИС после монтажа в металлокерамические корпуса с применением золото-кремниевой эвтектики и их устранение : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / О. М. Золотухина, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Гындя С.И. Исследование и разработка способов создания и применения аппаратных ускорителей при моделировании ЦУ БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / С. И. Гындя, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Матвеева Н.К. Фото-и электронорезисты на основе полимерных лэнгмюровских пленок.Получение,свойства и применение : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.17.06 / Н. К. Матвеева, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРомановский П.Г. Оптимизация метода моделируемого отжига при проектировании топологии интегральных схем на параллельной вычислительной системе с динамическим распределением задач : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / П. Г. Романовский, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гындя С.И. Исследование и разработка способов создания и применения аппаратных ускорителей при моделировании ЦУ БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / С. И. Гындя, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пшеннов Д.Е. Исследование моделей МДП-схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.01.09 / Д. Е. Пшеннов, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Чеб Е.С. Математическое моделирование диффузионного перераспределения легирующей примеси при термическом отжиге : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.18 / Е. С. Чеб, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Черников С.В. Подсистема ускоренного логического моделирования на транспьютерной сети : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / С. В. Черников, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Филатов Н.И. Математические модели, алгоритмы и программные средства смешанного приборно-схемотехнического моделирования элементов БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.12 / Н. И. Филатов, 1993. - 39 с. - Текст : непосредственный.Абрамов И.И. Многомерное моделирование физических процессов в структурах кремниевых интегральных микросхем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:05.27.01 / И. И. Абрамов, 1993. - 33 с. - Текст : непосредственный.Муратчаев С.А. Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / С. А. Муратчаев, 1994. - 24 с. - Текст : непосредственный.Копылова Т.В. Некоторые задачи управления коэффициентами в параболических уравнениях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.18 / Т. В. Копылова, 1994. - 12 с. - Текст : непосредственный.Каргашин А.Е. Разработка физических моделей и методов сквозного физико-технологического моделирования биполярных кремниевых элементов (в нормальном и криогенном режимах) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / А. Е. Каргашин, 1996. - 21 с. - Текст : непосредственный.Шибков А.А. Численное моделирование субмикронных кремниевых приборов и технологических процессов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Шибков, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный.Чевычелов Ю.А. Разработка системы многоуровневого моделирования семейств биполярных матричных БИС высокой сложности : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.12 / Ю. А. Чевычелов, 1997. - 33 с. - Текст : непосредственный.Кононыхина Н.А. Разработка системы ускоренного моделирования на базе специализированного аппаратного ускорителя : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Н. А. Кононыхина, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.Куликов О.А. Разработка математического, алгоритмического и программного обеспечения для решения систем линейных алгебраических уравнений итерационными методами в системах схемотехнического моделирования УБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.13.12 / О. А. Куликов, 1999. - 14 с. - Текст : непосредственный.Черняев А.В. Разработка алгоритмов и программ совместного схемотехническо-электрофизического моделирования биполярных БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / А. В. Черняев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Genderen A.J.van Reduced models for the behavior of VLSI circuits : Diss. / A.J.van Genderen, 1991. - 191 p. - Текст : непосредственный.Чулков В.П. Моделирование технологических операций производства БИС : Учеб. пособие / В.П.Чулков, 1994. - 73 c. - Текст : непосредственный.Бордаков Е.В. Математическое моделирование технологических процессов, полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем : Конспект лекций / Е.В.Бордаков,А.И.Прокопьев, 1996. - 53 с. - Текст : непосредственный.Depta D. Beitrag zur Modellierung des thermischen und elektrischen Verhaltens von Metall/Barriere/Silizid-Silizium-Kontakten in hochintegrierten Schaltungen : Diss. / D.Depta, 1996. - VIII,86 S. S. - Текст : непосредственный.Eickhoff K.M. Effiziente Methoden zur Simulation grosser MOS-Schaltungen : Diss. / K.M.Eickhoff, 1991. - II,117 S. S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽