Приложение
для AndroidПолное описание
Shallow impurities in semiconductors : proc. of the 4 intern. conf. on shallow impurities in semiconductors, London, 31 July-2 Aug.1990 / Ed. G. Davies. - Zurich : Trans tech publ., 1990. - 476 p. : ill. - (Materials science forum, ISSN 0255-5476 ; n65-66(1990)). - ISBN 0-87849-619-X : 25.00 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.в конце статей. Указ.в конце кн.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:548.4(063) |
Рубрики:
Полупроводники -- Примеси -- Съезды и конференции
Доп. точки доступа:
Davies, G.\ed.\
Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ХР (1), (2)
Свободны: ХР (1), (2)
Копия:
Recrystallization'92 : Intern.conf.on recrystallization and related phenomena,San Sebastian,Aug.31-Sept.4,1992, 1993. - 724 p. - Текст : непосредственный.Growth and characterization of acoustico-optic materials / ed. N. B. Singh, ed. D. J. Todd, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Shallow impurities in semiconductors : Proc. of the 4 intern. conf. on shallow impurities in semiconductors, London, 31 July-2 Aug.1990 / Ed. G. Davies, 1990. - 476 p. - Текст : непосредственный.Halide glasses VI : Proc.of the 6th intern. symp. on.., Oct.1-5, 1989, Clausthal / ed. G. H. Frischat, ed. C. T. Moynihan, 1991. - 626 p. - Текст : непосредственный.Materials science for high technologies : Proc.of the Intern.symp.,held in Dresden,Apr.24-27,1990 / Ed.:J.Barthel et al. Pt. 1, 1990. - 406 p. - Текст : непосредственный.Materials science for high technologies : Proc.of the Intern.symp.,held in Dresden,Apr.24-27,1990 / Ed.:J.Barthel et al. Pt. 2, 1990. - 822 p. - Текст : непосредственный.Nuclear fuel fabrication : Proc.of a symp. on nuclear fuel fabrication, Bombay, Dec.12-14, 1988 / Ed. C. Ganguly, 1989. - IX,438 p. p. - Текст : непосредственный.Preparation and properties of silicon nitride based materials / ed. D. A. Bonnell, ed. T. Y. Tien, 1989. - VII,307 p. p. - Текст : непосредственный.Electrochemistry of conductive polymers : Proc.of the 2 Intern. school, Sulejow, Sept.10-16, 1988 / Ed.: J. Plocharski, S. Roth, 1989. - 243 p. - Текст : непосредственный.reactive element effect on high temperature oxidation - after fifty years / ed. W. E. King, 1989. - VIII,362 p. p. - Текст : непосредственный. Electrochemical methods in corrosion research : Proc. of the 3 Intern. symp., Z@:urich, July 12-15,1988 / Ed. B. Elsener, 1989. - XI,476 p. p. - Текст : непосредственный.Grain boundary chemistry and intergranular fracture / ed. G. S. Was, ed. S. M. Bruemmer, 1989. - V,358 p. p. - Текст : непосредственный.Materials science forum. Pt. 1, 1990. - 392 p. - Текст : непосредственный.Materials science forum. Pt. 2, 1990. - 393-778 p. p. - Текст : непосредственный.Properties and characterization of amorphous carbon films / ed. J. J. Pouch, ed. S. A. Alterovitz, 1990. - 701 p. - Текст : непосредственный.Synthesis and properties of boron nitride / ed. J. J. Pouch, ed. S. A. Alterovitz, 1990. - 415 p. - Текст : непосредственный.Dynamical processes in disordered systems / ed. W. M. Yen, 1989. - 243 p. - Текст : непосредственный.Metallic multilayers : Lectures presented to the summer school 2 "Multicouches metalliques", Aussois, Sept. 1989 / Ed.: A. Chamberod, J. Hillairet, 1990. - 627 p. - Текст : непосредственный.Materials processing in space : Proc. of an Intern. meet. on materials processing in space, in Chicago(Il), 24-30 Sept. 1988 / Ed. N. B. Singh, 1989. - 217 p. - Текст : непосредственный.Progress in powder metallurgy. Pt. 1 : Proceedings of the 2006 Powder metallurgy world congress & exhibition (PM 2006), held in Busan exhibition & Convention Center (BEXCO), Busan, Korea, Sept. 24-28, 2006 / Powder metallurgy world congress & exhibition (PM 2006) (2006; Busan), 2007. - XXXIV, 848 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыИсследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - 13 c. - Текст : непосредственный.Байрамов Б.Х. Неупругое рассеяние света свободными носителями заряда и связанными электрон-фононными возбуждениями в полупроводниковых кристаллах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Б. Х. Байрамов, 1991. - 43 с. - Текст : непосредственный.Гвоздкова И.А. Исследование эффектов пространственной дисперсии в полупроводниках и диэлектриках методом разностной спектроскопии комбинационного рассеяния света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.05 / И. А. Гвоздкова, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Стружкин В.В. Оптические свойства и электронная структура стекол As S ,As Se под давлением до 73 ГПа : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / В. В. Стружкин, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Гэн Чунь.Фотолюминесценция сверхрешеток на основе аморфного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Гэн Чунь, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Ижнин А.И. Люминесцентные свойства твердых растворов Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Ижнин, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Григоренко А.А. Электронная структура и оптические свойства соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. А. Григоренко, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Крылова Н.О. Рентгеновская муаровая и плосковолновая топография дефектов в монокристаллах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. О. Крылова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мельник Н.Н. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в селениде цинка с термическими и радиационными дефектами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. Н. Мельник, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Клингер П.М. Взаимодействие электрически неактивных примесей с собственными дефектами в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / П. М. Клингер, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ли Шэнь.Термооптические нелинейности и бистабильность в CdS и CdS Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук:01.04.10 / Ли Шэнь, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Лукиянец Б.А. Теория электронного спектра и электрон-фононного взаимодействия в слоистых полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.02 / Б. А. Лукиянец, 1991. - 27 с. - Текст : непосредственный.Гарасим В.И. Получение и физические свойства монокристаллов твердых растворов Pb Sn S Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. И. Гарасим, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Дадыкин А.А. Влияние состояния поверхности кремния на фотополевую электронную эмиссию,адсорбцию и поверхностную диффузию : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.04 / А. А. Дадыкин, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Мальтекбасов М.Ж. Электронные процессы в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников,полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / М. Ж. Мальтекбасов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Григорьев Р.В. Приповерхностная низкотемпературная фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов CdS : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Р. В. Григорьев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Федина Л.И. Формирование скоплений междоузельных атомов в кристаллах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / Л. И. Федина, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гельфанд Р.Б. Электронная структура дефектов,содержащих водород и литий в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Р. Б. Гельфанд, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыEarly stages of oxygen precipitation in silicon : Proc.of the NATO Advanced research workshop on early stages of oxygen precipitation in silicon,Exeter,U.K.,March 26-29,1996 / Ed. R. Jones, 1996. - XVIII,530 p. p. - Текст : непосредственный.Defect recognition in semiconductors before and after processing : Proc.ofthe 4th intern.conf.,18-22 March 1991,Wilmslow, 1992. - 310 p.Polycrystalline semiconductors : grain boundaries and interfaces:Proc.of the intern.symp.,Malente Aug.29-Sept.2,1988 / Ed. H. J. Moller, 1989. - XI,394 p. p. - Текст : непосредственный.Shallow impurities in semiconductors : Proc. of the 4 intern. conf. on shallow impurities in semiconductors, London, 31 July-2 Aug.1990 / Ed. G. Davies, 1990. - 476 p. - Текст : непосредственный.Beam injection assessment of defects in semiconductors : Intern.workshop,Meudon-Bellevue,France,18-19-20 July,1988, 1989. - XIV,Pag.var. - Текст : непосредственный.Point and extended defects in semiconductors : Proc.of the NATO advaced research second workshop on Point, Extended and surface defects in semiconductors, held Nov.2-7, 1988, Erice / ed. G. Benedek, 1989. - X,287 p. p. - Текст : непосредственный.Свойства и структура дислокаций в полупроводниках : V Международная конференцияСб. докл., Москва, СССР, 17-22 марта 1986 г. / Институт физики твердого тела (Москва), 1989. - 216 с. - Текст : непосредственный.Structure and properties of dislocations semiconductors 1989 : Proc.of the 6 intern.symp., Oxford, 5-8 Apr. 1989 / ed. S. G. Roberts, 1989. - XII, 470 p. 470 p. - Текст : непосредственный.Defects-recognition, imaging and physics in semiconductors XIV : selected, peer rev. papers from the 14th intern. conf. on defects-recognition, imaging and physics in semiconductors (DRIP-14), Sept. 25-29, 2011, Miyazaki, Jap. / International conference on defects-recognition, imaging and physics in semiconductors (14; 2011; Miyazaki), 2012 r=on-line.Defects and diffusion in semiconductors XIV : vol. 14 / ed. D. J. Fisher, 2012 r=on-line.
Заказ фрагмента документа ₽