Приложение
для AndroidПолное описание
Игумнов, Д. В. Цифровые транзисторные элементы : учеб. пособие / Д.В.Игумнов,Г.П.Костюнина. - М. : [б. и.], 1998. - 63 с. : ил. - 300 экз. - ISBN 5-7339-0163-2 : Б. ц. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Моск. гос. ин-т радиотехники, электроники и автоматики (техн. ун-т), МИРЭА. Библиогр.: с.62 (4 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.3 | |
| 50.09.29 | 004.312 | |
| 50.11.31 | 004.33.087.2 |
Рубрики:
Транзисторы
Логические элементы
Запоминающие устройства полупроводниковые
Кл.слова (ненормированные): переключающий транзистор -- логический элемент -- полупроводниковые запоминающие устройства
Доп. точки доступа:
Костюнина, Г.П.
Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ХР (3)
Свободны: ХР (3)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Модуль тестирования памяти: Руководство пользователя. Рабочая станция тестирования на базе платы 2276 / ВЦП. - 167 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Альшаэр Фахед.Автоматизация тестового диагностирования дискретных устройств ЭВМ на БИС(СБИС) ПЛМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / Альшаэр Фахед, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыИсследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Flash memory. Vol. 1, 1994. - Pag var var. - Текст : непосредственный.Flash memory. Vol. 2, 1994. - Pag var var. - Текст : непосредственный.Appenzeller J. Quantentransistor im zweidimensionalen Elektronengas hoher Beweglichkeit : Diss. / J.Appenzeller, 1995. - 140 S. - Текст : непосредственный.Игумнов Д.В. Ключевые транзисторные элементы : Учеб.пособие / Д.В.Игумнов,Г.П.Костюнина, 1996. - 47 c. - Текст : непосредственный.Кичаева Н.А. Малошумящие транзисторы и усилители / Н.А.Кичаева, 1994. - 43 c. - Текст : непосредственный.Урбанович П.П. Избыточность в полупроводниковых интегральных микросхемах памяти / П.П.Урбанович,В.Ф.Алексеев,Е.А.Верниковский, 1995. - 262 c. - Текст : непосредственный.28F016XD 16-Mbit 91 Mbit x 16) DRAM-interface flash memory, 1994. - 55 p. - Текст : непосредственный.Dilger M. Herstellung und Charakterisierung von Einzelelektronentransistoren : Diss. / M.Dilger, 1996. - 199 S. - Текст : непосредственный.Nieder J. Magnetotransportuntersuchungen an eindimensionalen Transistoren : Diss. / J.Nieder, 1992. - 168 S. - Текст : непосредственный.Пальянов И.А. Схемотехника и контроль элементов пороговой логики / И.А.Пальянов,В.И.Потапов, 1993. - 155 с. - Текст : непосредственный.Шауцукова Л.З. Логические основы ЭВМ : Учеб.пособие / Л.З.Шауцукова, 1996. - 44 с. - Текст : непосредственный.Антонов А.П. Обзор элементной базы фирмы ALTERA / А. П. Антонов, В. Ф. Мелехин, А. С. Филиппов, 1997. - 142 с. - Текст : непосредственный.Костенко М.И. Механизм фоточувствительности гетерогенных систем на основе композиций полупроводник-органическая среда : Препринт / М.И.Костенко, 1997. - 61 с. - Текст : непосредственный.Костенко М.И. Влияние дефектного состава органической матрицы на кинетику образования фотоактивных центров : Препринт / М.И.Костенко,Е.Ю.Римлянд, 1997. - 82 с. - Текст : непосредственный.Битар Б. Логические программируемые элементы : (Структуры, характеристики и применение) / Б.Битар, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Пынько А.П. Структурный семантический подход к построению пропозициональных логических систем / А.П.Пынько, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Hemink G.J. Vipmos-A buried injector structure for nonvolatile memory applications : Diss. / G.J.Hemink, 1992. - 147 p. - Текст : непосредственный.Мурсаев А.Х. Структуры и схемотехника современных интегральных полупроводниковых запоминающих устройств : Учеб.пособие / А.Х.Мурсаев,Е.П.Угрюмов, 1997. - 70 с. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 5 : 2N21.. 2N6776, 1993. - 129 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКанивец В.А. Алгоритмические вопросы теории преобразователей над размеченными деревьями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. А. Канивец, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Андриевский В.В. Исследование физических процессов в кремниевых МДП-структурах,стимулированных ионно-имплантированными и термическими воздействиями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Андриевский, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Демьянчук Т.М. Устройства контроля динамических параметров цифровых интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук в форме науч.доклада:05.13.05 / Т. М. Демьянчук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Кардаш С.Н. Диалоговая система синтеза комбинационных логических схем в базисе ПЛМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / С. Н. Кардаш, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ершова Ю.В. Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. В. Ершова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мичелена М.Автоматизированная система измерения вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.16 / Мичелена М., 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Шварц Н.Л. Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.полей:01.04.10 / Н. Л. Шварц, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гуров С.И. Аппроксимация подмножеств n-мерного единичного куба множествами единиц монотонных булевых функций : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.01.09 / С. И. Гуров, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мараховский В.Б. Проектирование самосинхронных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.05 / В. Б. Мараховский, 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Пак Тэ Хва.Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физж.-мат.наук / Пак Тэ Хва, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучернюк П.В. Разработка адаптивных физико-топологических моделей биполярных транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:06.27.01 / П. В. Кучернюк, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гамола О.Е. Моделирование и исследование МОП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.05 / О. Е. Гамола, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Белоусов И.И. Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния,полученной при низких (100-400 С) температурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. И. Белоусов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Селезнев В.Н. Оптоэлектронные процессы в многослойных структурах на основе кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / В. Н. Селезнев, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Носенко С.В. Влияние атомарного водорода на свойства структуры Si-SiO : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. В. Носенко, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Турсунбаев Ф.К. Разработка и моделирование статических многозначных структур и управление их состояниями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.01,05.13.05 / Ф. К. Турсунбаев, 1991. - 30 с. - Текст : непосредственный.Гольдберг Ю.А. Поверхностно-барьерные структуры металл-полупроводник А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. А. Гольдберг, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Зиннурова Э.З. Моделирование структурнозависимых технологических процессов формирования и характеристик поликремниевого МДП-транзистора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Э. З. Зиннурова, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Хлыбов А.И. Разработка комплексной системы повышения помехоустойчивости скоростных интегральных микросхем на арсениде галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. И. Хлыбов, 1992. - 31 с. - Текст : непосредственный.Ермолов А.В. Электрофизические и структурные характеристики сформированной лазерным напылением границы раздела InSb-CdTe для МДП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. В. Ермолов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽