Приложение
для AndroidПолное описание
Юневич, Е. О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич. - М. : [б. и.], 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: АН СССР,Ин-т радиотехники и электроники. Библиогр.: с. 19-20(8назв.).
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.29 | 621.382.2.018.756(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкфш. Шифр МФ
Перенос электронов и ионов в плазменных средах магнетронов / ВЦП.Киев.ред. - 10 с. - Текст : непосредственный.Модель переноса энергетических электронов в магнетронных разрядах / ВЦП.Киев.ред. - 23 с. - Текст : непосредственный.Осциллограф "Тектроникс" 2232" / ВЦП. - 176 с. - Текст : непосредственный.Источник рентгеновского излучения КМ 12505S P1506 / ВЦП. - 11 с. - Текст : непосредственный.Рентгеновские трубки для применения в рентгенографии, где важна разрешающая способность / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Формирователь отклоняющих напряжений ASG 04 / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Т912 10МГц. Запоминающий осциллограф с дополнительными устройствами : Инструкция по эксплуатации / ВЦП. - 193 c. - Текст : непосредственный.Рыбаков А.Б. Теория полого катода в дуговом режиме : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / А. Б. Рыбаков, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Юневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ломакин О.Е. Анализ замедляющих систем на основе моделей с распределенными параметрами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.07 / О. Е. Ломакин, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Чурилов Г.Н. Разработка и исследование генераторов плазмы килогерцевого диапазона частот : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Г. Н. Чурилов, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Юдин Б.И. Исследование тепловых процессов в полом катоде : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / Б. И. Юдин, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Валеева А.А. Численное исследование тепловых и газодинамических характеристик в канале СВЧ плазмотрона радиального типа : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / А. А. Валеева, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Россохатая Н.А. Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.16 / Н. А. Россохатая, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Демидова Н.С. Расширение плазмы поперек внешнего магнитного поля и механизм работы диода с магнитной изоляцией : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. С. Демидова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Красик Я.Е. Исследование генерации мощных ионных пучков в модифицированных диодных системах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:05.27.02 / Я. Е. Красик, 1991. - 50 с. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Петков А.П. Оптические пространственно-временные исследования плазменных источников и их применение на практике : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.05 / А. П. Петков, 1990. - 33 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЮневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Карфул Ризек.Поведение глубоких центров в Ga As при лазерном облучении барьеров Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Карфул Ризек, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Шур М.С. Исследование электрических доменов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук:01.04.02 / М. С. Шур, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Тарнавский С.П. Перезарядка поверхностных состояний в контактах металл-полупроводник в сильных электрических полях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. П. Тарнавский, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Подчищаева О.В. Перестройка частоты колебаний в диодах Ганна мм-диапазона из фосфида индия в условиях оптической накачки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / О. В. Подчищаева, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Карташова О.А. Кинетическое моделирование неравновесных процессов в субмикронных диодных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / О. А. Карташова, 1994. - 15 с.950405. - Текст : непосредственный.Малинин Ю.Г. Механизм токопрохождения и фотоЭДС диодов Шоттки на основе арсенида индия и фосфида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Ю. Г. Малинин, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Милюткин Е.А. Электрофизические свойства контактов редкоземельный металл-кремний, силицид редкоземельного металла-кремний и поверхностно-барьерных диодов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. А. Милюткин, 1997. - 19 с. - Текст : непосредственный.Бабаян А.В. Исследование влияния саморазогрева и нелинейности характеристик диодов Ганна на их работу в режиме генерации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10:01.04.03 / А. В. Бабаян, 1998. - 16 с. - Текст : непосредственный.Чепуров С.В. Сверхбыстродействующие нелинейные элементы на барьере Шоттки в системах синтеза и измерения частот СММ, ИК, видимого диапазонов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / С. В. Чепуров, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мельников Г.Д. Влияние структурного совершенства эпитаксиальных слоев GaAs на параметры барьеров Шоттки : Дис. на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10 / Г. Д. Мельников, 1990. - 24 с. - Текст : непосредственный.Фетисова В.М. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А В : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / В. М. Фетисова, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Супрунова Е.Ф. Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / Е. Ф. Супрунова, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Исследование динамики электронов в полупроводниковой структуре диода Ганна в коротковолновой части миллиметрового диапазона и анализ возможностей создания генераторов гармоник : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01, 01.04.03 / К. А. Разумихин, 2006. - 15 с. - Текст : непосредственный.Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.10 / Х. М. Салихов, 2010. - 35 с. - Текст : непосредственный.Нелинейная динамика распределения концентрации носителей заряда, напряженности электрического поля и образование доменов в диодах Ганна : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01, 01.04.03 / В. Ю. Кваско, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.Федин И.В. Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия : специальность 01.04.04 - "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / И. В. Федин, 2019. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽