Приложение
для AndroidПолное описание
Введение в оптоэлектронику : учеб. пособие по курсу "Оптоэлектроника" / В.А.Голенищев-Кутузов,А.И.Ларюшин,Г.Р.Еникеева,А.В.Голенищев-Кутузов;Под ред. В. А. Белавина. - М. : МЭИ, 1992. - 95 с. : ил. - 300 экз. - 2.50 р. - Текст : непосредственный.
В надзаг.:Моск. энерг. ин-т.Библиогр.: с. 93 (6 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 621.383 |
Рубрики:
Оптоэлектроника
Доп. точки доступа:
Голенищев-Кутузов, В.А.
Ларюшин, А.И.
Еникеева, Г.Р.
Голенищев-Кутузов, А.В.
Белавин, В.А.\ред.\
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ХР (2)
Свободны: ХР (2)
Введение в оптоэлектронику : Учеб. пособие по курсу "Оптоэлектроника" / В.А.Голенищев-Кутузов,А.И.Ларюшин,Г.Р.Еникеева,А.В.Голенищев-Кутузов;Под ред. В. А. Белавина, 1992. - 95 с. - Текст : непосредственный.Верещагин И.К. Введение в оптоэлектронику / И. К. Верещагин, Л. А. Косяченко, С. М. Кокин, 1991. - 191 с. - Текст : непосредственный.Введение в оптоэлектронику : учеб. пособие / П. А. Павлов, 2010. - 83 с. - Текст : непосредственный.
Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Ким Мен Хо.Выращивание объемных монокристаллов р-SiC(Al,N) для электролюминесцентных источников света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / Ким Мен Хо, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Афраилов М.А. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Афраилов, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Атаев Ж. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства пленок a-Si:H,полученных методами тлеющего разряда и распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. Атаев, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Калантарова З.С. Влияние электрооптических связей на функциональные возможности оптоэлектронных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / З. С. Калантарова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гурьянов А.А. Оптические исследования материалов,испытывающих фазовый переход со скачком проводимости : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / А. А. Гурьянов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Осипов М.Ю. Методы математического моделирования в САПР систем автоматизированного выращивания оптических кристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / М. Ю. Осипов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зейналов Э.З. Электрофизические и оптические свойства монокристаллов MnGa Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Э. З. Зейналов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучук Ж.С. Синтез и свойства кристаллов и пленок силленитов,содержащих ионы переходных элементов Cr ,Fe ,Co ,Ni : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Ж. С. Кучук, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Касимова Г.А. Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов (Ga S ) (Eu O ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Г. А. Касимова, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шефова И.А. Оптические и фотоэмиссионные свойства многощелочного фотокатода : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / И. А. Шефова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бекетов Г.В. Механизм формирования анодных пассивирующих покрытий и свойства пассивированной поверхности узкозонных полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Г. В. Бекетов, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багиров М.А. Двухфотонное поглощение света в узкощелевых полупроводниках и структурах на их основе с двумерным электронным газом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Багиров, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Остовская Н.В. Устойчивость нелинейных волн в диэлектрических и магнитных средах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Остовская, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Монастырский М.А. Методы возмущений в задачах анализа и синтеза эмиссионных электронно-оптических систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.03;01.04.04 / М. А. Монастырский, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный.Кононенко В.К. Кинетика неравновесных процессов в оптоэлектронных полупроводниковых структурах при мощном возбуждении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. К. Кононенко, 1992. - 37 с. - Текст : непосредственный.Кератишвили Н.Г. Исследование статистических свойств абсолютных измерителей квантовой эффективности фотоприемников,основанных на эффекте спонтанного параметрического рассеяния(СПР) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук:01.04.05 / Н. Г. Кератишвили, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Броневой И.Л. Обратимое пороговое просветление арсенида галлия под действием пикосекундного импульса света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Броневой, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Тютюнников Н.Н. Разработка автоматизированной системы расчета параметров процессов фото-и вторичной электронной эмиссии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Н. Н. Тютюнников, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Чернов Е.И. Структурные методы и средства оптимизации фотодиодных фотоприемных устройств как преобразователей информационно-измерительных систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.11.16 / Е. И. Чернов, 1992. - 34 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыОптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 23, 1992. - 93 с. - Текст : непосредственный.Алексеев С.А. Экспериментальная оптика полупроводников : Учеб.пособие для студентов вузов по напр."Оптотехника","Электроника и микроэлектроника" и спец."Опт.приборы и системы","Микроэлектроника и полупровдниковые приборы" / С. А. Алексеев, В. Т. Прокопенко, А. Д. Яськов, 1994. - 248 c. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 26, 1993. - 111 с. - Текст : непосредственный.survey on the femtosecond technology, 1994. - 76 p. - Текст : непосредственный.Веприков В.И. Основы оптоэлектроники : Учеб. пособие / В.И.Веприков,О.Г.Дигун, 1995. - 103 c. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 28, 1995. - 101 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед.сб.науч.тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 29, 1995. - 115 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 30, 1995. - 155 с. - Текст : непосредственный.Шмелев С.К. Оптоэлектроника : Учеб.пособие / С.К.Шмелев, 1997. - 166 с. - Текст : непосредственный.Носов Ю.Р. Дебют оптоэлектроники / Ю.Р.Носов, 1992. - 239 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 27, 1994. - 121 с. - Текст : непосредственный.Барыбин А.А. Волновые процессы в электронике : Текст лекций / А.А.Барыбин,П.А.Колодин, 1997. - 47 с. - Текст : непосредственный.Введение в оптоэлектронику : Учеб. пособие по курсу "Оптоэлектроника" / В.А.Голенищев-Кутузов,А.И.Ларюшин,Г.Р.Еникеева,А.В.Голенищев-Кутузов;Под ред. В. А. Белавина, 1992. - 95 с. - Текст : непосредственный.Курбатов Л.Н. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра / Л.Н.Курбатов, 1999. - 320 с. - Текст : непосредственный.Seippel R.G. Optoelectronics for technicians and engineering / R.G.Seippel, 1989. - XV,382 p. p. - Текст : непосредственный.Радиотехника и электроника : Сб.ст. / Минский радиотехн.ин-т. Вып. 20 : Оптоэлектроника, 1991. - 164 с. - Текст : непосредственный.Барыбин А.А. Волновые процессы в электронике : Учеб.пособие / А. А. Барыбин, А. А. Захаров, А. А. Левицкий, 1999. - 47 с. - Текст : непосредственный.Мартынов В.Н. Полупроводниковая оптоэлектроника : Учеб.пособие для вузов по направлению "Электроника и микроэлектроника" и спец. "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы" / В.Н.Мартынов,Г.И.Кольцов, 1999. - 399 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 33, 1998. - 218 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 34, 1999. - 194 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДубков В.П. Зона локализованных состояний в сплавах Pb -Sn Se,облученных электронами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.09 / В. П. Дубков, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Рожкова О.М. Физические процессы,определяющие КПД фотопреобразователей при переходе от слабой освещенности к сильной : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01:01.04.10 / О. М. Рожкова, 1991. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ваад Аши.Исследование возможности повышения спектральной фоточувствительности резкоасимметричных солнечных элементов на основе меди и фотоактивного полупроводника : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ваад Аши, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ким Мен Хо.Выращивание объемных монокристаллов р-SiC(Al,N) для электролюминесцентных источников света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / Ким Мен Хо, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Афраилов М.А. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Афраилов, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Павелец С.Ю. Фотоэлектрическое преобразование в тонкопленочных поликристаллических барьерных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / С. Ю. Павелец, 1990. - 29 с. - Текст : непосредственный.Атаев Ж. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства пленок a-Si:H,полученных методами тлеющего разряда и распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. Атаев, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Стрельцов М.В. Вакуумно-плазменные процессы в технологии создания ИК формирователей сигналов изображения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / М. В. Стрельцов, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Калантарова З.С. Влияние электрооптических связей на функциональные возможности оптоэлектронных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / З. С. Калантарова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гурьянов А.А. Оптические исследования материалов,испытывающих фазовый переход со скачком проводимости : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / А. А. Гурьянов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Осипов М.Ю. Методы математического моделирования в САПР систем автоматизированного выращивания оптических кристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / М. Ю. Осипов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зейналов Э.З. Электрофизические и оптические свойства монокристаллов MnGa Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Э. З. Зейналов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучук Ж.С. Синтез и свойства кристаллов и пленок силленитов,содержащих ионы переходных элементов Cr ,Fe ,Co ,Ni : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Ж. С. Кучук, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Касимова Г.А. Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов (Ga S ) (Eu O ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Г. А. Касимова, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шефова И.А. Оптические и фотоэмиссионные свойства многощелочного фотокатода : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / И. А. Шефова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бекетов Г.В. Механизм формирования анодных пассивирующих покрытий и свойства пассивированной поверхности узкозонных полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Г. В. Бекетов, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багиров М.А. Двухфотонное поглощение света в узкощелевых полупроводниках и структурах на их основе с двумерным электронным газом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Багиров, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Остовская Н.В. Устойчивость нелинейных волн в диэлектрических и магнитных средах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Остовская, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽