Приложение
для AndroidПолное описание
Ястребов, А. С. Электрические поля и процессы пробоя в диэлектриках, полупроводниках и структурах на их основе / А.С.Ястребов. - СПб. : Политехника, 1997. - 111 с. : ил. - 1000 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.105-110
| ГРНТИ | УДК | |
| 45.09.37 | 621.315.61.015.51 | |
| 47.33 | 621.315.592.015.51 | |
| 47.09.29 | 621.382.015.51 |
Рубрики:
Диэлектрики -- Пробой
Полупроводники -- Пробой
Полупроводниковые приборы -- Пробой
Кл.слова (ненормированные): диэлектрик -- пробой -- полупроводник -- пробой -- полупроводниковый прибор -- пробой
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказаны экз-ры для отделов: ХР
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Микроструктура керамики, обладающей высокой теплопроводностью / Ин-т сверхтвердых материалов. - 12 с. - Текст : непосредственный.Исследование локализованных уровней в полуизоляторах с помощью комбинированных измерений термически активированной омической проводимости и проводимости, ограниченной пространственным зарядом / Ин-т сверхтвердых материалов. - 27 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Сальник А.О. Фотодефлекционная спектроскопия кремния с импульсным и гармоническим возбуждением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. О. Сальник, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДжабер Абдульхафиз Мохамед М.Нелинейная вольтамперная характеристика (ВАХ) и относительное изменение пробивного поля(примесного)в магнитном поле : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / М. Джабер Пбдульхафиз Мохамед, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ершова Н.Ю. Исследование электрической прочности тонких диэлектрических слоев : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / Н. Ю. Ершова, 1995. - 18 с. - Текст : непосредственный.Стригин М.Б. Светодетонационная волна, возбуждаемая лазерным излучением в прозрачном диэлектрике : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.03 / М. Б. Стригин, 1996. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ластовский С.Б. Влияние радиационных дефектов, вводимых электронным облучением на электрический пробой кремниевых p-n переходов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. Б. Ластовский, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Олешко В.И. Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. И. Олешко, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Florkowska B. Analiza mechanizmow wyladowan niezupelnych w ukladach elektroizolacyjnych wysokiego napiecia / B.Florkowska, 1995. - 145 p. - Текст : непосредственный.Konig G. adaptives digitales Filterverfahren zur Unterdruckung hochfrequenter periodischer Storungen bei Teilentladungsmessungen : Diss. / G.Konig, 1991. - 114 S. - Текст : непосредственный. Ястребов А.С. Электрические поля и процессы пробоя в диэлектриках, полупроводниках и структурах на их основе / А.С.Ястребов, 1997. - 111 с. - Текст : непосредственный.Важов В.Ф. Пробой твердых диэлектриков : Учеб. пособие / В.Ф.Важов, 1992. - 80 с. - Текст : непосредственный.Гурский А.Л. Кристаллографическая ориентация путей электронного пробоя в диэлектриках в полупроводниках / А. Л. Гурский, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.Вершинин Ю.Н. Электронно-тепловые и детонационные процессы при электрическом пробое твердых диэлектриков / Ю.Н.Вершинин, 2000. - 258 с. - Текст : непосредственный.Партон В.З. Методы механики разрушения и пробой диэлектриков / В. З. Партон, Д. М. Мустафаев, Н. А. Сеник, 1991. - 24 с. - Текст : непосредственный.Arrayas M. Spontaneous branching of anode-directed streamers between Planar electrodes / M.Arrayas,U. M.Ebert,W. H.Hundsdorfer, 2001. - 7 p. - Текст : непосредственный.Торшин Ю.В. Физические процессы электрического пробоя конденсированных диэлектриков. Для внутренней изоляции аппаратов высокого, сверх- и ультравысокого напряжения / Ю. В. Торшин, 2008. - 212 с. - Текст : непосредственный.Барьерный эффект в диэлектриках / О. С. Гефле, С. М. Лебедев, Ю. П. Похолков, 2007. - 171 с. - Текст : непосредственный.Электрический пробой твердых диэлектриков / Г. А. Воробьев, С. Г. Еханин, Н. С. Несмелов, 2007. - 141 с. - Текст : непосредственный.Новые методы расчета электрических полей и пробивных напряжений p-n переходов в полупроводниковых приборах : монография / Б. К. Петров, О. Н. Шалимов, 2008. - 213 с. - Текст : непосредственный.Электрическое разрушение полимерных диэлектрических пленок в условиях подавления частичных разрядов : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / Н. Т. Сударь, 2008. - 32 с. - Текст : непосредственный.Разрядные процессы в диэлектриках в электрических и магнитных полях / Ф. Р. Исмагилов, Д. В. Максудов, 2010. - 180 с. - Текст : непосредственный.Инициация и развитие мультипакторного разряда на поверхности диэлектрика / Н. К. Вдовичева, В. Е. Нечаев, А. Г. Сазонтов, 2010. - 39 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽