Приложение
для AndroidПолное описание
Kleijn, C. R. Transport phenomena in chemical vapor deposition reactors : diss. / C.R.Kleijn. - Delft : [s. n.], 1991. - IX,260 p. p. : ill. - ISBN 90-900-4669-0. - Текст : непосредственный.
Рез.гол.Библиогр.в конце кн.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.16 | 539.23.08(043) |
Рубрики:
Пленки -- Производство -- Оборудование
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Вяткин А.Ф. Кинетические закономерности твердофазных процессов на поверхностях и межфазных границах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Ф. Вяткин, 1997. - 64 с. - Текст : непосредственный.Петухов В.Ю. Ионно-лучевой синтез тонких пленок в неметаллах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / В. Ю. Петухов, 1998. - 41 с. - Текст : непосредственный.Закутаев А.Н. Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.20,01.04.07 / А. Н. Закутаев, 1998. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ломских Н.В. Моделирование термоактивируемой структурной перестройки в бинарных сплавах и гетерофазных системах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. В. Ломских, 1998. - 19 с. - Текст : непосредственный.Добряков А.Л. Теоретическое исследование оптических и релаксационных (фемто) свойств пленок YBa Cu O Au, Cu и C : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.05 / А. Л. Добряков, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Фараджев Н.С. Структурный анализ поверхности методом дифракции квазиупруго рассеянных электронов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Н. С. Фараджев, 2000. - 22 с. - Текст : непосредственный.Чикирякин А.А. Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.06 / А. А. Чикирякин, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Степанов А.А. Математическое моделирование поверхностной диффузии в окрестности непрерывного фазового перехода : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.13.16 / А. А. Степанов, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ниматов С.Ж. ДМЭ исследование совершенства структуры поверхности при осаждении тонких слоев из низкоэнергетических ионных пучков : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / С. Ж. Ниматов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.IBM Journal Research <& >Development / IBM. - Журнал выходит с 1957г. Sputtering data / W.Eckstein,C.Garcia-Rosales,J.Roth,W.Ottenberger, 1993. - 342 p. - Текст : непосредственный.Eckstein W. Computer simulation of ion-solid interactions / W.Eckstein, 1991. - 296 p. - Текст : непосредственный.Kwatera A. Modelowanie chemicznego procesu osadzania cienkich warstw z fazy gazowej w warunkach kontrolowanych dyfuzja reagentow do podloza / A.Kwatera, 1991. - 108 s. - Текст : непосредственный.Proceedings of the tenth molecularbeam epitaxy workshop Sept. 1989, Raleigh(NC) : Diazocopy(6) / Molecular-beam epitaxy workshop (10 ; 1989 ; Raleigh, NC) , 1990. - 392 мкфш. - Текст : непосредственный.Kleijn C.R. Transport phenomena in chemical vapor deposition reactors : Diss. / C.R.Kleijn, 1991. - IX,260 p. p. - Текст : непосредственный.Микроскопия лэнгмюровских монослоев под углом Брюстера: Брюстеровская микроскопия / А.А.Никитенко,В.В.Савранский,Л.В.Беловолова и др., 1992. - 34 с. - Текст : непосредственный.Physics of thin films. Advances in research and development / Ed.:G.Hass. Vol. 15 : Thin films for advanced electronic devices: Xerox.(3 kor.), 1991. - XII,332 p. p. - Текст : непосредственный.Structure of surfaces and interfaces as studied using synchrotron radiation : A general discussion on ..,Apr.4-6,1990 / Organising comm. prof. A.C. Legon (chairman) et al., 1990. - 341 p. - Текст : непосредственный.Головнев И.Ф. Квантовая модель элементарных процессов в молекулярно-лучевой эпитаксии. 1.Решение нестационарного уравнения Шредингера в потенциалах, моделирующих взаимодействие с поверхностью / И.Ф.Головнев,О.В.Хохлов, 1992. - 36 с. - Текст : непосредственный.Swihart M. analysis of flow, temperature and chemical composition distortion in gas sampling through an orifice during chemical vapor deposition / M.Swihart,S.L.Girshick, 1999. - 35 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыKleijn C.R. Transport phenomena in chemical vapor deposition reactors : Diss. / C.R.Kleijn, 1991. - IX,260 p. p. - Текст : непосредственный.Головяшкин, Алексей Николаевич. Вакуумное оборудование напыления тонких пленок : учебное пособие / А. Н. Головяшкин, 2021. - 73, [2] с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽