Приложение
для AndroidПолное описание
Обзор зарубежных транзисторов . - М. : Изд-во фирмы "СИД", 19 - . - Текст : непосредственный.
Вып. 3 : 2SC11... 2SC4523. - М. : Изд-во фирмы "СИД", 1993. - 98 c. : ил. - Тираж не указ. - ISBN 5-900444-03-1 : Б. ц.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.3(05) |
Рубрики:
Транзисторы
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыAppenzeller J. Quantentransistor im zweidimensionalen Elektronengas hoher Beweglichkeit : Diss. / J.Appenzeller, 1995. - 140 S. - Текст : непосредственный.Игумнов Д.В. Ключевые транзисторные элементы : Учеб.пособие / Д.В.Игумнов,Г.П.Костюнина, 1996. - 47 c. - Текст : непосредственный.Кичаева Н.А. Малошумящие транзисторы и усилители / Н.А.Кичаева, 1994. - 43 c. - Текст : непосредственный.Dilger M. Herstellung und Charakterisierung von Einzelelektronentransistoren : Diss. / M.Dilger, 1996. - 199 S. - Текст : непосредственный.Nieder J. Magnetotransportuntersuchungen an eindimensionalen Transistoren : Diss. / J.Nieder, 1992. - 168 S. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 5 : 2N21.. 2N6776, 1993. - 129 с. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 3 : 2SC11.. 2SC4523, 1993. - 98 c. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 4 : 2SD11.. 2SD2120, 1993. - 52 с. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 1 : 2SA12.. 2SA1732, 1992. - 45 с. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 2 : 2SB12.. 2SB1406, 1992. - 41 с. - Текст : непосредственный.Sypli A. Zur Untersuchung von Einzelelektroneneffekten in ultrakleinen Al-Al2O3-Al-Tunnelkontakten : Diss. / A.Sypli, 1998. - 106 S. - Текст : непосредственный.Marso M.A. GaInAs Cameltransistoren : Diss. / M.A.Marso, 1991. - 122 S. - Текст : непосредственный.Игумнов Д.В. Цифровые транзисторные элементы : Учеб. пособие / Д.В.Игумнов,Г.П.Костюнина, 1998. - 63 с. - Текст : непосредственный.Гринфилд Д. Транзисторы и линейные ИС : Руководство по анализу и расчету / Д.Гринфилд;Пер. с англ. Н.И.Кузнецова, 1992. - 556 с. - Текст : непосредственный.Цыганков Б.К. Элементная база электронных устройств (диоды, транзисторы) : Учеб. пособие / Б.К.Цыганков, 1992. - 41 с., включ. обл. с., включ. обл. - Текст : непосредственный.Greenfield J.D. Practical transistors and linear integrated circuits / J.D.Greenfield, 1988. - XIV, 686 p. 686 p. - Текст : непосредственный.Сумецкий М.Ю. Резонансное туннелирование электронов через двух-и трехмерную наноструктуры / М.Ю.Сумецкий,М.Л.Фельштын, 1990. - 31 c. - Текст : непосредственный.Библиотека электронных компонентов. Вып. 16(2001) : Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный.Антипов Г.В. Транзисторы / Г.В.Антипов, 1990. - 69 с. - Текст : непосредственный.Transistors. 60 ed.,update, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыОбзор зарубежных транзисторов. Вып. 5 : 2N21.. 2N6776, 1993. - 129 с. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 3 : 2SC11.. 2SC4523, 1993. - 98 c. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 4 : 2SD11.. 2SD2120, 1993. - 52 с. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 1 : 2SA12.. 2SA1732, 1992. - 45 с. - Текст : непосредственный.Обзор зарубежных транзисторов. Вып. 2 : 2SB12.. 2SB1406, 1992. - 41 с. - Текст : непосредственный.Transistors. 60 ed.,update, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Transistors. 60 ed., 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽