Полное описание

Д11-26/46004
537.3/Т 384
Технология и модели выращивания монокристаллов полупроводников методом вытягивания из расплава и процессы жидкофазной эпитаксии кремния / Косушкин В. Г., Силаев И. В., Кожитов Л. В. [и др.] ; Министерство науки и высшего образования РФ, Северо-Осетинский государственный университет имени К. Л. Хетагурова [и др.]. - Воронеж : Оригами, 2026. - 237 с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 233-237 (194 назв.). - 500 экз. - ISBN 978-5-6056352-0-8 : 400 р. - Текст (визуальный) : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:548.5

Рубрики:
Полупроводники -- Кристаллизация
Кремний -- Кристаллизация

Кл.слова (ненормированные): метод чохральского -- фазовые равновесия -- выращивание кристаллов -- тепловые условия роста -- электропроводность -- плотность -- расплавы
Аннотация: Определены тенденции развития технологии и оборудования для производства монокристаллов полупроводников, включающие повышение размеров монокристаллов до 300-450 мм в диаметре и полную автоматизацию процесса выращивания. На основе анализа эволюции методов расчёта параметров процессов вытягивания монокристаллов определены основные типы моделей, описывающие процессы кристаллизации и включающие возможности расчёта тепловых узлов установок при экспериментальном определении граничных условий процессов. Показана применимость известных моделей расчётов параметров технологических процессов роста кристаллов по методу Чохральского для расчётов условий роста профилированных кристаллов по методу Степанова. Рассмотрены основные технологические процессы изготовления подложек полупроводниковых материалов включая новые технологии очистки поверхности подложек тлеющим разрядом и нагреванием в вакууме. На основе комплексных физико-химических исследований определены оптимальные составы растворов-расплавов и рассчитаны коэффициенты, характеризующие тепло- и массообмен при жидкофазной эпитаксии кремния. Рассмотрены основные закономерности жидкофазной эпитаксии кремния: процессы на фронте кристаллизации, массо- и теплообмен в растворе-расплаве, зарождение кристаллов кремния в объеме жидкой фазы. Обобщены результаты экспериментальных исследований по влиянию условий жидкофазной эпитаксии на структуру, морфологию и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев. Освещено применение метода жидкофазной эпитаксии кремния. Книга предназначена для научных и инженерно - технических работников, специализирующихся в создании технологий производства материалов и компонентов электронной техники, а также для студентов и аспирантов по направлениям подготовки 04.03.02 - Химия, физика и механика материалов, 22.03.01 - Материаловедение и технология материалов, 22.03.02 - Металлургия, 11.03.04 - Микро и наноэлектроника, 28.00.00 - Нанотехнологии и наноматериалы, 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника, 28.04.01 - Нанотехнологии и микросистемная техника, 03.03.02 - Физика, 03.04.02 - Физика полупроводников. Микроэлектроника.
Доп. точки доступа:
Косушкин, Виктор Григорьевич
Силаев, Иван Владимирович
Кожитов, Лев Васильевич
Супельняк, С.И.
Адарчин, С.А.
Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова (Владикавказ)

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ХРЦ (1), ХРР (1)
Свободны: ХРЦ (1), ХРР (1)

Заказать
Заказ фрагмента документа ₽