Приложение
для AndroidПолное описание
339.9/И 712
Институт Европы (Москва).
Доклады Института Европы = Reports of the Institute of Europe / Институт Европы Российской академии наук. - Москва : ИЕ РАН, 1994 - . - Парал. тит. л. англ. - Текст (визуальный) : непосредственный.
№ 421 : Глобальная конкуренция в области микроэлектроники, политические и экономические стратегии развития ведущих стран отрасли = Global competition in microelectronics, political and economic development strategies of leading countries in the industry : монография / Е. С. Чимирис. - 2025. - 170 с. : ил. - Библиогр.: с. 162-166 (48 назв.). - 300 экз. - ISBN 978-5-98163-234-1. - DOI 10.15211/report42025-421. - EDN PEUIEF : 400 р.
| ГРНТИ | УДК | |
| 06.51.51 | 339.924 | |
| 47.33 | 621.382 |
Рубрики:
Экономические отношения международные
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные): международная торговля -- оборудование -- производство -- тарифные ограничения -- глобальное лидерство -- конкурентоспособность -- технологическое развитие
Аннотация: Монография анализирует глобальную конкуренцию в сфере развития полупроводниковой отрасли. Рассмотрены структурные особенности мировой торговли, трансформация промышленной политики ведущих держав и усиливающиеся процессы регионализации на фоне геополитической напряжённости. Показаны риски технологической монополизации и оценены перспективы развития российской ми бэлектронной отрасли в условиях санкционного режима.
Доп. точки доступа:
Институт Европы(Москва)
Имеются экземпляры в отделах: всего 4 : ХРЦ (1), ФО24 (1), ХРР (2)
Свободны: ХРЦ (1), ФО24 (1), ХРР (2)
Обложка
Переход по DOI
Переход по EDN
Рабочая тетрадь. № 61 : Тридцатилетие независимости Украины: состояние политики и экономики / Владимир Мироненко, Екатерина Чимирис, Александр Гущин [и др.], 2021. - 55 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклад / Российский совет по международным делам (РСМД). № 84/2023 : Развитие ЕАЭС 2022+: стратегические задачи и требования времени / А. В. Точин, Т. М. Алиев, Е. С. Чимирис [и др.] ; редакционная группа: Е. О. Карпинская (ответственный редактор) [и др.], 2023. - 77 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Рабочая тетрадь. № 77 : Перспективы российско-сербских отношений в условиях санкционного давления / Е. Г. Энтина, Е. С. Чимирис, М. С. Лазович, 2023. - 31 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы / Институт Европы Российской академии наук. № 421 : Глобальная конкуренция в области микроэлектроники, политические и экономические стратегии развития ведущих стран отрасли : монография / Е. С. Чимирис, 2025. - 170 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Доклады Института Европы. № 358 : Внешняя торговля Европейского союза: особенности на современном этапе : монография / И. С. Гладков, Е. Ю. Горбатенко, 2018. - 91 с. - Текст : непосредственный.Доклады Института Европы. № 359 : Перспективы евроинтеграции: валютно-финансовые аспекты : [монография] / А. И. Бажан, 2018. - 73 с. - Текст : непосредственный.Доклады Института Европы. № 362 : Свет и тени "эры Макрона" / ответственный редактор В. Я. Швейцер, 2019. - 126, [1] с. - Текст : непосредственный.Доклады Института Европы. № 364 : Итоги правления Терезы Мэй : [сборник] / ответственный редактор Е. В. Ананьева, 2019. - 146, [1] с. - Текст : непосредственный.Доклады Института Европы. № 363 : Большое Причерноморье: политика, экономика, безопасность : [сборник статей] / отв. ред. О. В. Буторина, 2019. - 114, [1] с. - Текст : непосредственный.Доклады Института Европы. № 370 : Денежно-кредитное регулирование в России и ЕС : монография / А. И. Бажан, А. В. Кузнецов, В. Я. Пищик [и др.], 2020. - 99, [1] с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы. № 367 : Роль ООН, ЕС и ОБСЕ в кризисном урегулировании : монография / И. Н. Щербак, 2019. - 125 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы. № 372 : Европа в поисках новых решений / А. С. Айвазян, Л. О. Бабынина, М. В. Ведерников [и др.], 2020. - 139 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы. № 371 : Регулирование легальной миграции в Европейском Союзе : монография / Л. С. Биссон, 2020. - 148 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы. № 375 : Проблемы трансформации европейской безопасности в работах российских политологов : монография / А. А. Синдеев, 2020. - 98 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы / Институт Европы Российской академии наук. № 387 : Фактор Китая в Средиземноморье : монография / А. В. Авилова, Е. С. Алексеенкова, И. А. Бочаров [и др.] ; ответственные редакторы О. В. Буторина [и др.], 2022. - 199 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы / Институт Европы Российской академии наук. № 397 : Политика, экономика и безопасность современной Арктики : (к 25-летию Арктического совета) : монография / Ц. Ван, Ц. Янь, Б. Е. Власов [и др.] ; научный редактор В. П. Журавель, 2022. - 150 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы / Институт Европы Российской академии наук. № 401 : Германия, 2022 : монография : [в двух частях]ч. 2 / В. Б. Белов, Я. С. Баранов, К. А. Годованюк [и др.] ; ответственный редактор В. Б. Белов, 2023. - 140 с. - Текст : непосредственный.Доклады Института Европы / Институт Европы Российской академии наук. № 400 : Германия, 2022 : монография : [в двух частях]ч. 1 / В. Б. Белов, Я. С. Баранов, К. А. Годованюк [и др.] ; ответственный редактор В. Б. Белов, 2023. - 140 с. - Текст : непосредственный.Доклады Института Европы / Институт Европы Российской академии наук. № 404 : Новые явления в экономике Европы : монография / А. И. Бажан, В. С. Циренщиков, В. Я. Пищик [и др.], 2023. - 198 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы / Институт Европы Российской академии наук. № 407 : Финляндия в мировой торговле. Факторы интеграции и глобализации : монография / Р. М. Плюснин, 2024. - 172 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы / Институт Европы Российской академии наук. № 408 : Германия. 2023 : монография / В. Б. Белов, М. В. Грачева, А. К. Иванова [и др.] ; ответственный редактор В. Б. Белов, 2024. - 194 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы / Институт Европы Российской академии наук. № 412 : Италия в кризисном мире: политика, экономика, общество : монография / А. В. Авилова, Е. С. Алексенкова, Р. Алонци [и др.] ; ответственный редактор Е. С. Алексеенкова, 2024. - 152 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы / Институт Европы Российской академии наук. № 416 : Комплексный анализ арктических проблем в период подготовки и председательства России в Арктическом совете / В. П. Журавель, 2024. - 178 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Доклады Института Европы / Институт Европы Российской академии наук. № 411 : Энергетика большого Средиземноморья : монография / Е. Г. Энтина, М. Л. Энтин, М. Р. Салихов [и др.] ; ответственный редактор Е. Г. Энтина, 2024. - 140 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Показать все результатыКонтактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Экономические отношения между Советским Союзом и Финляндией в 1954-1955 / ВЦП. - 35 с. - Текст : непосредственный.Предложение о строительстве нового завода в рамках совместного предприятия по производству традиционных и параболических листовых рессор / ВЦП. - 42 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Период крутого поворота: с 1985 - по настоящее время / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТехническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Техническое руководство для ультразвукового генератора модели 1400 фирмы "Вест-Бонд" / ВЦП. - 21 c. - Текст : непосредственный.Инструкция по обращению с устройством присоединения проводов способом термокомпрессионной сварки / ВЦП. - 68 c. - Текст : непосредственный.Установка для химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении с использованием вертикального диффузионного реактора / ВЦП. - 16 c. - Текст : непосредственный.Вертикальные диффузионные печи и системы химического осаждения из паровой фазы при низком давлении / ВЦП. - 13 c. - Текст : непосредственный.Установка для плазменного химического осаждения из газовой фазы с плоской рабочей камерой (модель К-1) / ВЦП. - 12 c. - Текст : непосредственный.Установки для получения окисных пленок / ВЦП. - 17 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Frevel D. Untersuchungen im System Kalium-Aluminium-Silizium/Germanium und Aufbau eines LiAlSi-Halbleiterbauelementes : Diss. / D.Frevel, 1992. - 59 S. - Текст : непосредственный.Основные данные о японской официальной помощи развитию / М-во иностр.дел. Япония, 1993. - 40 c.Россия:внешнеэкономические связи в условиях перехода к рынку / Авт.кол.:Фаминский И.П.,Ершов Ю.А.,Кочетов Э.Г.и др.;Под ред.И.П.Фаминского, 1993. - 431 c. - Текст : непосредственный.Современные проблемы регулирования внешнеэкономической деятельности / ВНИКИ. Ч. 3 : Регулирование иностранных инвестиций на территории России и предпринимательской деятельности российских организаций за рубежом, 1993. - 111 с. - Текст : непосредственный.Беляков А.А. Основы эволюционного механизма интеграции экономики России в мировую экономику : Исследование-концепция / А.А.Беляков, 1994. - 51 c. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 23, 1992. - 93 с. - Текст : непосредственный.Андерсон Р. "Акулы" и "дельфины". Психология и этика российско-американского делового партнерства / Р.Андерсон,П.Н.Шихирев, 1994. - 208 c. - Текст : непосредственный.Грачев Ю.Н. Практика внешнеэкономической деятельности : Рекомендации отеч.предпринимателям / Ю.Н.Грачев,Ю.Н.Плотников, 1994. - 233 c. - Текст : непосредственный.High speed heterostructure devices / сост.ed. R. A. Kiehl, сост.ed. T. C.L.G. Sollner, 1994. - XII,454 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПичугин А.Е. Пьезоэлектронные импульсные устройства для управления положением оптических элементов в пространстве : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / А. Е. Пичугин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Юневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Компьютерное моделирование процессор роста полупроводниковых соединений А В в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Г. Э. Цырлин, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Зейн А.М. Исследование функции распределения вольт-амперных и гаусс-амперных характеристик горячих электронов при междолинном переносе в Ga1-x Alx As в сильных Е J.Н полях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. М. Зейн, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Киракозова Л.А. Особенности электронных кинетических характеристик в мышьяке и полупроводниковых сплавах висмут-сурьма при одноосном сжатии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.09 / Л. А. Киракозова, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Андриевский В.В. Исследование физических процессов в кремниевых МДП-структурах,стимулированных ионно-имплантированными и термическими воздействиями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Андриевский, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Россохатая Н.А. Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.16 / Н. А. Россохатая, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Демидова Н.С. Расширение плазмы поперек внешнего магнитного поля и механизм работы диода с магнитной изоляцией : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. С. Демидова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Джабер Абдульхафиз Мохамед М.Нелинейная вольтамперная характеристика (ВАХ) и относительное изменение пробивного поля(примесного)в магнитном поле : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / М. Джабер Пбдульхафиз Мохамед, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ершова Ю.В. Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. В. Ершова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мичелена М.Автоматизированная система измерения вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.16 / Мичелена М., 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Алиев В.Ш. Исследование взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью кремния при воздействии ионного облучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / В. Ш. Алиев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шварц Н.Л. Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.полей:01.04.10 / Н. Л. Шварц, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пак Тэ Хва.Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физж.-мат.наук / Пак Тэ Хва, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучернюк П.В. Разработка адаптивных физико-топологических моделей биполярных транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:06.27.01 / П. В. Кучернюк, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гамола О.Е. Моделирование и исследование МОП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.05 / О. Е. Гамола, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Геворкян С.Ш. Оптически управляемые СВЧ элементы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.12.13;05.27.01 / С. Ш. Геворкян, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽