Полное описание
>
621.315.5/А 437
Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2023 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; под редакцией А. В. Латышева. - Новосибирск : Параллель, 2024. - 239 с. : ил. - Список основных публикаций сотрудников института за 2023 год: с. 192-223 . - 500 экз. - ISBN 978-5-98901-378-4. - DOI 10.34077/ISP.res-2023 : 500 р. - Текст (визуальный) : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 621.315.592.9-022.532 | |
47.09.48 | 537.311.322:539.23 | |
47.33.33 | 621.383 | |
621.38 |
Рубрики:
Наноструктурные материалы полупроводниковые
Эпитаксия
Фотоника
Электроника
Кл.слова (ненормированные): физика конденсированных сред -- полупроводники -- диэлектрики -- низкоразмерные системы -- оптоэлектроника -- наноэлектроника -- сенсорика -- квантовая электроника
Аннотация: В настоящем издании представлены наиболее значимые результаты научно-исследовательских работ и прикладных разработок ИФП СО РАН за 2023 год, которые отражают актуальные проблемы современной физики полупроводников. Книга будет полезна специалистам в области физики конденсированных сред, физики полупроводников и диэлектриков, физики и технологии низкоразмерных систем для опто- и наноэлектроники, фотоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной и квантовой информатики.
Доп. точки доступа:
Латышев, Александр Васильевич\ред.\
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ПНТ (1), ХРЦ (1), ФО25 (1)
Свободны: ПНТ (1), ХРЦ (1), ФО25 (1)
Обложка
Переход по DOI
Заказ фрагмента документа ₽