Приложение
для AndroidПолное описание
Сысоев, И. А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А В : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / И. А. Сысоев. - Новочеркасск : [б. и.], 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Новочеркас.гос.техн.ун-т. Библиогр.: с.13-14 (13 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 621.383.002(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкфш. Шифр МФ
Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Ким Мен Хо.Выращивание объемных монокристаллов р-SiC(Al,N) для электролюминесцентных источников света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / Ким Мен Хо, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Афраилов М.А. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фотодиодных структур на основе многокомпонентных твердых растворов А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Афраилов, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Атаев Ж. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства пленок a-Si:H,полученных методами тлеющего разряда и распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ж. Атаев, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Калантарова З.С. Влияние электрооптических связей на функциональные возможности оптоэлектронных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / З. С. Калантарова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гурьянов А.А. Оптические исследования материалов,испытывающих фазовый переход со скачком проводимости : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / А. А. Гурьянов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Осипов М.Ю. Методы математического моделирования в САПР систем автоматизированного выращивания оптических кристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / М. Ю. Осипов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зейналов Э.З. Электрофизические и оптические свойства монокристаллов MnGa Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Э. З. Зейналов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучук Ж.С. Синтез и свойства кристаллов и пленок силленитов,содержащих ионы переходных элементов Cr ,Fe ,Co ,Ni : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:05.27.06 / Ж. С. Кучук, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Касимова Г.А. Электрические и люминесцентные свойства монокристаллов (Ga S ) (Eu O ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Г. А. Касимова, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шефова И.А. Оптические и фотоэмиссионные свойства многощелочного фотокатода : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / И. А. Шефова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бекетов Г.В. Механизм формирования анодных пассивирующих покрытий и свойства пассивированной поверхности узкозонных полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Г. В. Бекетов, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багиров М.А. Двухфотонное поглощение света в узкощелевых полупроводниках и структурах на их основе с двумерным электронным газом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Багиров, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Остовская Н.В. Устойчивость нелинейных волн в диэлектрических и магнитных средах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Остовская, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Монастырский М.А. Методы возмущений в задачах анализа и синтеза эмиссионных электронно-оптических систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.03;01.04.04 / М. А. Монастырский, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный.Кононенко В.К. Кинетика неравновесных процессов в оптоэлектронных полупроводниковых структурах при мощном возбуждении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. К. Кононенко, 1992. - 37 с. - Текст : непосредственный.Кератишвили Н.Г. Исследование статистических свойств абсолютных измерителей квантовой эффективности фотоприемников,основанных на эффекте спонтанного параметрического рассеяния(СПР) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук:01.04.05 / Н. Г. Кератишвили, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Броневой И.Л. Обратимое пороговое просветление арсенида галлия под действием пикосекундного импульса света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. Л. Броневой, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Тютюнников Н.Н. Разработка автоматизированной системы расчета параметров процессов фото-и вторичной электронной эмиссии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Н. Н. Тютюнников, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Чернов Е.И. Структурные методы и средства оптимизации фотодиодных фотоприемных устройств как преобразователей информационно-измерительных систем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.11.16 / Е. И. Чернов, 1992. - 34 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыСысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / И. А. Сысоев, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Сахарова Т.В. Формирование гетероструктур InAs Sb B1 /InSb методом жидкофазной эпитаксии для фотоприемных устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Т. В. Сахарова, 1994. - 22 с. - Текст : непосредственный.Максимов М.В. Оптические свойства квантоворазмерных гетероструктур в системах A B и A B , полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.10 / М. В. Максимов, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Грицкевич О.В. Исследования процессов формирования изображений произвольной геометрической формы и размеров на криволинейных поверхностях вращения с использованием лазерного излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.05 / О. В. Грицкевич, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Армягова О.П. Исследование условий и разработка технологии получения эпитаксиальных структур антимонида индия для многоэлементных фотоприемников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / О. П. Армягова, 1996. - 21 с. - Текст : непосредственный.Благин А.В. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных системах на основе антимонида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / А. В. Благин, 1996. - 15 с. - Текст : непосредственный.Красовицкий Д.М. Закономерности пиролиза аммиакатов трихлоридов галлия и индия в процессе осаждения слоев GaN, InN In Ga N : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 05.27.06 / Д. М. Красовицкий, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Лисицына Л.И. Повышение технологического уровня производства электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов на основе новых физико-технологических решений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.02 / Л. И. Лисицына, 2000. - 36 с. - Текст : непосредственный.Васильев В.И. Особенности эпитаксиального роста твердых растворов GaZnAsSb и AlGaAsSb из растворов-расплавов на основе сурьмы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. И. Васильев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Якорев С.Н. Элементы технологии формирования реальных поверхностей и границ рахдела в серийном производстве оптоэлектронных приборов на основе GaAs-AlGaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / С. Н. Якорев, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Юрценюк В.З. Особенности роста и физические свойства эпитаксиальных слоев PbSe Te Pb Sn Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. З. Юрценюк, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Барчук А.Н. Управление параметрами легированных пленок и светодиодных структур при жидкостной эпитаксии фосфида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 01.04.10 / А. Н. Барчук, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Трофим В.Г. Жидкостная эпитаксия гетероструктур AlGaAs - GaAS из ограниченного объема расплава и создание фотопреобразователей излучения на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 01.04.10 / В. Г. Трофим, 1990. - 34 с. - Текст : непосредственный.Яблочкина Г.И. Оптимизация технологии процессов получения буферных слоев и защитных покрытий для фотоприемников на основе фосфида индия : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / Г. И. Яблочкина, 2002. - 24 с. - Текст : непосредственный.Мустафаева Д.Г. Оптимизация технологии полупроводниковых пленочных преобразователей и повышение эффективности их производства : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / Д. Г. Мустафаева, 2002. - 23 с. - Текст : непосредственный.Микаева С.А. Исследование и разработка технологии производства нового поколения люминесцентных ртутьсодержащих приборов : автореф. дис. .. д-ра техн. наук : 05.11.14 / С. А. Микаева, 2006. - 34 с. - Текст : непосредственный.Письменский М.В. Технология получения тонкопленочных структур для оптоэлектроники на основе опытной установки ионно-лучевого осаждения : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / М. В. Письменский, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Менделева Ю.А. Люминесцентные свойства слоев кремния, наноструктурированных путем облучения ионами электрически неактивных элементов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. А. Менделева, 2007. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шкляев А.А. Поверхностные процессы при формировании плотных массивов и одиночных наноструктур германия и кремния : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. А. Шкляев, 2007. - 33 с. - Текст : непосредственный.Центры люминесценции, образующиеся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации и последующего отжига : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. В. Петров, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽