Полное описание

Д11-24/26553
621.384/С 302
Семенов, Д. В. Получение монокристаллов и гетероструктур-элементов силовой наноэлектроники на основе карбида кремния: свойства, модели и расчеты / Д. В. Семенов, В. С. Саввин, В. И. Алтухов. - Москва : Перо, 2024. - 163 с. : ил. - Библиогр.: с. 123-130 (73 назв.). - 30 экз. - ISBN 978-5-00244-632-2 : 300 р. - Текст (визуальный) : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.09.48	621.384-022.532-03

Рубрики:
Наноэлектронные устройства -- Материалы -- Производство

Кл.слова (ненормированные): наноструктурные материалы -- твердые растворы карбида кремния -- технологии изготовления -- натурные модели -- диоды -- измерение малых токов -- вольт-амперные характеристики -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые наноструктуры
Аннотация: В монографии рассмотрены получение наноструктурированных материалов и их новые свойства. Реализовано моделирование и проведены расчеты свойств материалов микро-, наноэлектроники: полупроводники типа A2B6, SiC, GaN; твердые растворы SiC-AIN. Дано описание новых эффектов: гигантское усиление, на два и более порядка диэлектрической проницаемости; гигантское тепловое сопротивление соединений типа А2В6 и экзокерамики SiC/Si. Рассмотрены теплопроводность SiC и его политипов, а также размерные эффекты. Предложена новая нелинейная модель высоты барьера Шоттки и рассчитаны вольтамперные характеристики диодов и гетеропереходов на основе SiC. Монография содержит важный справочный материал по свойствам указанных систем. В приложениях кратко приведены некоторые данные, ряд характеристик гетеропереходов SiC, значения высот барьеров Шоттки и различные типы диодов в качестве справочного материала. Большая часть изложенных результатов получена авторами монографии. Книга адресована аспирантам, специалистам, инженерам-технологам.
Доп. точки доступа:
Саввин, Владимир Соломонович
Алтухов, Виктор Иванович

Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ПНТ (1), ХРЦ (1), ФО24 (1)
Свободны: ПНТ (1), ХРЦ (1), ФО24 (1)
Обложка