• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Ж2-23/76880
    621.38/К 321
     Квантовые структуры для посткремниевой электроники / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; под редакцией А. В. Латышева. - Новосибирск : ИФПР СО РАН, 2023 (обл.2022) . - 223 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 500 экз. - ISBN 978-5-98901-273-2. - DOI 10.34077/ISP.2023-kvant : 500 р. - Текст (визуальный) : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    47.35621.38:530.145
    29.19.31621.315.592.9-022.532
    47.33621.382

    Рубрики:
    Квантовая электроника
    Наноструктурные материалы полупроводниковые
    Полупроводниковые приборы

    Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- фотоприемники -- детекторы одиночных фотонов -- лавинные фотодиоды -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- квантовые ямы -- магнитотранспорт -- конденсат бозе-эйнштейна -- электромагнитный отклик -- сверхпроводимость -- спин-зависимые явления -- полупроводниковые гетероструктуры -- магнитные эффекты -- квантовые материалы -- наноструктуры -- квантовые точки -- упорядоченные структуры -- плазмон-усиленная оптическая спектроскопия
    Аннотация: В настоящем издании представлены наиболее значимые научные результаты выполнения крупного научного проекта "Квантовые структуры для посткремниевой электроники" за 2020-2022 гг., поддержанного грантом Минобрнауки России по приоритетным направлениям научно-технологического развития РФ. Результаты отражают актуальные проблемы современной физики полупроводников для создания технологического и научного базиса электроники будущего. Книга может быть полезна специалистам в области физики конденсированных сред, физики полупроводников и диэлектриков, физики и технологии низкоразмерных систем для опто- и наноэлектроники, твердотельной нанофотоники, наноплазмоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной и квантовой информатики.
    Доп. точки доступа:
    Латышев, Александр Васильевич\ред.\
    Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)
    Экз-ры полностью Ж2-23/76880
    Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ПНТ (1), ФО18 (1), ФО24 (1)
    Свободны: ПНТ (1), ФО18 (1), ФО24 (1)
    Обложка
    Переход по DOI



    Заказ фрагмента документа ₽