Приложение
для AndroidПолное описание
621.38/К 321
Квантовые структуры для посткремниевой электроники / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; под редакцией А. В. Латышева. - Новосибирск : ИФПР СО РАН, 2023 (обл.2022) . - 223 с. : ил. - Библиогр. в конце гл. - 500 экз. - ISBN 978-5-98901-273-2. - DOI 10.34077/ISP.2023-kvant : 500 р. - Текст (визуальный) : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.35 | 621.38:530.145 | |
| 29.19.31 | 621.315.592.9-022.532 | |
| 47.33 | 621.382 |
Рубрики:
Квантовая электроника
Наноструктурные материалы полупроводниковые
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- фотоприемники -- детекторы одиночных фотонов -- лавинные фотодиоды -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- квантовые ямы -- магнитотранспорт -- конденсат бозе-эйнштейна -- электромагнитный отклик -- сверхпроводимость -- спин-зависимые явления -- полупроводниковые гетероструктуры -- магнитные эффекты -- квантовые материалы -- наноструктуры -- квантовые точки -- упорядоченные структуры -- плазмон-усиленная оптическая спектроскопия
Аннотация: В настоящем издании представлены наиболее значимые научные результаты выполнения крупного научного проекта "Квантовые структуры для посткремниевой электроники" за 2020-2022 гг., поддержанного грантом Минобрнауки России по приоритетным направлениям научно-технологического развития РФ. Результаты отражают актуальные проблемы современной физики полупроводников для создания технологического и научного базиса электроники будущего. Книга может быть полезна специалистам в области физики конденсированных сред, физики полупроводников и диэлектриков, физики и технологии низкоразмерных систем для опто- и наноэлектроники, твердотельной нанофотоники, наноплазмоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной и квантовой информатики.
Доп. точки доступа:
Латышев, Александр Васильевич\ред.\
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)
Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ПНТ (1), ФО18 (1), ФО24 (1)
Свободны: ПНТ (1), ФО18 (1), ФО24 (1)
Обложка
Переход по DOI
Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2019 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2020. - 244 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2022 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2023. - 231 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Квантовые структуры для посткремниевой электроники / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2023 (обл.2022) . - 223 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2023 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2024. - 239 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2024 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2025. - 254 с. - Текст : непосредственный.
Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур / Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, 2012. - 257 с. - Текст : непосредственный.Наука из первых рук : периодический научно-популярный журнал / Российская Академия Наук, Сибирское отделение, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова, Институт нефтегазовой геологии и геофизики им. А. А. Трофимука. - Журнал выходит с 2004г. - Текст : непосредственный.Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / ред. А. В. Латышев [и др.], 2014. - 843 с.Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) / Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова, 2014. - 843 с.Харрис П. Углеродные нано-трубки. Синтез, свойства и применение / П. Харрис ; пер. с англ. В. М. Ефимова ; под ред. А. В. Двуреченского, 2016. - 220 с. - Текст : непосредственный.Фотоника, 2017 : рос. конф. и шк. молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. / [Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сиб. отд-ния Рос. акад. наук и др.], 2017. - 200 с. - Текст : непосредственный.Гриценко В.А. Физика диэлектрических пленок. Механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти / В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, 2017. - 351 с. - Текст : непосредственный.Гутаковский А.К. Структура дефектов и границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах / А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, А. Л. Чувилин, 2016. - 261 с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника / ФАНО России, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2017. - 182 с. - Текст : непосредственный.Свиташёва С.Н. Метод эллипсометрии для исследования наноразмерных пленок диэлектриков, полупроводников и металлов / С. Н. Свиташёва ; ответственный редактор О. П. Пчеляков, 2019. - 261, [6] с. - Текст : непосредственный.Актуальные проблемы физики полупроводников: наноструктуры, эпитаксия, фотоника и электроника : научные результаты ИФП СО РАН за 2019 год / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2020. - 244 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Асеев, Александр Леонидович. Наука Сибири на изломе эпох : заметки участника событий / А. Л. Асеев, 2021. - 303 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Астанкова, Ксения Николаевна. Получение плёнок метастабильного GeO и их модификация зондом атомно-силового микроскопа и лазерным облучением : 01.04.10 - физика полупроводников : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Астанкова Ксения Николаевна, 2021. - 22 с. - Текст : непосредственный.Кожухов, Антон Сергеевич. Модификация свойств поверхности полупроводников при воздействии зондом атомно-силового микроскопа : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Кожухов Антон Сергеевич, 2021. - 24 с. - Текст : непосредственный.Милахин, Денис Сергеевич. Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 - физика полупроводников : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Милахин Денис Сергеевич, 2021. - 32 с. - Текст : непосредственный.Гайдук, Алексей Евгеньевич. Мультирезонансные поляризационные системы на основе метаповерхностей : 01.04.07 - физика конденсированного состояния : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Гайдук Алексей Евгеньевич, 2021. - 18, [1] с. - Текст : непосредственный.Иванов, Артем Ильич. Гибкие материалы и структуры на основе фторированного графена для мемристоров : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Иванов Артем Ильич, 2021. - 21 с. - Текст : непосредственный.Савенко, Иван Григорьевич. Фотоэлектрические явления и сверхпроводимость в гибридных Бозе-Ферми системах на основе двумерных полупроводниковых структур и графена : специальность 1.3.8. "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук / Савенко Иван Григорьевич, 2021. - 43 с. - Текст : непосредственный.Кремний, 2022, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск : XIV международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе : тезисы докладов, 2022. - 159 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Ольшанецкий, Евгений Борисович. Транспортные свойства двумерного полуметалла и двумерного топологического изолятора в квантовых ямах HgTe : специальность: 1.3.11 - физика полупроводников : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / Ольшанецкий Евгений Борисович, 2022. - 36 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКонтактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Волоконно-оптическая сеть связи древовидной структуры для крупного города / ЦНТИ Информсвязь. - 30 с. - Текст : непосредственный.Применение технологии фотонной коммутации / ЦНТИ Информсвязь. - 34 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Электроразрядные эксимерные лазеры / ВЦП. - 74 c. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - 13 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Байрамов Б.Х. Неупругое рассеяние света свободными носителями заряда и связанными электрон-фононными возбуждениями в полупроводниковых кристаллах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Б. Х. Байрамов, 1991. - 43 с. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТехническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Техническое руководство для ультразвукового генератора модели 1400 фирмы "Вест-Бонд" / ВЦП. - 21 c. - Текст : непосредственный.Инструкция по обращению с устройством присоединения проводов способом термокомпрессионной сварки / ВЦП. - 68 c. - Текст : непосредственный.Установка для химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении с использованием вертикального диффузионного реактора / ВЦП. - 16 c. - Текст : непосредственный.Вертикальные диффузионные печи и системы химического осаждения из паровой фазы при низком давлении / ВЦП. - 13 c. - Текст : непосредственный.Установка для плазменного химического осаждения из газовой фазы с плоской рабочей камерой (модель К-1) / ВЦП. - 12 c. - Текст : непосредственный.Установки для получения окисных пленок / ВЦП. - 17 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Frevel D. Untersuchungen im System Kalium-Aluminium-Silizium/Germanium und Aufbau eines LiAlSi-Halbleiterbauelementes : Diss. / D.Frevel, 1992. - 59 S. - Текст : непосредственный.Нелинейная оптика и квантовая электроника : Сб. науч. тр / Ташкент. гос. ун-т им. В.И.Ленина. Физ. фак., 1992. - 59 c. - Текст : непосредственный.Yariv A. Quantum electronics : Ксерокопия / A.Yariv, 1989. - XX,669 p. p. - Текст : непосредственный.Квантовая электроника : Межвед.сб.науч.тр. / АН Украины. Ин-т полупроводников. Вып. 45, 1993. - 108 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 23, 1992. - 93 с. - Текст : непосредственный.High speed heterostructure devices / сост.ed. R. A. Kiehl, сост.ed. T. C.L.G. Sollner, 1994. - XII,454 p. p. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 26, 1993. - 111 с. - Текст : непосредственный.Квантовая электроника : Межвед.сб.науч.тр. / АН Украины. Ин-т полупроводников. Вып. 44, 1993. - 110 с. - Текст : непосредственный.Compound and Josephson high-speed devices / ed. T. Misugi, ed. A. Shibatomi, 1993. - 306 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПичугин А.Е. Пьезоэлектронные импульсные устройства для управления положением оптических элементов в пространстве : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / А. Е. Пичугин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Юневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Компьютерное моделирование процессор роста полупроводниковых соединений А В в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Г. Э. Цырлин, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Зейн А.М. Исследование функции распределения вольт-амперных и гаусс-амперных характеристик горячих электронов при междолинном переносе в Ga1-x Alx As в сильных Е J.Н полях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. М. Зейн, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Киракозова Л.А. Особенности электронных кинетических характеристик в мышьяке и полупроводниковых сплавах висмут-сурьма при одноосном сжатии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.09 / Л. А. Киракозова, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Андриевский В.В. Исследование физических процессов в кремниевых МДП-структурах,стимулированных ионно-имплантированными и термическими воздействиями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Андриевский, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Россохатая Н.А. Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.16 / Н. А. Россохатая, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Демидова Н.С. Расширение плазмы поперек внешнего магнитного поля и механизм работы диода с магнитной изоляцией : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. С. Демидова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Джабер Абдульхафиз Мохамед М.Нелинейная вольтамперная характеристика (ВАХ) и относительное изменение пробивного поля(примесного)в магнитном поле : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / М. Джабер Пбдульхафиз Мохамед, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ершова Ю.В. Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. В. Ершова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мичелена М.Автоматизированная система измерения вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.16 / Мичелена М., 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Алиев В.Ш. Исследование взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью кремния при воздействии ионного облучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / В. Ш. Алиев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шварц Н.Л. Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.полей:01.04.10 / Н. Л. Шварц, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пак Тэ Хва.Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физж.-мат.наук / Пак Тэ Хва, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучернюк П.В. Разработка адаптивных физико-топологических моделей биполярных транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:06.27.01 / П. В. Кучернюк, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гамола О.Е. Моделирование и исследование МОП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.05 / О. Е. Гамола, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Геворкян С.Ш. Оптически управляемые СВЧ элементы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.12.13;05.27.01 / С. Ш. Геворкян, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽