Приложение
для AndroidПолное описание
Ruhnau, U. Epitaktisches Wachstum von ss-SiC-Schichten auf Siliziumsubstraten durch chemische Gasphasenabscheidung : Diss. / U.Ruhnau. - Stuttgart : [s. n.], 1996. - 100 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.97-100
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:539.23(043) |
Рубрики:
Полупроводниковые пленки -- Производство
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые пленки
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Исследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - 13 c. - Текст : непосредственный.Байрамов Б.Х. Неупругое рассеяние света свободными носителями заряда и связанными электрон-фононными возбуждениями в полупроводниковых кристаллах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Б. Х. Байрамов, 1991. - 43 с. - Текст : непосредственный.Гвоздкова И.А. Исследование эффектов пространственной дисперсии в полупроводниках и диэлектриках методом разностной спектроскопии комбинационного рассеяния света : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.05 / И. А. Гвоздкова, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Стружкин В.В. Оптические свойства и электронная структура стекол As S ,As Se под давлением до 73 ГПа : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / В. В. Стружкин, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Гэн Чунь.Фотолюминесценция сверхрешеток на основе аморфного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Гэн Чунь, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Ижнин А.И. Люминесцентные свойства твердых растворов Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Ижнин, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Григоренко А.А. Электронная структура и оптические свойства соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. А. Григоренко, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Крылова Н.О. Рентгеновская муаровая и плосковолновая топография дефектов в монокристаллах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. О. Крылова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мельник Н.Н. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в селениде цинка с термическими и радиационными дефектами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Н. Н. Мельник, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Клингер П.М. Взаимодействие электрически неактивных примесей с собственными дефектами в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / П. М. Клингер, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ли Шэнь.Термооптические нелинейности и бистабильность в CdS и CdS Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук:01.04.10 / Ли Шэнь, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Лукиянец Б.А. Теория электронного спектра и электрон-фононного взаимодействия в слоистых полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.02 / Б. А. Лукиянец, 1991. - 27 с. - Текст : непосредственный.Гарасим В.И. Получение и физические свойства монокристаллов твердых растворов Pb Sn S Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. И. Гарасим, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Макаров О.А. Оптические свойства полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик в области вакуумного ультрафиолета : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / О. А. Макаров, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Дадыкин А.А. Влияние состояния поверхности кремния на фотополевую электронную эмиссию,адсорбцию и поверхностную диффузию : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.04 / А. А. Дадыкин, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Мальтекбасов М.Ж. Электронные процессы в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников,полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / М. Ж. Мальтекбасов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Григорьев Р.В. Приповерхностная низкотемпературная фотопроводимость и фотолюминесценция кристаллов CdS : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Р. В. Григорьев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Федина Л.И. Формирование скоплений междоузельных атомов в кристаллах кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.07 / Л. И. Федина, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гельфанд Р.Б. Электронная структура дефектов,содержащих водород и литий в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Р. Б. Гельфанд, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыKessler F. VUV-Photo-CVD : Untesuchungen zur Gasphasenabscheidung amorpher Halbleiter mit Hilfe einer externen VUV-QuelleDiss. / F.Kessler, 1994. - 121 S. - Текст : непосредственный.Rosen B. Molekularstrahlepitaxie von Eisensilizidschichten aus gasformigen Quellen auf Si(100) und Si(111) : Diss. / B.R@:osen, 1994. - 126 S. - Текст : непосредственный.Ruhnau U. Epitaktisches Wachstum von ss-SiC-Schichten auf Siliziumsubstraten durch chemische Gasphasenabscheidung : Diss. / U.Ruhnau, 1996. - 100 S. - Текст : непосредственный.Tolksdorf R. Synthese und Erprobung neuer Precursoren fur die CVD-Abscheidung von III/V-Halbleitern : Diss. / R.Tolksdorf, 1997. - 104 S. - Текст : непосредственный.Гайдуков Г.Н. Исследование газа взаимодействующих частиц на поверхности твердого тела термодинамическим методом и методом компьютерного моделирования / Г. Н. Гайдуков, Е. А. Кожевников, Ю. В. Копаев, 1996. - 27 с. - Текст : непосредственный.Kawanami H. Study of the initial stages of molecular beam epitaxial growth of III-V compound semiconductors on silicon / H.Kawanami, 1991. - 87 p. - Текст : непосредственный.Grundmann D. UV-stimuliertes Wachstum von III-V-Halbleiterschichten im Niedrigdruck-MOCVD-System : Diss. / D.Grundmann, 1989. - 118 S. - Текст : непосредственный.Razeghi M. The MOCVD Challenge. Vol. 1 : survey of GaInAsP-InP for photonic and electronic applications, 1989. - XII,328 p. p. - Текст : непосредственный.Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло / Л.Н.Александров,Р.В.Бочкова,А.Н.Коган,Н.П.Тихонова;Отв.ред.С.И.Стенин, 1991. - 167 с. - Текст : непосредственный.Обзор. ФЭИ-0241 : Технологические аспекты жидкофазной эпитаксии полупроводников, 1990. - 60 с. - Текст : непосредственный.DenBaars S.P. Atomic layer epitaxy of III-V compound semiconductors by thermal and laser-assisted metalorganic chemical vapor deposition : Diss.: Mfiche (3) / S.P.DenBaars, 1988. - 226 мкфш. - Текст : непосредственный.Анализ влияния естественной конвекции на процесс растворения эпитаксиальных слоев / В.В. Колмычков, О.С. Мажорова, Ю.П. Попов , 2004. - 35 с. - Текст : непосредственный.Моделирование парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений пленок CdS, CdSe, ZnSe и ZnS / В. И. Козловский, Д. А. Санников, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов : учебное пособие / Л. Н. Маскаева [и др.], 2018. - 129, [3] с.Гусев, Андрей Олегович. Численное моделирование процесса кристаллизации трехкомпонентного раствора на подвижной сетке / А. О. Гусев, 2022. - 30 с. (Введено оглавление). - Текст (визуальный) : непосредственный.Плазмохимический синтез, исследование и применение тонких пленок оксида галлия, оксида цинка и бинарной оксидной системы ZnO-TeO2 : монография / Л. А. Мочалов, М. А. Кудряшов, А. В. Князев [и др.], 2024. - 211 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Дерягин Н.Г. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на Si из раствора-расплава : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Г. Дерягин, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ашуров Х.Б. Формирование пленок и эпитаксиальных слоев кремния на сапфировых подложках при осаждении из ионно-молекулярных потоков : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / Х. Б. Ашуров, 1994. - 25 с. - Текст : непосредственный.Королев А.Н. Квазихимическое взаимодействие при формировании приповерхностных легированных слоев и кристаллизации пленок в газофазных процессах диффузии и роста : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук:02.00.04 / А. Н. Королев, 1996. - 34 с. - Текст : непосредственный.Пчеляков О.П. Формирование пленок и наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и германия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / О. П. Пчеляков, 1996. - 32 с. - Текст : непосредственный.Марков В.Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук: 02.00.04 / В. Ф. Марков, 1998. - 42 с. - Текст : непосредственный.Сидоров Ю.Г. Физико-химические основы молекулярно-лучевой эпитаксии узкозонных полупроводников Pb ,Sn , Te и Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ю. Г. Сидоров, 1998. - 32 с. - Текст : непосредственный.Ивонин И.В. Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / И. В. Ивонин, 1998. - 33 с. - Текст : непосредственный.Алексеев А.Н. Динамика поверхностных процессов в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.04 / А. Н. Алексеев, 1999. - 15 с. - Текст : непосредственный.Моисеев А.Н. Физико-химические основы получения гетероэпитаксиальных слоев Cd Hg Te из паров ртути и алкильных соединений кадмия и теллура : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим.наук:02.00.19 / А. Н. Моисеев, 1999. - 34 с. - Текст : непосредственный.Преображенский В.В. Роль структуры поверхности в формировании слоев GaAs и AlGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / В. В. Преображенский, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Борисова И.В. Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / И. В. Борисова, 2000. - 15 с. - Текст : непосредственный.Нефедов А.С. Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / А. С. Нефедов, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Савченко В.А. Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / В. А. Савченко, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Галицын Ю.Г. Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук :02.00.21 / Ю. Г. Галицын, 2001. - 39 с. - Текст : непосредственный.Спицын А.Б. Кристаллизация из газовой фазы пленок алмаза и алмазоподобных нитридов : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.02.01 / А. Б. Спицын, 2002. - 26 с. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : автореф. дис. .. д-ра хим. наук : 02.00.01 / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Мурашова А.В. Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. В. Мурашова, 2002. - 17 с. - Текст : непосредственный.Худайбергенов Г.Ж. Моделирование аргон-силановой плазмы ВЧЕ разряда : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / Г. Ж. Худайбергенов, 2003. - 24 с. - Текст : непосредственный.Weishart H. Monomolekulare und gebundelte Stufen an der Wachstumsflache von GaAs-Flussigphasenepitaxie-Schichten : Diss. / H.Weishart, 1992. - 147 S. - Текст : непосредственный.Kessler F. VUV-Photo-CVD : Untesuchungen zur Gasphasenabscheidung amorpher Halbleiter mit Hilfe einer externen VUV-QuelleDiss. / F.Kessler, 1994. - 121 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽