Приложение
для AndroidПолное описание
Leistungs-Halbleiter = Power-semiconductors(Загл.англ.) : leistungs-Module IGBT 2.Generation. - munchen : Siemens, 1995. - 341 S. : Ill. - Загл. обл. : IGBT modules. - 3000 р. - Текст : непосредственный.
Парал.загл.англ.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.33 |
Рубрики:
Транзисторы биполярные
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыГрафическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE / ТПП БССР. - 7 c. - Текст : непосредственный.Wijnen P.J. van On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors : Diss. / P.J. van Wijnen, 1992. - V,265 p. p. - Текст : непосредственный.Schutt R. Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern : Diss. / R.Schutt, 1992. - VII,139 S. S. - Текст : непосредственный.Pan Y. Minority carrier transport in heavily doped silicon : Diss. / Y.Pan, 1992. - VIII,139 p. p. - Текст : непосредственный.Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный.Szynka D. Vergrabene Basiskontaktierung von selektiv epitaxierten Heterobipolartransistoren in Saulengeometrie : Diss. / D.Szynka, 1995. - 153 S. - Текст : непосредственный.Leistungs-Halbleiter : Leistungs-Module IGBT 2.Generation, 1995. - 341 S. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Учебное пособие по курсу элементная база радиоэлектроники. Биполярные и полевые транзисторы. Интегральные схемы / М.Д.Воробьев, 1991. - 83 с. - Текст : непосредственный.Ямпурин Н.П. Биполярные транзисторы (функционирование, схемы, применение) : Учеб.пособие / Н. П. Ямпурин, А. В. Баранова, А. Е. Вязовов, 1998. - 82 с. - Текст : непосредственный.Molenaar J. Adaptive multigrid applied to a bipolar transistor problem / J.Molenaar, 1991. - 18 p. - Текст : непосредственный.Корольков В.И. Гетеробиполярные транзисторы / В.И.Корольков, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный.Мельник А.С. Биполярные транзисторы : Учеб. пособие для спец. "Пром. электрон." / А.С.Мельник, 1991. - 104 c. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1579) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor Corporation : По данным зарубеж.и отеч.печати за 1968-1988 гг.Ч. 2. Биполярные транзисторы для работы в непрерывном и импульсном режимах / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов, 1990. - 59 с. - Текст : непосредственный.Биполярные транзисторы в аналоговых электронных схемах / И.А.Селиванов,А.С.Карандаев,В.Ф.Барсуков и др., 2001. - 219 с. - Текст : непосредственный.Романов В.П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах : Учеб.пособие / В.П.Романов, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный.Гомоюнов К.К. Транзисторные цепи : Учеб.пособие / К.К.Гомоюнов, 2002. - 234 с. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Биполярные транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотел. электроника" для студентов по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный.Библиотека электронных компонентов. Вып. 28 : Infineon: транзисторы S-IGBT, интеллектуальные ключи и мостовые драйверы, 2003. - 63 с. - Текст : непосредственный.Никифоров, Игорь Кронидович. Радиоэлектронная и силовая электронная аппаратура. Биполярные и полевые транзисторы : учебное пособие / И. К. Никифоров, 2022. - 459 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Кучернюк П.В. Разработка адаптивных физико-топологических моделей биполярных транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:06.27.01 / П. В. Кучернюк, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Муратчаев С.А. Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / С. А. Муратчаев, 1994. - 24 с. - Текст : непосредственный.Панюшкин Н.Н. Разработка подсистемы анализа биполярных ИС в условиях внешних воздействующих факторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Н. Н. Панюшкин, 1993. - 17 с. - Текст : непосредственный.Куршева Е.Н. Численное моделирование структур мощных высоковольтных биполярных и ДМОП транзисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Е. Н. Куршева, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Кулькова Е.Ю. Моделирование электронных процессов в сверхскоростных биполярных гетероструктурных транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Е. Ю. Кулькова, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный.Карташов С.Е. Математическое моделирование субмикронных биполярных гетероструктурных транзисторов на основе полупроводниковых материалов АзВ5 : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.*наук:01.04.04 / С. Е. Карташов, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный.Хренов Г.Ю. Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3В5 : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / Г. Ю. Хренов, 1999. - 34 с. - Текст : непосредственный.Николаенков Ю.К. Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Ю. К. Николаенков, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Стасюк Д.М. Прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием принципов пороговой логики методом троичного преобразования информативных параметров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / Д. М. Стасюк, 2001. - 19 с. - Текст : непосредственный.Мустафаев А.Г. Разработка конструкции и технологии формирования радиационно-стойких биполярных полупроводниковых структур : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / А. Г. Мустафаев, 2002. - 23 с. - Текст : непосредственный.Щерба А.И. Прогнозирование постепенных отказов биполярных транзисторов методом имитационных воздействий : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / А. И. Щерба, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный.Wijnen P.J. van On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors : Diss. / P.J. van Wijnen, 1992. - V,265 p. p. - Текст : непосредственный.Schutt R. Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern : Diss. / R.Schutt, 1992. - VII,139 S. S. - Текст : непосредственный.Pan Y. Minority carrier transport in heavily doped silicon : Diss. / Y.Pan, 1992. - VIII,139 p. p. - Текст : непосредственный.Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный.Новые биполярные и полевые транзисторы : Справ. / А.К.Бельков,Е.И.Гантман,Т.И.Давыдова и др.;Под общ. ред. Б.Л.Перельмана, 1993. - 95 c. - Текст : непосредственный.Полупроводниковые приборы. Транзисторы биполярные КТ370..КТ3174 : Справ. / "Электронстандарт", российский НИИ (Санкт-Петербург), 1994. - 360 c. - Текст : непосредственный.Szynka D. Vergrabene Basiskontaktierung von selektiv epitaxierten Heterobipolartransistoren in Saulengeometrie : Diss. / D.Szynka, 1995. - 153 S. - Текст : непосредственный.Leistungs-Halbleiter : Leistungs-Module IGBT 2.Generation, 1995. - 341 S. - Текст : непосредственный.Петухов, В. М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги : Справочник:Каталожное издание. Т. 3, 1997. - 672 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽