Приложение
для AndroidПолное описание
004.33/З-179
Зайцева, Юлия Сергеевна. Структура тонких пленок материалов фазовой памяти на основе Ge-Sb-Te по данным электронной микроскопии : специальность 01.04.10 - физика полупроводников : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Зайцева Юлия Сергеевна ; Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Научно-исследовательская лаборатория электронной микроскопии. - Москва : [б. и.], 2021. - 23 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-23 (29 назв.). - 80 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 50.11 | 004.33.076.4(043) |
Кл.слова (ненормированные): энергонезависимые запоминающие устройства -- халькогенидные полупроводниковые материалы -- полупроводниковые пленки -- атомарное строение -- фазовые превращения -- поверхностные явления
Доп. точки доступа:
"МИЭТ", национальный исследовательский университет (Москва). Научно-исследовательская лаборатория электронной микроскопии
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
Свободны: ХРЦ (1)
Оптимальный профиль направляющей канавки для оптических дисков / ТПП БССР. "Минсквнешсервис". - 18 с. - Текст : непосредственный.Восьмиразрядные быстродействующие инструментальные адаптеры ТМС-885 для интерфейса малых компьютерных систем : Руководство для пользователя / ВЦП. - 35 с. - Текст : непосредственный.ЭКСОН: проект виртуальной памяти сети / ВЦП. - 33 с. - Текст : непосредственный.Следящая дисковая система : Справочное руководство для пользователей / ВЦП. - 60 с. - Текст : непосредственный.Reflex : Руководство пользователя / ВЦП. - 369 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Правильная утилизация использованных магнитных лент / ВЦП. - 14 c. - Текст : непосредственный.Минисистемы памяти полуярусной конструкции на базе гибких магнитных дисков серии MF 59D, MF 58S, MF 54D, MF 54S : Техн. описание и инструкция по эксплуатации / ВЦП. - 71 c. - Текст : непосредственный.Модуль тестирования памяти: Руководство пользователя. Рабочая станция тестирования на базе платы 2276 / ВЦП. - 167 c. - Текст : непосредственный.Тихоненко О.М. Модели обслуживания неоднородных требований и их применение для расчета объема памяти систем обработки информации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.16 / О. М. Тихоненко, 1991. - 38 с. - Текст : непосредственный.Курносиков О.В. Физические основы адаптивной фототермопластической регистрации информации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.03 / О. В. Курносиков, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.К. Разработка и исследование методов адаптивного преобразования систем хранения данных,повышающих их реактивность : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.06 / В. К. Иванов, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Кангиев Р.Д. Получение мелкодисперсных пленок Со-С-О методом CVD и исследование их физических свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:02.00.04 / Р. Д. Кангиев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Кручинин С.З. Исследование структурной организации иерархических подсистем оперативной памяти многопроцессорных векторно-конвейерных суперэвм : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13 / С. З. Кручинин, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Космынин А.Н. Методы и средства организации типовополной модели баз данных : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.06 / А. Н. Космынин, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кочеткова Э.В. Динамическое преобразование структуры блоховской доменной границы при записи и считывании ВБЛ-информации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.11 / Э. В. Кочеткова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Бабишин И.П. Алгоритмы управления параллелизмом транзакций в распределенных системах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.11 / И. П. Бабишин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пинчук В.А. Разработка и исследование пленочных защитных покрытий магнитных дисков с высокой информационной плотностью записи : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. А. Пинчук, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Борисов В.В. Разработка и исследование многокоординатных ассоциативных запоминающих устройств для систем обработки информации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / В. В. Борисов, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Карпов В.И. Волоконно-оптические рециркулярные устройства задержки и хранения сигналов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / В. И. Карпов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБистабильное электрическое переключение в структурах на основе оксидов ванадия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. В. Путролайнен, 2009. - 31 с. - Текст : непосредственный.Шиколенко Ю.Л. Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики электрофизических параметров элементов хранения энергонезависимой памяти : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / Ю. Л. Шиколенко, 2016. - 35 с.Ильина М.В. Разработка и исследование конструктивно-технологических основ создания мемристорных структур на вертикально ориентированных углеродных нанотрубках : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / М. В. Ильина, 2016. - 23 с. - Текст : непосредственный.Бутэ И.В. Процессы теплопроводности и диффузии в эффекте резистивного переключения с памятью в тонкопленочных оксидных структурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / И. В. Бутэ, 2016. - 24 с. - Текст : непосредственный.Авилов В.И. Разработка и исследование технологических основ формирования оксидных наноразмерных структур титана методом локального анодного окисления для создания мемристоров : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / В. И. Авилов, 2016. - 23 с.Демин Г.Д. Исследование явлений перенос вращательного момента и спиновой нестабильности в туннельных и автоэмиссионных магнитных гетероструктурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. Д. Демин, 2016. - 25 с.Key technologies / Rheinisch-Westfalischen Techn. Hochsch. [et al.]. Vol. 109 : Study on the electroforming and resistive switching behaviour of nickel oxide thin films for non-volatile memory applications : dissertation / R. Weng, 2015. - 159 p.Бабич А.В. Исследование влияния примесей Bi, In и Ti на свойства материалов фазовой памяти на основе системы Ge-Sb-Te : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.06 / А. В. Бабич, 2017. - 23 с.Schmidt D.O. Resistive switching of chemically synthesized TiO2 nanoparticles : dissertation / D. O. Schmidt, 2016. - IV, 156 p. - Текст : непосредственный.Воробьев Ю.В. Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5 : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Ю. В. Воробьев, 2017. - 20 с.Котова М.С. Резистивные переключения в органических структурах на основе модифицированной полимерной матрицы : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. С. Котова, 2018. - 23 с.Коряжкина М.Н. Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония : специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / М. Н. Коряжкина, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный.Егоров К.В. Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением : специальность: 01.04.04 - Физическая электроника : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / К. В. Егоров, 2019. - 22 с. - Текст : непосредственный.Иванов, Артем Ильич. Гибкие материалы и структуры на основе фторированного графена для мемристоров : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Иванов Артем Ильич, 2021. - 21 с. - Текст : непосредственный.Михеев, Виталий Витальевич. Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония : 01.04.04 - Физическая электроника : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Михеев Виталий Витальевич, 2021. - 26 с. - Текст : непосредственный.Зайцева, Юлия Сергеевна. Структура тонких пленок материалов фазовой памяти на основе Ge-Sb-Te по данным электронной микроскопии : специальность 01.04.10 - физика полупроводников : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Зайцева Юлия Сергеевна, 2021. - 23 с. - Текст : непосредственный.Одинцов, Данила Сергеевич. Электрохимически активные мономеры и полимеры с пендантными группами на основе соединений 9H-тиоксантен-9-онового ряда : 1.4.4. Физическая химия : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук / Одинцов Данила Сергеевич, 2022. - 24 с. - Текст : непосредственный.Никируй, Кристина Эрнестовна. Эффект резистивного переключения в нанокомпозитных структурах на основе ниобата лития с гранулами CoFe : 1.3.8. - Физика конденсированного состояния : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Никируй Кристина Эрнестовна, 2022. - 26 с. - Текст : непосредственный.Андреева, Наталья Владимировна. Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем : 01.04.10 - Физика полупроводников : автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук / Андреева Наталья Владимировна, 2022. - 34 с. - Текст : непосредственный.Мещанинов, Федор Павлович. Исследование физических принципов работы мемристорных структур с разработкой методов компактного моделирования их резистивного переключения : специальность: 2.2.2. - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Мещанинов Федор Павлович, 2022. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽