Приложение
для AndroidПолное описание
High performance data book. - San Jose(Ca) : [s. n.], 1993. - Pag.var. : ill. - 35000 р. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382(03) |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы -- Справочники
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковый прибор
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыГалкин В.И. Полупроводниковые приборы : Справ. / В.И.Галкин,А.Л.Булычев,П.М.Лямин, 1994. - 347 c. - Текст : непосредственный.Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные. Стабилитроны. Тиристоры : Справочник / А.Б.Гитцевич,А.А.Зайцев,В.В.Мокряков и др.;Под ред. А.В.Голомедова, 1994. - 527 c. - Текст : непосредственный.Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные.Диоды импульсные.Оптоэлектронные приборы : Справ. / А.Б.Гитцевич,А.А.Зайцев,В.В.Мокряков и др.;Под ред.А.В.Голомедова, 1994. - 592 c. - Текст : непосредственный.Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги : Справ / А.В.Нефедов,В.И.Гордеева, 1995. - 401 c. - Текст : непосредственный.Зарубежные полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы и их отечественные аналоги : Справ. / Сост.А.К.Мальцев, 1995. - 269 c. - Текст : непосредственный.Силовые полупроводниковые приборы : Справ. / Институт пром.развития Информэлектро. Т. 2 : Транзисторы, оптотиристоры, триаки, симметричные тиристоры, 1995. - 144 с. - Текст : непосредственный.Бройде А.М. Справочник по электровакуумным и полупроводниковым приборам / А.М.Бройде, 1957. - 176 с. - Текст : непосредственный.Master selection guide, 1995. - Pag var. var. - Текст : непосредственный.Перельман Б.Л. Полупроводниковые приборы : Справ / Б.Л.Перельман, 1996. - 176 c. - Текст : непосредственный.Semiconductors for television and video systems TDA2578A to TDA8415 : Data handbook IC02b, 1995. - 1588-3228 p. p. - Текст : непосредственный.Semiconductors for television and video systems TDA8416 to uA733;733C : Data handbook IC02c, 1995. - 3236-4848 p. p. - Текст : непосредственный.Semiconductors for telecom systems:data handbook, 1995. - 1638 p. - Текст : непосредственный.Micrel semiconductor 1994 databook, 1994. - Pag.var. - Текст : непосредственный.High performance data book, 1993. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Semiconductors for television and video systems 80/83C528 to TDA2555;TD2557 : Data handbook IC02a, 1995. - 1575 p. - Текст : непосредственный.Halbleiter : Geh@:ause-Inform.:Datenbuch, 1991. - 198 S. - Текст : непосредственный.SIPMOS-Halbleiter : Kleinsignal-Bauelemente:Datenbuch 1994/95, 1995. - 521 S. - Текст : непосредственный.Справочник по полупроводниковым приборам и их аналогам / Под общ. ред. А.М.Пыжевского, 1992. - 316 с. - Текст : непосредственный.Черепанов В.П. Аналоги отечественных и зарубежных диодов и тиристоров : Справ. / В. П. Черепанов, А. К. Хрулев, Ю. Н. Савельев, 1997. - 223 с. - Текст : непосредственный.Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги : Справ. / А.В.Нефедов,В.И.Гордеева, 1997. - 400 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽