Приложение
для AndroidПолное описание
621.382/М 545
Методы подавления короткоканальных эффектов в субмикронных MOS-транзисторах : учебное пособие / Г. В. Быкадорова, А. Н. Цоцорин, А. Е. Бормонтов, С. В. Авилов ; Министерство науки и высшего образования РФ, Воронежский государственный университет. - Воронеж : Издательский дом ВГУ, 2021. - 116 с. : ил. - Авт. указ. на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 116 (8 назв.). - 25 экз. - ISBN 978-5-9273-3301-1 : 150 р. - Текст (визуальный) : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.323 |
Рубрики:
Моп-транзисторы
Кл.слова (ненормированные): физико-математические модели -- электрофизические параметры -- приборно-технологическое моделирование -- dibl-эффект -- затворы -- легирующие примеси
Аннотация: Учебное пособие включает обзор методов подавления коротко-канальных эффектов в субмикронных MOS-транзисторах и описание физико-математических моделей их электрофизических параметров и характеристик. Приведены проекты в САПР приборно-технологического моделирования для исследования методов подавления коротко-канальных эффектов в субмикронных MOS-транзисторах. Для бакалавров и магистров, обучающихся по направлениям "Электроника и наноэлектроника", "Радиофизика", для студентов старших курсов и аспирантов при выполнении ими выпускных квалификационных и научно-исследовательских работ.
Доп. точки доступа:
Быкадорова, Галина Владимировна
Цоцорин, Андрей Николаевич
Бормонтов, Александр Евгеньевич
Авилов, Святослав Владимирович
Воронежский государственный университет
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ХРЦ (2)
Свободны: ХРЦ (2)
Обложка
Быкадорова, Галина Владимировна. Системы приборно-технологического проектирования : учебное пособие / Г. В. Быкадорова, Е. Н. Бормонтов, А. Н. Цоцорин, 2019. - 142 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Авилов, Святослав Владимирович. Формирование иерархических структур тетраподов оксида цинка : специальность 01.04.07 - "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / Авилов Святослав Владимирович, 2020. - 16 с. - Текст : непосредственный.Методы подавления короткоканальных эффектов в субмикронных MOS-транзисторах : учебное пособие / Г. В. Быкадорова, А. Н. Цоцорин, А. Е. Бормонтов, С. В. Авилов, 2021. - 116 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Моделирование короткоканальных эффектов в субмикронных MOS-транзисторах : учебное пособие / Министерство науки и высшего образования РФ, Воронежский государственный университет, 2021. - 48 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Лабораторный практикум по физике МДП-структур : учебное пособие / Е. Н. Бормонтов, Г. В. Быкадорова, А. С. Леньшин, Т. Г. Меньшикова, 2025. - 124 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Вестник Воронежского государственного университета : научный журнал. Серия, Геология. - Журнал выходит с 1993г. - Текст : непосредственный.Вестник Воронежского Государственного Университета : научный журнал. Серия, География. Геоэкология. - Журнал выходит с 1993г. - Текст : непосредственный.Вестник Воронежского Государственного Университета : научный журнал. Серия , Химия. Биология. Фармация. - Журнал выходит с 1993г. - Текст : непосредственный.Вестник Воронежского Государственного Университета : научный журнал. Серия, Физика.Математика. - Журнал выходит с 1993г. - Текст : непосредственный.Конденсированные среды и межфазные границы : рецензируемый научный журнал / Воронежский государственный университет. - Журнал выходит с 1999г. - Текст : непосредственный.Сорбционные и хроматографические процессы : научный журнал / Воронежский государственный университет. - Журнал выходит с 2000г. - Текст : непосредственный.Вестник Воронежского государственного университета : научный журнал. Проблемы высшего образования / Воронежский государственный университет. - Журнал выходит с 2000г. - Текст : непосредственный.Вестник Воронежского Государственного Университета : научный журнал. Серия, Экономика и управление. - Журнал выходит с 2003г. - Текст : непосредственный.Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Системный анализ и информационные технологии : научный журнал / Воронежский государственный университет. - Журнал выходит с 2006г. - Текст : непосредственный.Современная экономика: проблемы и решения : научно-практический журнал / Воронежский государственный университет. - Журнал выходит с 2010г. - Текст : непосредственный.Ракетно-космическая техника и технология, 2010 : труды Российской научно-технической конференции, посвященной 50-летию образования кафедры "Ракетные двигатели" ВГТУ (г. Воронеж, 28-29 октября 2010 г.) / Федеральное космическое агентство, ОАО "Конструкторское бюро химавтоматики" [и др.], 2010. - 231 с. - Текст : непосредственный.Электронный бизнес: проблемы, развитие и перспективы : материалы XIV Всероссийской научно-практической интернет-конференции (г. Воронеж, 27-28 апреля 2017 г.) / Воронежский государственный университет [и др.], 2017. - 104 с. - Текст : непосредственный.Гунина И.А. Управление человеческими ресурсами : учебно-методическое пособие / И. А. Гунина, И. В. Логунова, В. Ю. Пестов, 2017. - 218 с.Прутских Д.А. Компьютерные методы инженерных расчетов. Практические работы и курсовое проектирование : учебное пособие / Д. А. Прутских, Н. Н. Кожухов, В. Ю. Дубанин, 2017. - 80 с.Коновалов Д.А. Экологическая безопасность: практикум : учебное пособие / Д. А. Коновалов, Н. Н. Кожухов, 2017. - 112 с. - Текст : непосредственный.Материалы Международной конференции "Воронежская зимняя математическая школа С. Г. Крейна - 2018" / Воронежский государственный университет [и др.], 2018. - 395 с. - Текст : непосредственный.Аналитический контроль качества природных, питьевых и сточных вод / Воронежский государственный университет, 2017. - 222 с. - Текст : непосредственный.Корабельников Н.А. Инженерно-геологическая стратификация грунтов на территории Центрально-Черноземного региона : справочник / Н. А. Корабельников, Б. В. Глушков, 2018. - 31 с. - Текст : непосредственный.V Международная научно-практическая конференция "Экологическая геология: теория, практика и региональные проблемы" : 13-15 сентября 2017 г., [Севастополь] : посвящается Году экологии в России, третьей годовщине присоединения Крыма к России, столетию Воронежского государственного университета, 10-летию кафедры экологической геологии геологического факультета Воронежского государственного университета / Воронежский государственный университет [и др.], 2017. - 454 с. - Текст : непосредственный.Геоинформационное картографирование в регионах России : материалы IX Всероссийской научно-практической конференции, 5 декабря 2017 г. / Воронежский государственный университет, Воронежское отделение Русского географического общества, 2017. - 100 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКонтактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыNagel N. Losungswachstum von Siliziumschichten auf Siliziumdioxid und Charakterisierung der Schichten : Diss. / N.Nagel, 1993. - 140 S. - Текст : непосредственный.SIPMOS semiconductors, 1995. - 4 p. - Текст : непосредственный.Sekigawa T. study of new structure short channel MOS transistors / T.Sekigawa, 1991. - 110 p. - Текст : непосредственный.Emunds A. Dynamische und kinetische Eigenschaften eines quasi 2-dimensionalen Elektronengases : Diss. / A.Emunds, 1990. - 116 S. - Текст : непосредственный.Lancaster D. CMOS-Kochbuch : Ubersetzung vom Englisch / D.Lancaster, 1989. - Pag.var. - Текст : непосредственный. Majkusiak B. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS:Konsekwencje dla dzialania i modelowania / B.Majkusiak, 1991. - 117 p. - Текст : непосредственный.Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 1, 2002. - 413 с. - Текст : непосредственный.Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный.Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 2, 2004. - 535 с. - Текст : непосредственный.Croon J.A. Matching properties of deep sub-micron mos transistors / J. A. Croon, H. E. Maes, W. Sansen, 2005 r=on-lineNarendra S.G. Leakage in nanometer CMOS technologies / S. G. Narendra, A. Chandrakasan, 2006 r=on-line.Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Я. Красников, 2011. - 799 с. - Текст : непосредственный.Методы подавления короткоканальных эффектов в субмикронных MOS-транзисторах : учебное пособие / Г. В. Быкадорова, А. Н. Цоцорин, А. Е. Бормонтов, С. В. Авилов, 2021. - 116 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Андриевский В.В. Исследование физических процессов в кремниевых МДП-структурах,стимулированных ионно-имплантированными и термическими воздействиями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Андриевский, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ершова Ю.В. Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. В. Ершова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мичелена М.Автоматизированная система измерения вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.16 / Мичелена М., 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Шварц Н.Л. Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.полей:01.04.10 / Н. Л. Шварц, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пак Тэ Хва.Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физж.-мат.наук / Пак Тэ Хва, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гамола О.Е. Моделирование и исследование МОП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.05 / О. Е. Гамола, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Белоусов И.И. Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния,полученной при низких (100-400 С) температурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. И. Белоусов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Селезнев В.Н. Оптоэлектронные процессы в многослойных структурах на основе кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / В. Н. Селезнев, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Носенко С.В. Влияние атомарного водорода на свойства структуры Si-SiO : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. В. Носенко, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Гольдберг Ю.А. Поверхностно-барьерные структуры металл-полупроводник А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. А. Гольдберг, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Зиннурова Э.З. Моделирование структурнозависимых технологических процессов формирования и характеристик поликремниевого МДП-транзистора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:05.27.01 / Э. З. Зиннурова, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Ермолов А.В. Электрофизические и структурные характеристики сформированной лазерным напылением границы раздела InSb-CdTe для МДП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. В. Ермолов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Бадалов А.З. Особенности неравновесных электронно-ионных процессов в МДП и гетероструктурах на основе кремния и фосфида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. З. Бадалов, 1992. - 39 с. - Текст : непосредственный.Виноградова Н.С. Влияние состояния поверхности арсенида галлия на характеристики полевых транзисторов с барьером Шоттки СВЧ диапазона : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Н. С. Виноградова, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный.Сторонский Н.М. Кулоновская гибридная локализация электронов в неупорядоченных системах и ее влияние на электрофизические свойства МДП структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. М. Сторонский, 1992. - 17 с. - Текст : непосредственный.Сумарока А.М. Эффекты пространственной локализации электронных состояний и электрической неоднородности границы раздела при термоактивационном анализе Si-МОП-структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. М. Сумарока, 1993. - 23 с. - Текст : непосредственный.Балтянский С.Ш. Методы и средства измерения распределенных параметров комплексной проводимости МДП-структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.05 / С. Ш. Балтянский, 1993. - 17 с. - Текст : непосредственный.Лазутин Ю.А. Быстродействующие диодно-транзисторные ограничители мощности для приемных модулей СВЧ в гибридноинтегральном и монолитном исполнениях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Ю. А. Лазутин, 1993. - 20 с. - Текст : непосредственный.Жукова Т.В. Исследование ионоселективных полевых транзисторов,избирательных к ионам CL ,BF ,K и NH : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.02 / Т. В. Жукова, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Люмаров П.П. Разработка электрических интерполяционных моделей МОП-транзисторов повышенной точности : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук: 05.27.01 / П. П. Люмаров, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽