• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Ар21-4287
    621.315.5/М 600
    Милахин, Денис Сергеевич. Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 - физика полупроводников : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Милахин Денис Сергеевич ; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. - Новосибирск : [б. и.], 2021. - 32 с. : ил. - Библиогр.: с. 29-32 (32 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    47.09.29621.315.592-047.84(043)

    Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- производство -- нитрид алюминия -- поверхностные реакции -- кристаллические слои
    Доп. точки доступа:
    Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск)
    Экз-ры полностью Ар21-4287
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХРЦ (1)
    Свободны: ХРЦ (1)



    Заказ фрагмента документа ₽