Приложение
для AndroidПолное описание
Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - [Б. м. : б. и.]. - 55 c. : ил. - Пер. дис.: Procedes thermiques rapides. Etude de l'oxydation du silicium et de l'activation de l'impurete bore implantee / F. Marou. - S.l., 1990. - P. 1-52(Франция). - Б. ц. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ 47.13.11
Рубрики:
Кремний
Кл.слова (ненормированные): быстрые тепловые процессы -- внедренный бор -- ускоренная диффузия -- резкие переходы -- отжиг
Доп. точки доступа:
Marou, F.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкф.
Химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений Tl2CfBa2Cu20y / ВЦП ГР. - 9 с. - Текст : непосредственный.Применение керамических материалов для корпусирования приборов микроэлектроники / ВЦП. - 25 с. - Текст : непосредственный.Техническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Чон Сек Хен.Автоматизированное проектирование топологии аналого-цифровых интегральных схем РЭС на персональных ЭВМ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.13 / Чон Сек Хен, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Руководство по работе с системой MIT 4 / ВЦП. - 151 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Оскар Хосе Араика Ривера.Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния п-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы, модель DAD-2H/6T, DAD-2H/6TM (Часть II) / ВЦП. - 124 c. - Текст : непосредственный.Автоматическая пила для резки полупроводниковых пластин на кристаллы.В 2-х кн. / ВЦП. - 106 с. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Суетин Н.В. Теоретическое исследование газовых разрядов,используемых в плазменной микротехнологии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. В. Суетин, 1993. - 22 с. - Текст : непосредственный.Коваль Ю.И. Исследование особенностей воздействия ионного облучения на свойства полимерных масок в процессах микроструктурирования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. И. Коваль, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. Б. Волков, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Разряд-ионизация кадмия на поверхности CdSe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.04 / В. В. Никифоров, 1993. - 19 с. - Текст : непосредственный.Аршук Е.П. Автоматизация финишной обработки выпрямительных полупроводниковых диодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.13.07 / Е. П. Аршук, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Попов Г.В. Теоретические основы синтеза технологического оборудования с аэродинамическими прослойками при автоматизации производства изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.13.07,05.27.07 / Г. В. Попов, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный.Кривошеев Ю.К. Процессы тепло- и массопереноса в технологиях газофазного синтеза материалов для волоконной оптики и микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / Ю. К. Кривошеев, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыИсследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - 13 c. - Текст : непосредственный.Рамановский микроанализ остаточных напряжений в обработанном кремнии и германии / Ин-т сверхтвердых материалов. - 21 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 55 c. - Текст : непосредственный.Быстрые тепловые процессы. Изучение окисления кремния и активация внедренной примеси бора / ВЦП. - 75 c. - Текст : непосредственный.Chelikowsky J.R. First principles simulation of liquid silicon using langevin dynamics with quantum interatomic forces / J.R.Chelikowsky,N.Troullier,N.Binggeli, 1993. - 15 p.,6 l. p.,6 l. - Текст : непосредственный.Yeckel A. Theoretical analysis and design considerations for float-zone refinement of electronic grade silicon sheets / A.Yeckel,G.Salinger,J.J.Derby, 1994. - 34 p. - Текст : непосредственный.Binggeli N. Photoemission spectra and structures of Si clusters at finite temperature / N.Binggeli,J.R.Chelikowsky, 1995. - 10 p. - Текст : непосредственный.Vibrational modes of silicon nanostructures / X.Jing,N.Troullier,R.Chelikowsky и др., 1995. - 11 p. - Текст : непосредственный.Chelikowsky J.R. Atomic and electronic structure of silicon clusters at finite temperature / J.R.Chelikowsky,N.Binggeli, 1995. - Var.pag. - Текст : непосредственный.Лунц Д.Г. Физические свойства метастабильных фаз антимонида галлия и кремния / Д. Г. Лунц, С. В. Демишев, Н. Е. Случанко, 1996. - 22 c. - Текст : непосредственный.Айвазов А.А. Аморфный гидрогенизированный кремний и приборы на его основе : Учеб. пособие / А.А.Айвазов,Б.Г.Будагян, 1996. - 71 с. - Текст : непосредственный.Ogut S. Quantum confinement and optical gaps in Si nanocrystals / S.Ogut,J.R.Chelikowsky,S.G.Louie, 1997. - 4 p. - Текст : непосредственный.Cerofolini G.F. Physical chemistry of,in and on silicon / G.F.Cerofolini,L.Meda, 1989. - VIII,122 p. p. - Текст : непосредственный.Li J. MIDI! Basis set for silicon, bromine, and iodine / J.Li,Ch.J.Cramer,D.G.Truhlar, 1997. - 18 p. - Текст : непосредственный.Kruger M. Mikrostrukturierung von porosem Silicium fur optische und optoelektronische Anwendungen : Diss. / M.Kr@:uger, 1998. - XII,138 S. S. - Текст : непосредственный.Characterization of structural and electronic properties in undoped hydrogenated amorphous silicon / M.Stutzmann,G.Nobile,A.Rubino,P.Menna, 1990. - 19 p. - Текст : непосредственный.Glow-discharge hydrogenated amorphous silicon / ed. K. Tanaka, 1989. - X,277 p. p. - Текст : непосредственный.Quantum-size p-n juctions in silicon / N.T.Bagraev,A.M.Malyarenko,L.E.Klyachkin,V.L.Sukhanov, 1991. - 22 p. - Текст : непосредственный.Vasiliev I. Optical absorption and electronic excitations in hydrogenated silicon clusters / I.Vasiliev,S.Ogut,J.R.Chelikowsky, 1999. - 6 p. - Текст : непосредственный.Vasiliev I. Optical excitations in nanostructures: application of time dependent denstiy functional theory to Sin(n=3-10) clusters / I.Vasiliev,S.Ogut,J.R.Chelikowsky, 1999. - 8 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽