Приложение
для AndroidПолное описание
Минаева, Н. И. Разработка процесса герметизации лазерной сваркой корпусов приборов из алюминиевых сплавов : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.03.06 / Н. И. Минаева. - М. : [б. и.], 1993. - 21 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Науч.-произв.об-ние по технологии машиностроения,ЦНИИТМАШ. Библиогр.: с.20-21(9 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.29.37 | 621.385.032.9(043) | |
| 47.33 | 621.382-047.84(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкф.
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Перенос электронов и ионов в плазменных средах магнетронов / ВЦП.Киев.ред. - 10 с. - Текст : непосредственный.Модель переноса энергетических электронов в магнетронных разрядах / ВЦП.Киев.ред. - 23 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЦырлин Г.Э. Компьютерное моделирование процессор роста полупроводниковых соединений А В в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Г. Э. Цырлин, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Алиев В.Ш. Исследование взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью кремния при воздействии ионного облучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / В. Ш. Алиев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ефремова Н.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых соединений А В локальными зонами (на примере арсенида галлия) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Н. П. Ефремова, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.И. Технологические основы модификации материалов ЭВП с использованием высокоинтенсивных ионизирующих излучений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.06 / В. И. Иванов, 1992. - 48 с. - Текст : непосредственный.Левченко В.М. Упруго-пластические и разрывные реакции при механической обработке арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / В. М. Левченко, 1992. - 31 с. - Текст : непосредственный.Минаева Н.И. Разработка процесса герметизации лазерной сваркой корпусов приборов из алюминиевых сплавов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.03.06 / Н. И. Минаева, 1993. - 21 с. - Текст : непосредственный.Эмексузян В.М. Геттерирование и пассивация примесей и радиационных дефектов в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. М. Эмексузян, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Бабанов А.Ж. Электрохимическое формообразование деталей электровакуумных приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.17.03 / А. Ж. Бабанов, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Чесноков Б.П. Исследование физико-химических свойств электровакуумных материалов под воздействием гамма-излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / Б. П. Чесноков, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Крупенников О.Г. Повышение эффективности операции разрезания заготовок из полупроводниковых и диэлектрических материалов на пластины алмазными отрезными кругами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.02.08 / О. Г. Крупенников, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Сапеко Н.Н. Исследование и разработка транспортных систем для сверхвысоковакуумного сборочного оборудования : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.13.07:05.27.07 / Н. Н. Сапеко, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Шульга В.Г. Повышение точности обработки пластин кремния диаметром 150 мм на операциях доводки и полирования в условиях серийного производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.11.14 / В. Г. Шульга, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Кройчук К.Л. Исследование и разработка барьерных пленок с толщинами до 100 А на входе микроканальных пластин для электровакуумных приборов 3-го поколения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / К. Л. Кройчук, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сологуб Л.В. Формирование и релаксация напряженно-деформированного состояния кремния при изготовлении изделий электронной техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Л. В. Сологуб, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Перевощиков В.А. Физико-химические процессы химико-динамического полирования полупроводников (кремний, германий, полупроводниковые соединения типа А В ) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук:02.00.04 / В. А. Перевощиков, 1994. - 57 с. - Текст : непосредственный.Грицкевич О.В. Исследования процессов формирования изображений произвольной геометрической формы и размеров на криволинейных поверхностях вращения с использованием лазерного излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.05 / О. В. Грицкевич, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Терещенко А.М. Моделирование аэротермодинамических процессов в чистых помещениях при производстве интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.07:05.27.01 / А. М. Терещенко, 1996. - 33 с. - Текст : непосредственный.Зюрюкин А.В. Компьютерное моделирование процессов распространения и осаждения аэрозольных частиц в локальных чистых объемах микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / А. В. Зюрюкин, 1996. - 29 с. - Текст : непосредственный.Науменко Э.В. Применение математических моделей для выбора оптимальных параметров управления технологическим процессом постимплантационного отжига полупроводниковых структур: На прим. InSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.13.16:05.27.06 / Э. В. Науменко, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Кукоз В.Ф. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в системе кремний-германий : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / В. Ф. Кукоз, 1998. - 19 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽