Приложение
для AndroidПолное описание
Попов, И. А. Метастабильность электронный состояний в а-SI:H B ее влияние на свойства материала и параметры тонкопленочных транзисторов : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. А. Попов. - М. : [б. и.], 1993. - 18 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Моск.энерг.ин-т. Библиогр.: с.18(10 назв)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.3-416(043) |
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкф.
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПопов И.А. Метастабильность электронный состояний в а-SI:H B ее влияние на свойства материала и параметры тонкопленочных транзисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. А. Попов, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Dobler M. Polykristalline Halbleiter und Niedertemperatur-Dielektrika zur Herstellung von Dunnschichttransistoren fur flache Flussigkristall-Bildschirme : Diss. / M.Dobler, 1994. - 218 S. - Текст : непосредственный.Spachmann J. Herstellung,Eigenschaften und Anwendungen schnell schaltender Dunnschichttransistoren mit polykristallinem CdSe als Halbleiter : Diss. / J.Spachmann, 1991. - 169 S. - Текст : непосредственный.Otterbach W. Herstellung,Eigenschaften und Anwendungen von Dunnschichttransistoren aus amorphem Silizium fur die Grossflachenelektronik : Diss. / W.Otterbach, 1990. - 137 S. - Текст : непосредственный.Синтез и свойства металлооксидных пленок на основе ZnO, SnO2 и TiO2 для прозрачных полевых транзисторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / Е. Ю. Плотникова, 2015. - 16 с. - Текст : непосредственный.Zaki T. Short-Channel Organic Thin-Film Transistors. Fabrication, Characterization, Modeling and Circuit Demonstration / T. Zaki, 2015 r=on-line.Белоусов С.А. Многокомпонентные металлооксиды на основе ZnO и SnO2 для использования в тонкопленочных прозрачных транзисторах : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.27.01 / С. А. Белоусов, 2017. - 16 с.
Заказ фрагмента документа ₽