Полное описание

Д10-17/74900
621.315.5/З-472
Зегря, Г. Г. Механизмы ОЖЕ-рекомбинации в полупроводниковых наногетероструктурах и их влияние на характеристики лазеров / Г. Г. Зегря ; Минобрнауки России, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина). - Санкт-Петербург : ЛЭТИ, 2017. - 215 с. : ил. - Библиогр.: с. 198-208 (124 назв.). - 500 экз. - ISBN 978-5-7629-2179-4 : 260 р. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.09.29	621.315.592.9-022.532
47.35.31	621.373.826.038.825.5

Рубрики:
Наногетероструктуры полупроводниковые
Лазеры полупроводниковые

Аннотация: Монография посвящена исследованию новых каналов оже-рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниковых квантовых структурах. Автор подробно исследует механизмы оже-рекомбинации в гетероструктурах с квантовыми ямами. Квантовыми нитями и квантовыми точками. Теоретически предсказано и экспериментально подтверждено, что процессы оже-рекомбинации в наногерероструктурах усилены по сравнению с однородным полупроводником. Исследуются пороговые характеристики инжекционных лазеров на гетероструктурах и на структурах с квантовыми ямами. Выполнен подробный анализ влияния процессов оже-рекомбинации на пороговые характеристики лазеров инфракрасного диапазона. Предложены пути по оптимизации лазерной структуры с целью повышения квантовой эффективности лазера и улучшению его температурной стабильности.
Доп. точки доступа:
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)

Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ПНТ (1), ФО18 (1), ФО24 (1)
Свободны: ПНТ (1), ФО18 (1), ФО24 (1)
Заказаны экз-ры для отделов: ФО17, ФО25, ФО26

Обложка

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽