Приложение
для AndroidПолное описание
Вахненко, О. О. Spectral and transport characteristics of an arbitrary bent planar quantum electron guide / О.О.Вахненко. - Kiev : [s. n.], 1993. - 13 p. : il. - (Препринт / Институт теоретической физики(Киев) ; ITP-93-52E). - 100 экз. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.315.592.9(04) |
Рубрики:
Гетеропереходы
Кл.слова (ненормированные): гетеропереход
Доп. точки доступа:
Vakhnenko O.O.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Вахненко О.О. Spectral and transport characteristics of an arbitrary bent planar quantum electron guide / О.О.Вахненко, 1993. - 13 p.Бабiч Л.М. О-О-переходи в несферичних деформованих ядрах при непружньому розсiяннi електронiв / Л.М.Бабiч,В.К.Тартаковський, 1993. - 7 p.Матвiйчук С.Г. Dynamics of the two-component soliton in the discrete molecular chain / С.Г.Матвiйчук,В.С.Нiколаев,О.О.Вахненко, 1993. - 9 p.Завальницький С.Е. Chaos in the P.Gachok system / С.Е.Завальницький,А.С.Жохiн, 1993. - 24 p.Зеров Ю.Э. The external magnetic field effect on the energy spectrum and on the charge carrier damping in the one-band hubbard model / Ю.Э.Зеров,В.М.Локтев, 1993. - 12 p.Бабенко В.А. Study of the nuclear-coulomb low-energy scattering parameters on the basis of the P-matrix approach / В.А.Бабенко,Н.М.Петров, 1993. - 11 p.Толох I.С. Electron-transfer properties of quantum molecular wires 2. Orientation-dependent electron tunneling / I.С.Толох,Е.Г.Петров,А.А.Демиденко, 1994. - 24 p.Петров Е.Г. Electron-transfer properties of quantum molekular wires 1. Electron tunnel current through a single chain / Е.Г.Петров, 1994. - 27 p.Петров Е.Г. Electron-transfer properties of quantum molecular wires 3. Electron tunneling through magnetically ordered chain / Е.Г.Петров,В.В.Горбач, 1994. - 16 p.Кузьмичев В.В. Invariant junction conditions in general relativity / В.В.Кузьмичев, 1994. - 17 p.Кузьмичев В.Е. A new conception of the nucleation and the evolution of the early universe / В.Е.Кузьмичев,В.В.Кузьмичев, 1994. - 12 p.Кузьмичев В.Е. A model of the superuniverse in quantum cosmology / В.Е.Кузьмичев,В.В.Кузьмичев, 1994. - 20 p.Гойчук I.О. Kinetic equations for a dissipative quantum system driven by dichotomous noise: an exact result / I.О.Гойчук, 1994. - 9 p.Гайдидей Ю.Б. The model for phase transformation of noncentre-symmetric film into centre-symmetric one / Ю.Б.Гайдидей,О.С.Трофимов, 1994. - 11 p.Левашев В.П. Spin dependence of the neutron-triton scattering lengths / В.П.Левашев, 1993. - 17 p.Кузьмичов В.Е. Coupled-channel approach to the problem of scattering on a target with continuum spectrum of excitations / В.Е.Кузьмичов, 1993. - 29 p.Голод П.I. Iнтегровна динамiка SU(3)-магнетика / П.I.Голод,О.В.Кiсiлевич, 1993. - 12 c.Гончар М.С. Probabilistic description of economics / М.С.Гончар, 1993. - 25 p.Барьяхтар В.Г. A theory of the domain wall motion in cubic perovskites with triangular magnetic structure / В.Г.Бар'яхтар,О.В.Гомонай,В.А.Львов, 1993. - 24 p.Бурбан И.М. Two-parametric deformation of the oscillator algebra / И.М.Бурбан, 1993. - 13 p.
Показать все результатыКонтактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыDudda C.C. Herstellung und Charakterisierung epitaktischer Si/CrSi2-Heterostrukturen : Diss. / C.C.Dudda, 1993. - 93 S. - Текст : непосредственный.Mayer G. Ladungstrager-Dynamik in III/V-Halbleiter-Quantendraht-Strukturen : Diss. / G.Mayer, 1993. - 168 S. - Текст : непосредственный.Васько Ф.Т. Электронные состояния и оптические переходы в полупроводниковых гетероструктурах / Ф.Т.Васько, 1993. - 382 c. - Текст : непосредственный.Grambow P. Technologie und Untersuchung nanostruktueter Halbleitersysteme : Diss. / P.Grambow, 1992. - 121 S. - Текст : непосредственный.Вахненко О.О. Spectral and transport characteristics of an arbitrary bent planar quantum electron guide / О.О.Вахненко, 1993. - 13 p.Маркова Н.В. Generation of electron-hole pairs in narrow-gap semiconductor heterostructures by the potential barrier (Klein's effect) / Н.В.Маркова, 1994. - 3 p. - Текст : непосредственный.Маркова Н.В. Exchange energy of degenerate electron gas in narrow-gap semiconductor film / Н.В.Маркова, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный.Mayer E.J. Wechselwirkungsprozesse zwischen koharenten Exzitonen in GaAs Quantenfilmen : Diss / E.J.Mayer, 1995. - 149 S. - Текст : непосредственный.Барьеры Шоттки и химические окислы на высокоомном кремнии р-типа / И.М.Котина,Г.В.Пацекина,В.Д.Савельев и др., 1996. - 37 c. - Текст : непосредственный.Hetero-epitaxial growth of Pb1-X Cdx S1-y Sey thin film by the hot-wall method / K.Mochizuki,H.Iwata,M.Isshiki,K.Masumoto, 1992. - 687-691 p. p. - Текст : непосредственный.Aleiner I.L. Theory of Andreev reflection in a junction with a strongly disordered semiconductor / I.L.Aleiner,P.Clarke,L.I.Glazman, 1996. - 4 p. - Текст : непосредственный.Eisebitt S. Electronic and structural properties of interfaces and semiconductor nanostructures : Diss. / S.Eisebitt, 1995. - III,136 p. p. - Текст : непосредственный.Усанов Д.А. Физика полупроводников. Явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями : Учеб. пособие / Д.А.Усанов,А.В.Скрипаль, 1996. - 233 с. - Текст : непосредственный.Kurtenbach A. Molekularstrahlepitaxie niedrigdimensionaler Halbleiterstrukturen : Diss. / A.Kurtenbach, 1996. - 142 S. - Текст : непосредственный.Greiner A. Ph@:anomenologische Theorie dynamischer Felder in Heterostrukturen : Diss. / A.Greiner, 1992. - 105 S. - Текст : непосредственный.Dietzel F.-H. Elektron-Phonon-Wechselwirkung im Bereich des Quanten-Hall-Effekts : Diss. / F.-H.Dietzel, 1992. - 119 S. - Текст : непосредственный.Bever T. Laterale Strukturierung zweidimensionaler Elektronengase mittels fokussierter Ionenstrahlen und die Charakterisierung ihrer physikalischen Eigenschaften : Diss. / T.Bever, 1992. - III,117 S. S. - Текст : непосредственный.Leuther A. Lateraler und vertikaler elektrischer Transport in Halbleiterheterostruktur-Bauelementen mit 2D-Elektronengasen : Diss. / A.Leuther, 1996. - 126 S. - Текст : непосредственный.Ye P. Electrons in a periodic magnetic field : Diss. / P.Ye, 1996. - 154 S. - Текст : непосредственный.Каримов А.В. Многофункциональные арсенидгаллиевые тонкопереходные структуры / А.В.Каримов, 1992. - 172 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыВахненко О.О. Spectral and transport characteristics of an arbitrary bent planar quantum electron guide / О.О.Вахненко, 1993. - 13 p.Маркова Н.В. Generation of electron-hole pairs in narrow-gap semiconductor heterostructures by the potential barrier (Klein's effect) / Н.В.Маркова, 1994. - 3 p. - Текст : непосредственный.Маркова Н.В. Exchange energy of degenerate electron gas in narrow-gap semiconductor film / Н.В.Маркова, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Диэлектрическое усиление экситонов в полупроводниковых квантовых нитях / Е.А.Муляров,С.Г.Тиходеев, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный.Влияние дефектов подложек полуизолирующего GaAs и переходных элементов на оптические свойства квантоворазмерных структур AlGaAs/GaAs / С.А.Казарян,А.М.Гукасян,Н.Ф.Ораевский и др., 1995. - 29 c. - Текст : непосредственный.Барьеры Шоттки и химические окислы на высокоомном кремнии р-типа / И.М.Котина,Г.В.Пацекина,В.Д.Савельев и др., 1996. - 37 c. - Текст : непосредственный.Электрические и оптические свойства эпитаксиальных структур ZnSe, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / М.В.Греков,Е.М.Дианов,А.М.Прохоров и др., 1994. - 33 с. - Текст : непосредственный.Фундаментальные процессы роста пленок Au на подложках GaAs и их влияние на свойства границ разделов металл-полупроводник / Т.А.Брянцева,Д.В.Любченко,Е.О.Юневич,Г.Г.Дворянкина, 1997. - 29 с. - Текст : непосредственный.Кикоин К.А. Примесные состояния 3d ионов в сверхрешетках I типа / К.А.Кикоин,Л.А.Манакова, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Романов Ю.А. Нелинейная проводимость и вольт-амперные характеристики двумерных полупроводниковых сверхрешеток / Ю.А.Романов,Е.В.Демидов, 1997. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ядерно-спектрометрические и фотоэлектрические свойства аморфно-кристаллических гетероструктур / Н.П.Афанасьева,А.М.Данишевский,А.В.Дербин и др., 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Релаксационные методы определения электрофизических параметров поверхностно-барьерных структур / В.А.Гусев,Т.В.Паничевская,А.В.Саченко,В.И.Турчаников, 1991. - 30 с. - Текст : непосредственный.Фимин Н.Н. Применение вигнеровского формализма к исследованию свойств полупроводниковых гетероструктур / Н.Н.Фимин,В.А.Чуянов, 1998. - 21 с. - Текст : непосредственный.Ликальтер А.А. Прыжковая проводимость в гранулированных металлах около перехода изолятор-металл / А.А.Ликальтер, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ташенов Т.Б. Пассивация и реактивация глубоких уровней переходных металлов и серы в кремнии / Т.Б.Ташенов, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Апенко С.М. Transmission coefficient of ballistio juctions with coulomb interaction / С. М. Апенко, Ya. M. Blanter, Yu. B. Lozovik, 1992. - 5 p. - Текст : непосредственный.Индутный И.З. Фото - ЭДС в структурах As Sз - Ag / И. З. Индутный, А. А. Кудрявцев, Е. В. Михайловская, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Formation and annealing of defects in N-type silicon under combined gettering / N.T.Bagraev,L.E.Klyachkin,A.M.Malyarenko и др., 1990. - 36 p. - Текст : непосредственный.Ликальтер А.А. Примесные состояния и переход изолятор - металл в вольфрамовых бронзах / А.А.Ликальтер, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.Gamma-ray diffractometry investigation of CaF2/Si(III) heterostructures grown by mbe / A.I.Kurbakov,E.E.Rubinova,A.E.Sokolov и др., 1991. - 28 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽