Приложение
для AndroidПолное описание
Никитин, А. В.
Основы радиоэлектроники : учебно-методическое пособие : в 4 ч. / А. В. Никитин, Д. А. Станкевич ; Волгоградский государственный университет, Кафедра радиофизики. - Волгоград : Изд-во ВолГУ, 2016 - . - ISBN 978-5-9669-1611-4. - Текст : непосредственный.
Ч. 2 : Полупроводниковые приборы. - 2017. - 75 с. : ил. - Библиогр.: с. 73 (7 назв.). - 200 экз. - ISBN 978-5-9669-1747-0 : 20 р.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382 |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы
Доп. точки доступа:
Станкевич, Д.А.
Волгоградский государственный университет. Кафедра радиофизики
Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ХРЦ (2)
Свободны: ХРЦ (2)
Основы радиоэлектроники : Учеб.пособие для студентов втузов / Ю.И.Волощенко,Ю.Ю.Мартюшев,И.Н.Никитина и др.;Под ред.Г.Д.Петрухина, 1993. - 415 c. - Текст : непосредственный.Петров И.Н. Полупроводниковые приборы / И.Н.Петров, 1957. - 128 c. - Текст : непосредственный.Галкин В.И. Полупроводниковые приборы : Справ. / В.И.Галкин,А.Л.Булычев,П.М.Лямин, 1994. - 347 c. - Текст : непосредственный.Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги : Справ / А.В.Нефедов,В.И.Гордеева, 1995. - 401 c. - Текст : непосредственный.Нефедов А.В. Зарубежные интегральные микросхемы : Справ. / А.В.Нефедов,А.М.Савченко,Ю.А.Феоктистов;Под ред.Ю.Ф.Широкова, 1995. - 288 c. - Текст : непосредственный.Перельман Б.Л. Полупроводниковые приборы : Справ / Б.Л.Перельман, 1996. - 176 c. - Текст : непосредственный.Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги : Справ. / А.В.Нефедов,В.И.Гордеева, 1997. - 400 с. - Текст : непосредственный.Хотунцев Ю.Л. Основы радиоэлектроники : Учеб. пособие / Ю.Л.Хотунцев,А.С.Лобарев, 1998. - 283 с. - Текст : непосредственный.Ворсин Н.Н. Основы радиоэлектроники : Учеб. пособие для физ.-мат. фак. пед. ин-тов / Н.Н.Ворсин,М.Н.Ляшко, 1992. - 381 с. - Текст : непосредственный.Нефедов В.И. Основы радиоэлектроники : Учеб.для студентов вузов по радиотехн.спец. / В.И.Нефедов, 2000. - 399 с. - Текст : непосредственный.Хотунцев Ю.Л. Основы радиоэлектроники : Учеб.пособие для студентов физ.и технол.-экон.фак.,а также фак.технологии и предпринимательства педин-тов и педун-тов / Ю.Л.Хотунцев,А.С.Лобарев, 2000. - 283 с. - Текст : непосредственный.Ляшко М.Н. Основы радиоэлектроники : Учеб. пособие / М.Н. Ляшко, К.М. Маркевич, 1991. - 175 с. - Текст : непосредственный.Перельман Б.Л. Полупроводниковые приборы : Справочник / Б.Л.Перельман, 2000. - 176 с. - Текст : непосредственный.Митяшев Б.Н. Полупроводниковые приборы : Учеб.пособие / Б.Н.Митяшев, 1978. - 137 с. - Текст : непосредственный.Игнатьев В.К. Основы радиоэлектроники : Конспект лекций:Учеб.пособие для студентов по спец."Радиофизика и электроника" / В.К.Игнатьев, 2000. - 180 с. - Текст : непосредственный.Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы : Учебник для ВУЗов / В.В.Пасынков,Л.К.Чиркин, 2001. - 479 с. - Текст : непосредственный.Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники / Е.И.Манаев, 1990. - 512 c. - Текст : непосредственный.Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы : Учеб. для вузов по спец. "Пром. электрон." / Н.М.Тугов,Б.А.Глебов,Н.А.Чарыков;Под ред. В. А. Лабунцова, 1990. - 575 с. - Текст : непосредственный.Коришев В.И. Основы радиоэлектроники : Учеб.пособие для физ.фак.отд-ния "Технология и предпринимательство" / В.И.Коришев, 2001. - 92 с. - Текст : непосредственный.Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы : Учеб.для вузов / В.В.Пасынков,Л.К.Чиркин, 2002. - 479 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКонтактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТехническое руководство по прецизионным скрайберам стекла фирмы VPI / ВЦП-. - c. - Текст : непосредственный.Каталог запасных частей / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Техническое руководство для ультразвукового генератора модели 1400 фирмы "Вест-Бонд" / ВЦП. - 21 c. - Текст : непосредственный.Инструкция по обращению с устройством присоединения проводов способом термокомпрессионной сварки / ВЦП. - 68 c. - Текст : непосредственный.Установка для химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении с использованием вертикального диффузионного реактора / ВЦП. - 16 c. - Текст : непосредственный.Вертикальные диффузионные печи и системы химического осаждения из паровой фазы при низком давлении / ВЦП. - 13 c. - Текст : непосредственный.Установка для плазменного химического осаждения из газовой фазы с плоской рабочей камерой (модель К-1) / ВЦП. - 12 c. - Текст : непосредственный.Установки для получения окисных пленок / ВЦП. - 17 c. - Текст : непосредственный.Основные направления развития компьютерной технологии. Приложение А. Технологии изготовления полупроводниковых приборов / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Диффузионная сварка кремния / ВЦП. - 9 c. - Текст : непосредственный.Ангер Вакумат. Документация / ВЦП. - 41 c. - Текст : непосредственный.Frevel D. Untersuchungen im System Kalium-Aluminium-Silizium/Germanium und Aufbau eines LiAlSi-Halbleiterbauelementes : Diss. / D.Frevel, 1992. - 59 S. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 23, 1992. - 93 с. - Текст : непосредственный.High speed heterostructure devices / сост.ed. R. A. Kiehl, сост.ed. T. C.L.G. Sollner, 1994. - XII,454 p. p. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 26, 1993. - 111 с. - Текст : непосредственный.Compound and Josephson high-speed devices / ed. T. Misugi, ed. A. Shibatomi, 1993. - 306 p. - Текст : непосредственный.Валиев К.А. Физика полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники : Учеб. пособие / К.А.Валиев,А.А.Кокин, 1995. - 111 c. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед. сб. науч. тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 28, 1995. - 101 с. - Текст : непосредственный.Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : Межвед.сб.науч.тр. / АН Украины. Отд-ние оптоэлектроники Ин-та полупроводников. Вып. 29, 1995. - 115 с. - Текст : непосредственный.Mitel semiconductor:product information and applications notes, 1995. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM).
Показать все результатыПичугин А.Е. Пьезоэлектронные импульсные устройства для управления положением оптических элементов в пространстве : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.05 / А. Е. Пичугин, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Юневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Компьютерное моделирование процессор роста полупроводниковых соединений А В в методе молекулярно-пучковой эпитаксии и его разновидностях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Г. Э. Цырлин, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Зейн А.М. Исследование функции распределения вольт-амперных и гаусс-амперных характеристик горячих электронов при междолинном переносе в Ga1-x Alx As в сильных Е J.Н полях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. М. Зейн, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Киракозова Л.А. Особенности электронных кинетических характеристик в мышьяке и полупроводниковых сплавах висмут-сурьма при одноосном сжатии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.09 / Л. А. Киракозова, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Андриевский В.В. Исследование физических процессов в кремниевых МДП-структурах,стимулированных ионно-имплантированными и термическими воздействиями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Андриевский, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Россохатая Н.А. Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.16 / Н. А. Россохатая, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Демидова Н.С. Расширение плазмы поперек внешнего магнитного поля и механизм работы диода с магнитной изоляцией : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. С. Демидова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Джабер Абдульхафиз Мохамед М.Нелинейная вольтамперная характеристика (ВАХ) и относительное изменение пробивного поля(примесного)в магнитном поле : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / М. Джабер Пбдульхафиз Мохамед, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Ершова Ю.В. Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. В. Ершова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мичелена М.Автоматизированная система измерения вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.16 / Мичелена М., 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Алиев В.Ш. Исследование взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью кремния при воздействии ионного облучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.04 / В. Ш. Алиев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шварц Н.Л. Численное моделирование стационарных характеристик кремниевых МДП транзисторов с учетом эффектов сильных полей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.полей:01.04.10 / Н. Л. Шварц, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пак Тэ Хва.Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физж.-мат.наук / Пак Тэ Хва, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кучернюк П.В. Разработка адаптивных физико-топологических моделей биполярных транзисторных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:06.27.01 / П. В. Кучернюк, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гамола О.Е. Моделирование и исследование МОП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.05 / О. Е. Гамола, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Геворкян С.Ш. Оптически управляемые СВЧ элементы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.12.13;05.27.01 / С. Ш. Геворкян, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽