Приложение
для AndroidПолное описание
International vacuum microelectronics conference (5 ; 1993 ; New York). Proceedings of the 5th international vacuum microelectronics conference,1993,New York / International vacuum microelectronics conference (5 ; 1993 ; New York) . - New York, 1993. - 530 p. : ill. - (Journal of vacuum science and technology B, ISSN 0734-211X ; vol.11,N 2,1993). - Б. ц. - Текст : непосредственный.
Библиогр.в конце статей
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.29 | 621.385-181.4(063) |
Рубрики:
Вакуумная микроэлектроника -- Съезды и конференции
Кл.слова (ненормированные): вакуумная микроэлектроника
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ПНТ (1)
Свободны: ПНТ (1)
Proceedings of the 12th North American conference on molecular-beam epitaxy,1993,New York / North American conference on molecular-beam epitaxy (12 ; 1993 ; New York) , 1993. - A19,531-1202 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the 20th annual conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces,1993,New York / Conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces (20 ; 1993 ; New York) , 1993. - A20,1203-1758 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the 5th international vacuum microelectronics conference,1993,New York / International vacuum microelectronics conference (5 ; 1993 ; New York) , 1993. - 530 p. - Текст : непосредственный.
Перенос электронов и ионов в плазменных средах магнетронов / ВЦП.Киев.ред. - 10 с. - Текст : непосредственный.Модель переноса энергетических электронов в магнетронных разрядах / ВЦП.Киев.ред. - 23 с. - Текст : непосредственный.Осциллограф "Тектроникс" 2232" / ВЦП. - 176 с. - Текст : непосредственный.Источник рентгеновского излучения КМ 12505S P1506 / ВЦП. - 11 с. - Текст : непосредственный.Рентгеновские трубки для применения в рентгенографии, где важна разрешающая способность / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Формирователь отклоняющих напряжений ASG 04 / ВЦП. - 35 c. - Текст : непосредственный.Т912 10МГц. Запоминающий осциллограф с дополнительными устройствами : Инструкция по эксплуатации / ВЦП. - 193 c. - Текст : непосредственный.Рыбаков А.Б. Теория полого катода в дуговом режиме : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / А. Б. Рыбаков, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Юневич Е.О. Межфазовые взаимодействия в тонкопленочной системе Au-GaAs при формировании выпрямляющих контактов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. О. Юневич, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ломакин О.Е. Анализ замедляющих систем на основе моделей с распределенными параметрами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.07 / О. Е. Ломакин, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Чурилов Г.Н. Разработка и исследование генераторов плазмы килогерцевого диапазона частот : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / Г. Н. Чурилов, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Юдин Б.И. Исследование тепловых процессов в полом катоде : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / Б. И. Юдин, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Валеева А.А. Численное исследование тепловых и газодинамических характеристик в канале СВЧ плазмотрона радиального типа : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.14 / А. А. Валеева, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Россохатая Н.А. Математическое моделирование физических процессов в диодных структурах на основе варизонных полупроводников с высокой эффективностью излучательной рекомбинации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.16 / Н. А. Россохатая, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.Демидова Н.С. Расширение плазмы поперек внешнего магнитного поля и механизм работы диода с магнитной изоляцией : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.08 / Н. С. Демидова, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Красик Я.Е. Исследование генерации мощных ионных пучков в модифицированных диодных системах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:05.27.02 / Я. Е. Красик, 1991. - 50 с. - Текст : непосредственный.Крусь А.П. Оптимизация конструкции и технологии изготовления кремниевых диодов Шоттки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. П. Крусь, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Петков А.П. Оптические пространственно-временные исследования плазменных источников и их применение на практике : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.05 / А. П. Петков, 1990. - 33 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыProceedings of the 5th international vacuum microelectronics conference,1993,New York / International vacuum microelectronics conference (5 ; 1993 ; New York) , 1993. - 530 p. - Текст : непосредственный.Papers from the 7th intern.vacuum microelectronics conf.and papers from the 14th North American conf.on molecular-beam epitaxy,1994,New York / International vacuum microelectronics conference (7 ; 1994 ; New York) , 1995. - A13,167-803 p. p. - Текст : непосредственный.Papers from the eighth International vacuum microelectronics conference ,31 July-3 Aug.1995,Portland (Or) and Papers from the 15th North American conference on molecular beam epitaxy,17-20 Sept.1995,College Park(Md) / IVMC'95, 1996. - 1577-2398 p. p. - Текст : непосредственный.Papers from ninth international vacuum microelectronics conference : 7-12 July 1996,St.Petersburg / International vacuum microelectronics conference (9th ; 1996 ; St.Petersburg) , 1997. - 181-541 p. p. - Текст : непосредственный.Papers from the 11th International vacuum microelectronics conference. Papers from the fourth International plasma-based ion implantation workshop / International vacuum microelectronics conference (11 ; 1999 ; New York) , 1999. - A18,259-904,A25 p. p. - Текст : непосредственный.Papers from the 14th international vacuum microelectronics conference, 12-16 Aug., 2001, Davis(Ca) / IVMC-2001, 2003. - A18,632 p. p. - Текст : непосредственный.
Proceedings of the 5th international vacuum microelectronics conference,1993,New York / International vacuum microelectronics conference (5 ; 1993 ; New York) , 1993. - 530 p. - Текст : непосредственный.Papers from the 7th intern.vacuum microelectronics conf.and papers from the 14th North American conf.on molecular-beam epitaxy,1994,New York / International vacuum microelectronics conference (7 ; 1994 ; New York) , 1995. - A13,167-803 p. p. - Текст : непосредственный.Papers from the eighth International vacuum microelectronics conference ,31 July-3 Aug.1995,Portland (Or) and Papers from the 15th North American conference on molecular beam epitaxy,17-20 Sept.1995,College Park(Md) / IVMC'95, 1996. - 1577-2398 p. p. - Текст : непосредственный.Papers from ninth international vacuum microelectronics conference : 7-12 July 1996,St.Petersburg / International vacuum microelectronics conference (9th ; 1996 ; St.Petersburg) , 1997. - 181-541 p. p. - Текст : непосредственный.Papers from the 11th International vacuum microelectronics conference. Papers from the fourth International plasma-based ion implantation workshop / International vacuum microelectronics conference (11 ; 1999 ; New York) , 1999. - A18,259-904,A25 p. p. - Текст : непосредственный.Papers from the 14th international vacuum microelectronics conference, 12-16 Aug., 2001, Davis(Ca) / IVMC-2001, 2003. - A18,632 p. p. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽