Приложение
для AndroidПолное описание
Weis, J. Einzelelxektron-Tunneltransistor:Transportspektroskopie der elektronischen Grund- und Anregungszustande in einem GaAs/AlxGa1-xAs-Quantentopf : Diss. / J.Weis. - Stuttgart : [s. n.], 1994. - 196 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.189-196
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.323(043) |
Рубрики:
Транзисторы полевые
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Контактное сопротивление в системах YBa2Cu307-b-пленка металла / ВЦП. - 12 с. - Текст : непосредственный.Нитрид алюминия и область его применения / ЦНИИТЭСТРОЙМАШ. - 14 с. - Текст : непосредственный.Схема разработки топологии СБИС / ВЦП МР. - 17 с. - Текст : непосредственный.Многополюсная модель схемы для оценок потери излучения и паразитной связи между нарушениями непрерывности в микрополосковых церях / ВЦП КР. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюсы и минусы полифенилхининоксалина (ПФХ) / ВЦП. - 11 c. - Текст : непосредственный.Исследования в области ИС ЗУ различных видов и поколений. Выбор ИС при проектировании систем и указания по их применению. Ч.3,4 / ВЦП. - 107 c. - Текст : непосредственный.Технические данные / ВЦП. - 48 c. - Текст : непосредственный.Мультиплексный тестер жидких кристаллов / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Семь ключевых защитных модулей фирмы MTL Inc. для обеспечения собственной безопасности электронных устройств / ВЦП. - 26 c. - Текст : непосредственный.Фиксаторный конвертер для внутрисхемного тестирования плат р/п 2260-3360 и -3560. Фиксаторы 2270 и 2276 к рабочей станции по проверке плат / ВЦП. - 52 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3315 / ВЦП. - 36 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний N 2260-3325 / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Преобразователь контрольного приспособления для внутрисхемных испытаний NN 2260-3329 и 2260-3526 / ВЦП. - 53 c. - Текст : непосредственный.Конвертер для устройства тестирования плат / ВЦП. - 34 c. - Текст : непосредственный.Левицкий Д.О. Методы логико-динамического и логико-структурного диагностирования матричных КМОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.12 / Д. О. Левицкий, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ефанов В.А. Организация процесса трассировки матричных БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.13:05.13.12 / В. А. Ефанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Анаров Н. Эпитаксиальные пленки селенида цинка и гетероструктуры на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. Анаров, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный.Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия,легированных изоэлектронными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Аль-Яхья, 1991. - 13 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев Х.О. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP -InGaAs со встроенным потенциальным барьером : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ-мат.наук:01.04.10 / Х. О. Абдуллаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Харламова И.Ю. Напряженно-деформированное состояние тонких кольцевых пластин при локальном нагреве внутренними источниками тепла : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.23.17 / И. Ю. Харламова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыLee G.Y. Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflachen von Feldeffekttransistoren : Diss. / G.Y.Lee, 1992. - 127 S. - Текст : непосредственный.HEMTs and HBTs:devices,fabrication and circuits : Ксерокопия / ed. F. Ali, ed. A. Gupta, 1991. - XI,371 p. p. - Текст : непосредственный.Weis J. Einzelelxektron-Tunneltransistor:Transportspektroskopie der elektronischen Grund- und Anregungszustande in einem GaAs/AlxGa1-xAs-Quantentopf : Diss. / J.Weis, 1994. - 196 S. - Текст : непосредственный.Nawaz M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) / M.Nawaz,G.U.Jensen, 1995. - 13 p. - Текст : непосредственный.Langen W. Herstellung und Charakterisierung selektiv gewachsener vertikaler Feldeffekttransistoren : Diss. / W.Langen, 1995. - 95 S. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Учебное пособие по курсу элементная база радиоэлектроники. Биполярные и полевые транзисторы. Интегральные схемы / М.Д.Воробьев, 1991. - 83 с. - Текст : непосредственный.Designing with field-effect transistors : Diazocopy(6) / сост.rev. E. Oxner, 1990. - 296 мкфш. - Текст : непосредственный.Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres. Pt. 8,Sect.1 : Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz, 1987. - 33 p. - Текст : непосредственный.Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Weiss M. Leistungscharakteristik und Sattigungsmechanismen von TEGFETs und MESFETs : Diss. / M.Weiss, 1988. - XI,214 S. S. - Текст : непосредственный.Mietzner T.K.R. Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berucksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung : Diss. / T.K.R.Mietzner, 2001. - IV,124 S. S. - Текст : непосредственный.Романов В.П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах : Учеб.пособие / В.П.Романов, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный.Li T. Channel formation in organic field-effect transistors / T.Li,J.W.Balk,P.P.Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Полевые транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотельная электроника" для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков,Е.Зенова, 2004. - 59 с. - Текст : непосредственный.Aaen P.H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood, 2007. - XV, 362 p. - Текст : непосредственный.Полевые транзисторы и их применение в технике связи : монография / А. Н. Игнатов, 2008. - 319 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7518 : Tuneable electron transport in metallic nanostructures : diss. / S. Dasgupta, 2009. - X, 125 p. - Текст : непосредственный.Маликов С.В. Полевые транзисторы / С. В. Маликов, Н. В. Маликова, 2012. - 68 с. - Текст : непосредственный.Галкин В.Н. Полевые транзисторы в чувствительных усилителях / В. Н. Галкин, 1974. - 141, [2] с.Максименко, Юрий Николаевич. Мощные полупроводниковые приборы со статической индукцией : монография / Ю. Н. Максименко, 2022. - 213 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
Показать все результатыЕршова Ю.В. Численное моделирование нестационарных процессов переноса дырок в субмикронных кремниевых р-МОП транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / Ю. В. Ершова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пак Тэ Хва.Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физж.-мат.наук / Пак Тэ Хва, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гамола О.Е. Моделирование и исследование МОП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.09.05 / О. Е. Гамола, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Белоусов И.И. Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния,полученной при низких (100-400 С) температурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. И. Белоусов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Селезнев В.Н. Оптоэлектронные процессы в многослойных структурах на основе кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07 / В. Н. Селезнев, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Носенко С.В. Влияние атомарного водорода на свойства структуры Si-SiO : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / С. В. Носенко, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный.Гольдберг Ю.А. Поверхностно-барьерные структуры металл-полупроводник А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. А. Гольдберг, 1992. - 33 с. - Текст : непосредственный.Ермолов А.В. Электрофизические и структурные характеристики сформированной лазерным напылением границы раздела InSb-CdTe для МДП-приборов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. В. Ермолов, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Бадалов А.З. Особенности неравновесных электронно-ионных процессов в МДП и гетероструктурах на основе кремния и фосфида индия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. З. Бадалов, 1992. - 39 с. - Текст : непосредственный.Сторонский Н.М. Кулоновская гибридная локализация электронов в неупорядоченных системах и ее влияние на электрофизические свойства МДП структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. М. Сторонский, 1992. - 17 с. - Текст : непосредственный.Сумарока А.М. Эффекты пространственной локализации электронных состояний и электрической неоднородности границы раздела при термоактивационном анализе Si-МОП-структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. М. Сумарока, 1993. - 23 с. - Текст : непосредственный.Лазутин Ю.А. Быстродействующие диодно-транзисторные ограничители мощности для приемных модулей СВЧ в гибридноинтегральном и монолитном исполнениях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Ю. А. Лазутин, 1993. - 20 с. - Текст : непосредственный.Жукова Т.В. Исследование ионоселективных полевых транзисторов,избирательных к ионам CL ,BF ,K и NH : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.02 / Т. В. Жукова, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ольшанецкий Е.Б. Эффекты локализации и интерференции в низкоразмерных системах на основе кремния и арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. Б. Ольшанецкий, 1995. - 17 с. - Текст : непосредственный.Куршева Е.Н. Численное моделирование структур мощных высоковольтных биполярных и ДМОП транзисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / Е. Н. Куршева, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Убайдуллаев М.А. Разработка технологии создания и исследование высоковольтных переключающих арсенид-галлиевых структур с полевым управлением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / М. А. Убайдуллаев, 1996. - 15 с. - Текст : непосредственный.Ващенко В.А. Изотермическая неустойчивость и шнурование тока в полевых транзисторах и полупроводниковых структурах (к проблеме внезапных отказов и ограничений области режимов работы полевых транзисторов) : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / В. А. Ващенко, 1997. - 34 с. - Текст : непосредственный.Тяжлов В.С. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.10,01.04.03 / В. С. Тяжлов, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный.Никифорова И.О. Формирование и исследование зарядовых свойств МДП структур на основе оксида алюминия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. О. Никифорова, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Пашковский А.Б. Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. Б. Пашковский, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽