Приложение
для AndroidПолное описание
Chen, Z. Analysis of a finite element method for the drift-diffusion semiconductor device equations:the multidimensional case / Z.Chen,B.Cockburn. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1994. - 20 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 94/125). - 200 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.19-20
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.01.77 | 621.382-047.58 |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы -- Моделирование
Доп. точки доступа:
Cockburn, B.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Wu K. Inexact Newton preconditioning techniques for eigenvalue problems / K.Wu,Y.Saad,A.Stathopoulos, 1998. - 22 p. - Текст : непосредственный.Poliakov A.N.B. model of sedimentary basin formation with phase-transition and erosion: explanation of syn-rift uplift and stratigraphic onlap / A.N.B.Poliakov,Yu.Yu.Podladchikov,D.A.Yuen, 1998. - 9 p. - Текст : непосредственный.Pierson S.W. Flux lattice melting and lowest Landau level fluctuations / S.W.Pierson,O.T.Valls, 1998. - 10 p. - Текст : непосредственный.Johnson A.A. Parallel computing methods for large-scale 3d simulation of fluid-object inteactions / A.A.Johnson,T.E.Tezduyar, 1998. - 8 p. - Текст : непосредственный.Behr M. Shear-Slip Mesh Update Method / M.Behr,T.Tezduyar, 1998. - 20 p. - Текст : непосредственный. Behr M. Shear-Slip Mesh Update Method for computation of flow problems with spinning geometries / M.Behr,T.Tezduyar, 1998. - 15 p. - Текст : непосредственный. Van Tassel P.R. Open-system Monte Carlo simulations of Xe in NaA / P.R.Van Tassel,H.T.Davis,A.V.McCormick, 1993. - 19 p. - Текст : непосредственный.Parallel finite element computation of 3D flows-computation of moving boundaries and interfaces,and mesh update strategies / T.Tezduyar,S.Aliabadi,M.Behr и др., 1993. - 8 p. - Текст : непосредственный.Keskar N.R. Anomalous elastic behavior in crystalline silica / N.R.Keskar,J.R.Chelikowsky, 1993. - 18 p. - Текст : непосредственный.Martinez-Herrera J.I. Capillary-driven viscous flows during the sintering of ceramic powders / J.I.Martinez-Herrera,J.J.Derby, 1993. - 22 p. - Текст : непосредственный.Characterization of Au-GaAs interface by photoreflectance spectroscopy / A.Badakshan,C.H.Yang,P.Cheung и др., 1993. - 5 p. - Текст : непосредственный.Energy transfer through exciplex funnel states / S.L.Mielke,G.J.Tawa,D.G.Truhlar,D.W.Schwenke, 1993. - 8 p. - Текст : непосредственный.Vlachos D.G. Ignition and extinction of flames near surfaces : Combustion of CH4 in air / D.G.Vlachos,L.D.Schmidt,R.Aris, 1993. - 25 с. - Текст : непосредственный.Partial widths of feshbach funnel resonances in the NA(3p).H2 exciplex / S.L.Mielke,G.J.Tawa,D.G.Truhlar,D.W.Schwenke, 1993. - 13 p. - Текст : непосредственный.Maximum azimuthal anisotropy of neutrons from Nb-Nb collisions at 400 AMeV and the nuclear equation of state / M.Elaasar,R.Madey,W.M.Zhang и др., 1993. - 10 p. - Текст : непосредственный.Vlachos D.G. Products in methane combustion near surfaces / D.G.Vlachos,L.D.Schmidt,R.Aris, 1993. - 14 p. - Текст : непосредственный.Harris L.F. The glucocorticoid receptor DNA binding domain interacts with a glucocorticoid response element and flanking nucleotides at sites of conserved genetic information / L.F.Harris,M.R.Sullivan,D.F.Hickok, 1993. - 14 p. - Текст : непосредственный.Zelterman D. Exact tests of significance in higher dimensional tables / D.Zelterman,S.F.Chan,P.W.Mielke, 1993. - 19 p. - Текст : непосредственный.Hansen U. High Rayleigh number regime of convection with temperature-dependent viscosity and the earth's thermal history / U.Hansen,D.A.Yuen, 1993. - 10 p. - Текст : непосредственный.Chen X. A new virtual-pulse time integral methodology for linear transient heat transfer problems / X.Chen,K.K.Tamma,D.Sha, 1993. - 15 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыОбухов Ю.В. Визуализация в автоматизированных системах экспериментальных исследований в области радиофизики и электроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ю. В. Обухов, 1991. - 38 с. - Текст : непосредственный.Сарычев М.Е. Нелинейно-диффузионные кинетические модели процессов микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук в форме науч.докл.:05.27.01 / М. Е. Сарычев, 1993. - 53 с. - Текст : непосредственный.Постников К.О. Исследование сверхтонких диэлектрических пленок на поверхности полупроводников методом неупругой электронной туннельной спектроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / К. О. Постников, 1995. - 18 с. - Текст : непосредственный.Макаров В.В. Восстановление данных послойного ВИМС-анализа сверхтонких структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / В. В. Макаров, 1999. - 21 с. - Текст : непосредственный.Абрамов Г.В. Математические модели управления процессами в тонких аэродинамических слоях при производстве изделий микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.13.18,05.13.01 / Г. В. Абрамов, 2001. - 32 с. - Текст : непосредственный.Нелаев В.В. Многомерное моделирование имплантационных и твердофазных диффузионных процессов в технологии микроэлектроники методом молекулярной динамики и в континуальном приближении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :05.27.01 / В. В. Нелаев, 2001. - 39 с. - Текст : непосредственный.Мантуров А.О. Математическое моделирование нелинейных эффектов в мультистабильных полупроводниковых системах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :05.13.18 / А. О. Мантуров, 2001. - 19 c. - Текст : непосредственный.Трушин С.В. Моделирование стационарных режимов нелинейных радиотехнических устройств в частотной области при многопериодических воздействиях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.12.04 / С. В. Трушин, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мануэл Луиш Жони Франсиско.Исследование электрофизических свойств поверхности ВТСП-материалов методом эффекта поля в электролитах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.07 / Мануэл Луиш Жони Франсиско, 2002. - 17 с. - Текст : непосредственный.Морозов С.В. Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками GaAs/InAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / С. В. Морозов, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Прохорова Т.А. Моделирование гетеропереходов на основе магнитного полупроводника монооксида европия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.07,01.04.10 / Т. А. Прохорова, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Черняев А.В. Разработка алгоритмов и программ совместного схемотехническо-электрофизического моделирования биполярных БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / А. В. Черняев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ермошкин А.Г. Низкоуровневое моделирование систем, проектируемых с использованием ПЛИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.13.15 / А. Г. Ермошкин, 2003. - 17 с. - Текст : непосредственный.Лычагин Е.В. Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 01.04.10 / Е. В. Лычагин, 2003. - 19 с. - Текст : непосредственный.Тандоев А.Г. Моделирование физических процессов в мощных многослойных структурах на основе карбида кремния : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / А. Г. Тандоев, 2003. - 20 c. - Текст : непосредственный.Дейнеко М.С. Метод мультипликативных характеристических функций для анализа вероятностных характеристик в задачах статистической радиотехники : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.12.04 / М. С. Дейнеко, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Middelhoek M.G. The identification of analytical device models : Diss. / M.G.Middelhoek, 1992. - X,134 p. p. - Текст : непосредственный.Lai C.-H. Some experiences of solving 1-D semiconductor device equations on a Matrix coprocessor by a domain decomposition method / C.-H.Lai,H.J.J.te Riele, 1993. - 17 p. - Текст : непосредственный.Constapel R. Numerische Simulation von Halbleiterbauelementen auf der Basis von Mehrgitterverfahren / R.Constapel, 1992. - V,105 S. S. - Текст : непосредственный.Conradi P. Dreidimensionale Analyse elektronischer Bauelemente mit Miltigrid-Verfahren unter Verwendung einer Binarbaum-Datenstruktur / P.Conradi, 1992. - VI,98 S. S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыДиалло Тьерно Ибрагим.Моделирование физических и физико-химических процессов,происходящих при изготовлении и деградации изделий из поликристаллического карбида кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Диалло Тьерно Ибрагим, 1993. - 13 с. - Текст : непосредственный.Леонов А.И. Моделирование полупроводниковых приборов в трехмерной постановке : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-техн.наук / А. И. Леонов, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный.Новиков С.Г. Моделирование и исследование полупроводниковых структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением и приборов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.01 / С. Г. Новиков, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Петров В.Н. Программно-аппаратный комплекс измерения и идентификации параметров схемотехнических моделей полупроводниковых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.12.17 / В. Н. Петров, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Емельянов В.В. Моделирование кинетики испарения летучего компонента из конденсированной фазы : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / В. В. Емельянов, 2000. - 15 с. - Текст : непосредственный.Новоселов А.Ю. Моделирование и исследование полупроводниковых структур с вольтамперными характеристиками N-типа и приборов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. Ю. Новоселов, 2000. - 22 с. - Текст : непосредственный.Мантуров А.О. Математическое моделирование нелинейных эффектов в мультистабильных полупроводниковых системах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :05.13.18 / А. О. Мантуров, 2001. - 19 c. - Текст : непосредственный.Гурин А.В. Адаптивные расчетные сетки для моделирования электрофизических процессов в полупроводниковых структурах : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.13.18 / А. В. Гурин, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Шувалов Д.С. Математическое моделирование асимметричных реверсивно-включаемых динисторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук : 05.13.18 / Д. С. Шувалов, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Lai C.-H. Some experiences of solving 1-D semiconductor device equations on a Matrix coprocessor by a domain decomposition method / C.-H.Lai,H.J.J.te Riele, 1993. - 17 p. - Текст : непосредственный.Constapel R. Numerische Simulation von Halbleiterbauelementen auf der Basis von Mehrgitterverfahren / R.Constapel, 1992. - V,105 S. S. - Текст : непосредственный.Conradi P. Dreidimensionale Analyse elektronischer Bauelemente mit Miltigrid-Verfahren unter Verwendung einer Binarbaum-Datenstruktur / P.Conradi, 1992. - VI,98 S. S. - Текст : непосредственный.Grahn K.J. Two-dimensional numerical modeling of advanced semiconductor devices from the physical point of view : Diss. / K.J.Grahn, 1993. - 78 p. - Текст : непосредственный.Computational aspects of VLSI design with an emphasis on semiconductor device simulation : Proc.of the SIAM-AMS summer seminar on computational.. Apr.30-May 7,1987 Providence(RI) / ed. R. E. Bank, 1990. - 190 мкф. - Текст : непосредственный.Chen Z. Analysis of a finite element method for the drift-diffusion semiconductor device equations:the multidimensional case / Z.Chen,B.Cockburn, 1994. - 20 p. - Текст : непосредственный.Guan P. On the convergence of gummel mapping for steady state semiconductor equations / P.Guan, 1995. - 6 p. - Текст : непосредственный.Andersson M. Modeling of high-speed and high-power semiconductor devices : Diss. / M.Andersson, 1994. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Compound semiconductor device modelling / сост.ed. C. M. Snowden, сост.ed. R. E. Miles, 1993. - X,286 p. p. - Текст : непосредственный.Jiang E.X. A streamline-diffusion method and its application in semiconductor device simulations / E.X.Jiang, 1996. - 25 p. - Текст : непосредственный.Бордаков Е.В. Математическое моделирование технологических процессов, полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем : Конспект лекций / Е.В.Бордаков,А.И.Прокопьев, 1996. - 53 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽